外延工艺相关论文
基于FinFET平台，阐述镶嵌式源漏区锗硅外延工艺L1种子层的优化，通过开发出循环式外延锗硅工艺，对L1种子层B浓度提升带来的选择性失效......
上海2013年11月21日电——中微半导体设备有限公司(简称“中微”)的MOCVD设备Prismo D-BlueTM于本月举办的第十五届中国国际工业博......
一、引言 硅外延工艺曾对器件工艺产生了变革性的影响。近年来,随着器件的发展,对硅外延材料提出了更高的要求。在采用低位错单晶......
半导体发光二极管具有高转换效率、寿命长等优点，被认为是下一代光源并将会取代目前使用的传统光源。然而就目前发光二极管的性能来......
采用了一种无氟高分子辅助金属有机沉积法制备YBCO超导薄膜,并对YBCO的外延工艺进行系统化的研究,最终成功探究了低温外延工艺,取......
介绍了一种采用缓冲基区结构的快速软恢复二极管.二极管基区由传统的轻掺杂衬底基区N-与扩散形成的较重掺杂的N区(缓冲基区)两部分......
不久前，ROHM面向需要大功率（高电压×大电流）的通信基站和工业设备领域，开发出耐压高达80V、电流最大3A的MOSFET内置型DC/DC转换器——......
外延（Epitaxy，简称Epi）工艺是指在单晶衬底上生长一层跟衬底具有相同晶格排列的单晶材料，外延层可以是同质外延层（Si／Si），也可以是异质外延......
锗硅（Si1-xGex）是硅和锗通过共价键结合形成的半导体化合物，是这两种元素无限互溶的替位式固溶体。锗硅一般有非晶、多晶、单晶和超晶......
近日,KLA-Tencor公司产品市场营销经理Ravichander Rao和Mukund Raghunathan接受了《电子产品世界》的采访。MicroLED市场大致可分......
宇宙空间存在大量高能粒子,这些粒子会导致空间系统中的CMOS集成电路发生单粒子闩锁。基于0.18μm CMOS工艺,利用TCAD器件模拟仿真......
本文讨论了用二氯硅烷外延淀积硅的最新研究结果。附带地也给出了利用二氯硅烷淀积多晶硅和氮化硅膜的结果。当淀积温度改变时,由......
制备了响应在太赫兹波段的台面型砷化镓（GaAs）基阻挡杂质带（BIB）探测器,并进行了背景电流的测试分析。采用金属有机化学气相沉积（MOCVD）......
介绍了倒易点二维图的概念,分析了AlGaInP/GaAs外延层的倒易点二维图,阐明其倒易点二维图的展宽方向和原因,获得了应变及晶面弯曲......
静电感应器件(Static Induction Device—SID)是一类新型的电力电子器件，主要包括双极型静电感应晶体管(BSIT)、静电感应晶体管(SIT......
静电感应器件(Static Induction Device——SID)是一类新型的电力电子器件,主要包括静电感应晶体管(Static Induction Transistor......
石墨烯材料具有良好的物理和电学性能,是国际上二维材料研究的热点之一,在国防和国民经济中具有广阔的应用前景。但是在实际应用中......
随着微电子技术向高密集度、高可靠性方向发展,对半导体材料的要求也越来越高。GaAs材料的异军突起,打破了Si材料一统天下的局面。......
从外延工艺和芯片工艺上,对AIGa In P系LED在提升外量子效率的各种方法做了分析,探讨了各种工艺目前存在的优势和缺点。以期为Ga A......
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