器件工艺相关论文
不同抗弯强度硅片高温弯曲度变化的实验结果表明，众多因素对抗弯强度和高温弯曲度的影响规律是一致的．高温翘曲度或弯曲度与抗弯强度......
8月29日,氮化镓基发光二极管外延材料与器件工艺研究通过了中国科学院计划局和基础局在物理所主持召开的成果鉴定会。鉴定委员会一......
采用碳化硅外延和器件工艺制造了碳化硅结势垒肖特基(JBS)二极管,耐压达到1200V,封装的器件电流室温达到5A(正向压降2.1V)。通过在......
采用液相外延(LPE)生长的中波Hg Cd Te薄膜,基于B离子注入n-on-p平面结技术,制备了LBIC测试结构和I-V测试芯片并进行了相应的测试......
红外物理与红外技术关系密切,下面举四点讨论一下这方面的问题。(1)红外器件的研制虽然这主要是材料制备和器件工艺问题,但实际上......
一、引言 硅外延工艺曾对器件工艺产生了变革性的影响。近年来,随着器件的发展,对硅外延材料提出了更高的要求。在采用低位错单晶......
功率放大器是Ka频段通信系统，特别是卫星通信系统中的重要器件。本文介绍了MMIC(单片微波集成电路)器件工艺。综述了近年来国内外对......
由陶瓷相与聚合物基体复合而成的热释电复合材料，兼具氧化物陶瓷材料热释电系数高和高分子聚合物热容小、介电常数低、柔性好、可加......
一、非CMOS纳米计算机中的纳米材料MOSFET技术的发展正在不断孕育出崭新的设计结构与器件工艺,促使CMOS技术不断向纳米尺度拓展.这......
零中频接收系统以其高集成、低功耗和易于单片集成等优点，正成为射频接收机中极具竞争力的一种结构。针对零中频接收机存在IQ不平衡......
当探测目标的温度在近室温或更低温度时,其辐射能量的光谱分布主要处于红外长波段,此时需考虑长波红外探测技术,且长波范围8-14μm......
碳化硅（SiC）是一种宽禁带半导体材料,适用于制作高压、高功率和高温器件,并可以工作在直流到微波频率范围。阐述了SiC材料的性质,详......
综合了 Ga As和 In P基 HFET工艺中的选择腐蚀技术的有关报道 ,重点介绍了应用 ICP设备和气体组合 BCl3+ SF6 进行异质结材料组合......
迅速发展的网络技术和光纤通信技术对新一代光电子器件的需求,驱使长波长（1.3μm和1.55μm）垂直腔面发射激光器（VCSEL）成为了研究的热......
报道了对GaAs/Ge太阳电池器件工艺的研究结果.采用细栅厚电极正胶剥离技术制备细栅厚电极,栅线宽度小于15 μm,厚度在5 μm以上;采......
本文介绍了使用扩展电阻探针，通过测试材料的电阻率分布和工艺芯片的杂质浓度分布，从而用以材料和器件工艺参数的测试分析。......
报道了优化的p -n型Al0 .85Ga0 .15As/GaAs太阳能电池器件工艺。分别采用真空蒸发Cr/Au和AuGeNi/Au制作正面栅线和背面电极 ,并分......
期刊
以InAs/AlSb HEMT器件为代表的锑基化合物半导体器件因其超高速、低功耗、低噪声的特点，有望成为继InP基半导体器件之后的新一代高......
垂直腔面发射激光器（VCSEL）因具有在片测试、与光纤耦合效率高、调制速率高和功耗低等优点而有可能成为今后光网络中最有竞争优势的......
超辐射发光二级管因其大的输出功率、较宽的光谱、短的相干度等优良特性,广泛应用于光纤陀螺、光学层析成像系统、波分复用系统及......
本论文对2μm 波段 GaInAsSb/AlGaAsSb 多量子阱半导体 激光器的器件工艺及器件性能表征技术进行了研究。建立了计算机......
近年来光通信飞速发展，波分复用技术（WDM）是满足要求的有效手段。密集波分复用技术已经得到成功商用，其扩展信息传输容量的能力也在不......
集成电路产业作为国民经济和社会发展的战略性、基础性和先导性产业，是培育新兴产业、发展信息经济的重要保障。然而。我国集成电路......
评述了各种碳化硅电力电子器件研究开发的最新进展及其发展前景 ,指出碳化硅的优势不仅仅限于能提高功率开关器件的电压承受能力、......
