以InAs/AlSb HEMT器件为代表的锑基化合物半导体器件因其超高速、低功耗、低噪声的特点，有望成为继InP基半导体器件之后的新一代高速半导体器件，在高速、低功耗等应用领域将占据独特地位。本文围绕着InAs/AlSb HEMT器件的研究和制备主要展开了以下的工作。首先以器件重要参数的分析和InAs/AlSb HEMT器件材料的发展历程为依据和参考，进行了材料结构的设计和材料的生长。为了提高二维电子气浓度和电子迁移率，生长了四种结构的材料，并对材料进行了表面平整度、霍尔测试和C-V测试，比较了四种结构材料的特性。用C-V对材料的测试计算出了二维电子气的位置，计算结果验证了材料质量的良好特性。其中一种材料的2DEG浓度为8.551011cm-2，同时电子迁移率达到了25318cm2/V s。在已生长材料的基础上进行了器件部分工艺如台面刻蚀、欧姆接触、肖特基栅的研究和制作。分别探索了湿法刻蚀达到AlGaSb台面终止层的工艺条件；采用Ni/Au/Ni/Au合金制作欧姆接触获得了接触电阻为0.312Ω mm的欧姆接触；在用1M柠檬酸：H2O2对帽层腐蚀后淀积了Ti/Au栅金属，接触势垒高度为0.74eV。