射频功率相关论文
荷兰埃因霍温,2018年6月5日讯——易用性以及在不同频率下的设计再利用这两种特性以往与射频功率解决方案毫不相干,但这种情况现在......
将乙酸溶液加入到清洗后的不锈钢食具容器中,加热至沸腾30min后冷却,及时补充乙酸溶液至原来的体积,在室温下浸泡约24h,之后应用原......
利用射频磁控反应溅射法，以Ar、CH4为原料气体，在较宽的工艺参数范围内制备出了GexC1－x薄膜，研究了极板间距对沉积的影响。结果表明，随......
本机是我台1998年由法国进口的全固态电视发射机,其说明书比较简略,对各电路部没有做详细说明。本人根据原理图分析出这部分的工......
电感耦合等离子体原子荧光光谱仪(ICP-AFS)作为一种灵敏的多元素同时分析的工具为分析工作者所接受。我们利用Baird的仪器用正交法......
科锐公司宣布推出两项新型GaN工艺:0.25微米、漏极电压最高为40V的G40V4和0.4微米、漏极电压最高为50V的G50V3。新的工艺技术增加......
以SiH4和CH4为气源,在不同的工艺条件下用增强化学气相沉积(PECVD)方法制备了一系列Si-C-H薄膜,并对薄膜的结构和性能进行了一系列......
针对内线转移CCD金属铝遮光技术存在的漏光问题,对比了不同难熔金属材料的遮光性能,选择漏光率较低的氮化钛金属作为新型遮光层材......
经过大量的基础性研究和临床研究,智能温控射频热凝技术在疼痛等疾病方面治疗的效果已经得到了实践的证实。本文详细论述了智能温......
本课题组前期研制了一种基于PCB工艺的新型低气压放电微型ICP激发源,并将该微型ICP激发源与爱万提斯微型光纤光谱仪配合,研究探索......
针对传统制铝技术,为提高膜层结合力、阻隔性,采用射频磁控溅射镀铝工艺,制备纯铝高阻隔性膜层,在PET塑料薄膜表面沉积纯铝的实验.......
我们对1997-2000年就诊的男性外生殖器及肛周尖湿疣患者,应用射频电凝固进行了治疗和随访观察,结果报道如下。......
PECVD SiN膜在半导体器件表面钝化推广应用中,采用一种SiO-SiN双重结构形式.本文介绍了有关的试验数据、理论分析以及实际应用.
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中国散裂中子源加速器质子束流加速能量为1.6GeV,重复频率为25 Hz,撞击固体金属靶产生散射中子,一期工程的打靶束流功率为100kW。......
采用ＬＭ３８９的单片对讲机林长浩ＬＭ３８９为美国ＮＳ公司生产的低压音庆功放集成电路，其内部集成了三个ＮＰＮ型晶体三极管和一个与ＬＭ３８６相似的功放电路，三个晶体管互......
许多县、市级电视转播台或电视台的设备,有相当一部分是70年代至80年代生产的国产机。我以的GSZ-1型300W电视差转机是北京广播器......
离子辅助轰击能有效改善非晶碳膜(a-C)的质量.用脉冲激光(532nm,3.5×10W/cm烧蚀石墨靶,同时用Ar轰击膜面,在Si(100)衬底上沉积a-C......
建立了偏分复用(PDM)系统中信道串扰的数学模型,并提出了消除该串扰的方案,即用解复用端一路光信号的射频(RF)功率作为反馈信号以......
基于偏振模色散(PMD)监测是光性能监测(OPM)中的一项关键技术。提出一种利用射频(RF)功率谱中功率极小值对应的频率值监测链路中PM......
功能更多,显示器更大KG-UV8D是一款双波段(2米/70厘米)全双工FM手持收发信机。和包括欧讯过去的产品在内的许多国产收发信机不同,......
横向高压功率器件LDMOS(Lateral Diffused Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)以其高耐压、高增益、高跨导、宽......
在线式等离子体清洗是在低压下射频产生等离子体,粒子具有活性强、温度低和自由程较长的优点,比常压等离子清洗更适合处理高精密表......
终端的射频功率测试是终端设计、研发、生产等过程当中的重要环节,在3GPP协议和工业和信息化部的相关文件中,对终端的射频功率指标......
以高纯石墨作靶、氩气(Ar)和三氟甲烷(CHF3)为源气体,用反应磁控溅射法在不同射频输入功率、流量比条件下制备了氟化类金刚石(F-DL......
本文研究了F-DLC薄膜的附着性能。实验制备了两种F-DLC薄膜样品，第一种采用反应磁控溅射法，以氩气（Ar）和三氟甲烷（CHF3）为源气体并利用31......
最近几年的《QST》和《QEX》杂志都发表了几篇有关自制射频测量仪器的文章，包括2个射频功率表和一个频谱分析仪，有的发烧友在业余无......
在晶体管发射极电流集边效应理论及其应用 [4]～ [7]的基础上 ,研究了射频功率晶体管版图的系列化设计。通过理论和实验结果的对比分......
在通信设备生产领域,射频功率的测量是必不可少的.主信道的功率测量往往决定了接通的质量,邻信道的功率测量则决定不同手机用户之......
以CF4和CH4为源气体,用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)方法制备了不同工艺条件下的氟化非晶碳(a-C∶F)薄膜。发现薄膜的沉积速率......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
采用射频等离子体增强化学气相沉积(rf-PECVD)技术,在玻璃和硅衬底上沉积微晶硅(μc-Si:H)薄膜。利用拉曼光谱、AFM和电导率测试对......
量 典型的仪器/实物rn11无线电测量rn11.1射频功率rn11.1.1同轴绝对功率功率计,功率源rn11.1.2波导绝对功率功率计,功率源rn11.1.3......
利用磁控溅射方法以CH4和Ar的混合放电气体溅射单晶Ge靶制备碳化锗（Ge1-xCx）薄膜，通过XPS、Raman和Nanoindentation等表征手段系统地......
目的 探讨帕金森氏病患者立体定向术后脑出血原因和预防措施.方法 69例帕金森氏病患者均采用立体定向治疗,术中根据情况更改靶点.......
以CF4,CH4和N2为源气体,采用射频等离子体增强化学气相沉积法,在不同射频功率下制备了含氮氟化类金刚石薄膜样品.原子力显微形貌显......
期刊
以CF4,CH4和N2为源气体,利用射频等离子体增强化学气相沉积法,在不同功率下制备了含氮氟化类金刚石·膜.用俄歇电子能谱、拉曼光谱......
采用国家一级标准物质按样品分解步骤配制的溶液,代替纯标准溶液用于优化仪器的各种测定参数,对ICP-MS仪器的测定参数:雾化气流速......
文章详细介绍了无线数据传输芯片CC1100在智能无线远传水表中的使用,从硬件设计到软件流程,详细说明该芯片在实际应用中的设计过程......
由于石英晶体的刻蚀速率小,要实现石英晶体的高深宽比刻蚀,常用的光刻胶或金属掩膜不能满足工艺要求。提出使用双重掩蔽层的方法实......
利用偏压/射频耦合等离子体增强化学气相沉积技术在聚对苯二甲酸乙二醇酯(简称聚酯,PET)筒内壁制备了类金刚石薄膜(DLC)。采用X射......
经过处理后的液体样品小液滴通过雾化器、雾化室形成雾气，在ICP中心管高温火焰里干燥、蒸发成固体，气化成分子、原子、离子。使电子......
利用直流-射频-等离子体增强化学气相沉积技术在单晶硅表面制备了类金刚石薄膜,采用原子力显微镜、Raman光谱、x射线光电子能谱、......
