衬底温度相关论文
本征氢化非晶氧化硅(i-a-SiOx:H)是a-Si:H/c-Si异质结太阳电池中重要的钝化材料之一。本文采用PECVD法研究不同沉积衬底温度下n-Cz......
对于表面形状复杂的异形工件,在薄膜沉积过程中由于受到阴影效应的影响,将会造成薄膜厚度的不均匀以及表面性能和结构的差异,工件......
物理气相沉积得到非晶薄膜往往具有独特的性质,其具有更高的玻璃转变温度,焓值更低,稳定性更好,密度更大,模量更高等特点。通过冷......
有机场效应晶体管（OFETs）作为有机器件,以其不同于无机器件的优良特性而得到了广泛的关注与发展。随着OFETs的器件结构不断优化以及......
为获得组织结构及界面结合性能优异的铌薄膜,采用直流偏压二极溅射技术在无氧铜表面溅射制备铌薄膜,借助SEM、AFM、XPS、划痕仪等......
Sn Se薄膜太阳能电池因制备成本低廉、光伏性能优异、制备方法灵活等特点被称为具有潜力的新一代能源器件。但现有的Sn Se薄膜太阳......
本文提出了一种用于芯片耦合互连线灵敏度的新方法,该方法可以综合考虑芯片衬底非均匀温度分布的影响.首先,采用幅值矢量拟合算法......
以二甲基锌、二甲基镉和二乙基碲为原料,借助于低压金属有机物气相外延设备(LP-MOVPE),在(100)GaAs衬底上生长了不同组分的CdNnTe......
ZnO是一种具有六角纤锌矿结构的直接宽带隙半导体材料，常温下带宽为3.3eV，激子束缚能高达60meV，具有很好的光电和压电特性，在紫外发光......
本文采用射频磁控溅射的方法在石英衬底上制备CdS 薄膜,并研究讨论了制备条件对薄膜结构、光学、电学等方面的影响.结果表明,室温......
衬底温度是影响薄膜形成和相变过程的一个重要参量，它直接关系到薄膜的成分和结晶质量。不同的衬底温度，(Ga，Se)化舍物具有不同的晶体......
利用Nd:YAG固体脉冲激光沉积(PLD)技术在氧气氛围下于α-AlO(0001)基片上制备出纳米金刚石(NCD)薄膜.借助扫描电子显微镜(SEM)、原......
利用中频直流磁控反应溅射法在玻璃衬底上制备了3h的AZO透明导电薄膜。利用XRD四探针法和分光光度计分别研究了不同衬底温度下薄膜......
本文利用中频脉冲磁控溅射方法,采用重量2﹪的Al掺杂Zn(纯度99.99﹪)为靶材制备平面透明导电ZnO:Al薄膜,利用湿法腐蚀方法,将平面ZAO薄......
衬底温度保持恒定,在Se 气氛下按照一定的元素配比顺序蒸发Ga、In、Cu 制备厚度约为0.7 μm 的CuIn0.3Ga0.7Se2(CIGS)薄膜.利用X ......
本文采用热丝化学气相沉积的方法,以乙炔和氢气作为气态源,在石英衬底的表面制备非晶碳膜,研究了不同衬底温度(450～850℃)和冷却方......
本文通过单靶一步溅射再退火的办法在钠钙玻璃衬底与镀钼衬底上制备了铜铟硒(CIS)薄膜,通过优化工艺参数,获得了结晶性良好的CIS薄......
本文利用脉冲激光沉积(Pulsed Laser Deposition,PLD)的方法,通过调控AZO薄膜的衬底温度和氧分压,获得方阻为17.03Ω/sq的高导电率......
采用电子束蒸发技术在玻璃衬底上制备了ITO薄膜，通过X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)以及原子力显微镜(AFM)等方法对薄膜进行了测试......
采用常压单源MOCVD法在玻璃基片上制备了CdS薄膜，并利用XRD、紫外-可见光谱及SEM对薄膜进行了结构及光学性能的分析。主要讨论了衬......
利用双粒子束沉积技术,在Si(100)衬底上制备了氧化钆薄膜,离子束能量在100~500eV范围内,较低衬底温度时薄膜为(402)择优取向的单斜......
本文采用超声雾化喷涂工艺制备SnO2透明导电薄膜,反应溶液为SnCl4水溶液,选用F和Sb作为掺杂元素,通过改变掺杂量、衬底温度等工艺......
本文利用射频磁控溅射方法,采用氧化铟锡陶瓷靶材制备了氧化铟锡透明导电薄膜.研究了衬底温度对其表面形貌和光电特性的影响.在衬......
本文采用VHF-PECVD 技术制备了不同衬底温度的微晶硅薄膜样品。傅立叶变换红外吸收（FTIR）对制备薄膜进行了结构方面的测试分析。结果......
ZnO:Al薄膜的电学和光学特性与溅射时的氧含量和衬底温度有关，本文以2％的Al 掺杂的Zn（纯度99.99％）金属材料作靶，采用中频磁控溅射技术研......
以MgO陶瓷为靶材,采用脉冲激光沉积技术在Si(111)衬底上制备MgO薄膜,重点研究了衬底温度对MgO薄膜结构的影响.利用X射线衍射测试了......
我们使用等离子体增强型化学气相沉积(PECVD)的方法在玻璃衬底上制备了用于太阳能电池的多晶硅薄膜.通过对其Raman谱的分析得出不......
本文通过对热丝CVD沉积工艺的研究,分析了不同工艺条件对金刚石薄膜性能的影响,探讨了实用化的在WC-Co硬质合金基体上沉积高附着强......
无线通信、光纤通信系统飞速发展，低频段已经被占满，必须向高频段发展。高频声表面波(SAW)器件使用频率的升高，使它在雷达、电子战、......
衬底温度是磁控溅射法制备氧化锌薄膜中一个非常重要的工艺指标,探索衬底温度对氧化锌薄膜微结构及光学性能的影响对制备环保型高......
采用直流反应磁控溅射法在Si(111)衬底上制备了ZrN薄膜,通过X射线衍射仪、拉曼光谱仪、场发射扫描电子显微镜、原子力显微镜以及霍......
采用射频反应磁控溅射法在PZT(Pb(Zr0.52Ti0.48)O3)/Pt/Ti/SiO2/Si基片上制备了高度C轴择优取向的ZnO薄膜，使用X射线衍射仪(XRD)、......
讨论脉冲激光沉积原理,利用PLD在Si(001)衬底上生长ZnO薄膜,利用X射线衍射(XRD),原子力显微镜(AFM)等测试手段研究了不同衬底温度......
利用射频共溅射的方法在不同的衬底温度下制备了一系列Co(MgF)颗粒膜,系统的研究了衬底温度对薄膜的微结构、电性和隧道磁电阻效应......
非晶硅薄膜由于其光吸收系数高、原材料来源广泛、制备成本低以及易于大规模生产等优点，被认为是当前最重要的光伏材料之一。本......
通过直流磁控溅射法在玻璃衬底上制备了一系列铝掺杂氧化锌透明导电薄膜,研究了氧气分压和衬底温度对铝掺杂氧化锌透明导电薄膜的......
本文采用直流反应磁控溅射技术，,利用Ga-N共掺方法,在N2O+O2气氛下、玻璃衬底上制备了ZnMgO薄膜。通过不断优化N2O/O2流量比值和衬......
采用液滴外延法在GaAs(001)衬底上生长In液滴,利用原子力显微镜(AFM)对不同衬底温度下生长的样品进行表征,观察其表面形貌。研究表......
为适应高效Si基薄膜太阳电池对宽光谱透明导电薄膜的需求,采用磁控溅射技术生长了不同衬底温度氢化作用下Ga和Mg共掺杂ZnO（HMGZO）透......
在整个硅烷分解化学淀积硅膜的试验温度范围内,都显示出滞流层效应。对数生长速率与温度倒数的曲线分为三段直线。高温区的速率控......
一、引言分子束外延技术(简称MBE)是制备超薄多层晶体膜的技术之一.它制做的薄膜厚度可以薄到单原子层或单分子层的厚度,这就意味......
本文对表面微机械结构的氧化锌压电薄膜器件的关键工艺进行了研究。研究了表面微机械工艺，探索了合适的工艺规范。对如何在表面微机......
本文研究衬底温度(T_s)从室温至623K生长的氢化非晶硅的光电导的温度依赖关系.首次发现了出现光电导的热淬灭(TQ)的温度区随a-Si:H......
