功率增益相关论文
分析了三传输线型脉冲压缩装置的原理，从提高功率增益和小型化角度，在脉冲压缩装置中设计了一种3起端并联绕线的内置型高阻螺旋线结......
提出了一种新型基于矢量误差修正的负载牵引测量模型方法.相比于传统负载牵引测量系统,该方法从8-term矢量误差模型人手,建立接收......
赛伍白色胶膜的设计思路、赛伍白色胶膜Cybright(R)-W11的主要性能指标、使用W11的单面电池组件的外观及功率、使用W11的双面电池......
本文介绍了一款C波段低噪声放大器电路，该电路采用四级放大器芯片级联。用安捷伦公司的微波仿真软件ADS进行仿真设计并生产出成品，经......
本文利用SiGe与传统的硅工艺技术兼容,尤其是于CMOS工艺兼容等特点,设计一种过温保护电路,实时有效的控制SiGeHBT的工作。取代长期......
本文介绍了硅双极型微波功率晶体管的发展历史和应用现状。针对硅脉冲微波功率器件增益退化的失效模式,通过对硅脉冲微波功率器件......
在自偏置A类共源共栅射频功率放大电路拓扑基础上,基于SMIC0.18μmCMOS工艺设计了两级自偏置A类射频功率放大器电路.该射频功率放......
３．５ＶＧａＡｓＨＢＴ据《ＳｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒＷｏｒｌｄ》１９９５年第２期报道，日本富士通研究所研究一种新的便携电话用的３．５ＶＧａＡｓＨＢＴ。该ＨＢＴ在９００ＭＨｚ下具有：单一电源供电，３．５Ｖ，输出功率１Ｗ，功率附加效率７０％，功率增益１５...
3.5VGaA......
据《SemiconductorWorld》1995年第10期报道，莫托洛拉公司开始出售UHF带线性功率组件“MHW920”样品。这种新产品主要是面向北美，它......
据《电子材料》1995年第2期报道，日本富士通公司研制成3．3V低压、高效工作的GaAsHBT，其性能为：输出功率1W，功率附加效率70％，功率增益15dB（......
介绍了采用栅长为０．１５μｍ的钝化Ｉｎ０．５３Ｇａ０．４７Ａｓ／Ｉｎ０．５２Ａｌ０．４８Ａｓ／ＩｎＰＨＥＭＴ的高效Ｗ波段功率单片微波集成电路（ＭＭＩＣ）。０．１５×３２０μｍ单级ＩｎＰ功率ＨＥＭＴＭＭＩＣ放大器在９４ＧＨｚ时的最大功率附加效率为２３％，输出功率为４０ｍＷ，功率增益为４．９ｄＢ。......
设计了大型ＫｒＦ准分子激光器放大自发辐射的三维和准三维计算程序，比较了两种方法的差别。通过对不同纵横比、增益吸收比及注入光强条件......
本文介绍了当前微波固态功率放大器（ＳＳＰＡ）的性能，并对今后十年其远景性能做了预测。此预测结果对评价未来十年固态技术和真空技术之间的竞......
采用GaAs离子注入工艺，研制了GaAsX／Ku波段单片功率放大器。放大器末级栅宽76mm，频率9—13GHz，增益大于9．5dB，输出功率3W（f＝11GHz时达4W），效......
着重论述了硅微波功率晶体管内匹配网络的设计方法，对内匹配网络的功率均分特性、带宽特性，增益性能做了分析研究。在上述基础上，通过......
Philips Semiconductors的新系列LDMOS射频功率MOSFET与硅二极晶体管相比,其增益较高,偏置较简易,互调失真较低,带宽也宽了不少。......
南京电子器件研究所已研制成功 WFB1 0 0、WFB1 0 1、WFH1 6 1 8- 2、WFH2 2 2 3- 2型砷化镓功放模块 ,其基本特性如下 :型号 WFB1......
星用固放在高可靠性、高效率、小体积、低重量的基础上 ,采用温补电路 ,使部件在全温范围内 ,功率增益基本保持不变 ,并维持良好的......
介绍了在无线应用中的两种 Si Ge器件工艺 :低压 IC电路和高压分立功率器件工艺。给出了器件的关键参数 ,并且讨论了这些参数对于......
本文叙述了硅脉冲功率晶体管的设计制造,采用了动态镇流、钳位二极管、内匹配等技术。器件在f_0=1.85～2.15GHz,D=2％,τ_p=40μs条件......
用于蜂窝基站的LDMOS CDMA放大器 飞利浦电子集团推出的用于CDMA蜂窝电话基站的、基于新型LDMOS(侧扩散MOS)的放大器解决方案,使......
4 1 引言为实现X射线激光，一个强有力的候选者是基于自放大自发辐射（SASE）的高单程增益自由电子激光器。已提出几个方案用直线加速器......
Rockwell公司新推出满足L和S波段功率需求的大功率晶体管及50 ohm匹配功放模块。 MESFET RF晶体管T4200将从基带至S频段提供25W的......
描述了基于 CMOS工艺的双带低噪声放大器的设计 ,其目的是用单个低噪声放大器取代双带收发机 (如符合IEEE 80 2 .11a和 80 2 .11b/......
飞思卡尔半导体推出11种新型设备,这些功率放大器直接使用5V直流电源运行,提供了从D C到6G H z的多种电源选择和频率范围,而且包括......
意法半导体(ST)日前推出一个用于WLAN应用的线性功率放大器STB7720L,器件符合IEEE802.116/g标准,目标应用包括笔记本电脑、PC机、P......
美国Cree公司演示了一种用于移动WiMAX用途的新的高功率GaN RF功率晶体管。这种分立晶体管在40V电压下工作,3.3GHz下产生的峰值脉......
在短短的几年之前,毫米波频率CMOS电路被众多科学圈认为是滑稽可笑的。但是,美国加州大学伯克莱分校的无线研究中心的研究人员开发......
随着集成了无线局域网功能的笔记本电脑、便携式游戏机和数字视听设备的迅速增长,随时随地的高速无线通信已成现实。当通信速率和......
据《电子材料》(日)2006年第6期报道,日本瑞萨科技开发了2.4GHz/5GHz双频SiGe功率放大器MMIC,用于无线LAN终端。2.4GHz时的功率增......
瑞萨美洲公司(Renesas Technology America)宣布了一种型号为HA31010的新型高性能双波段SiGe MMIC功率放大器。该放大器耗电小,电......
通过合理的外延层材料结构设计和改进的器件制备工艺,制备出功率增益截止频率(fmax)为183GHz的晶格匹配InP基In0.53Ga0.47As-In0.5......
利用本实验室生长的4H-SiC外延材料开展了SiC微波功率器件的研究.通过对欧姆接触和干法刻槽工艺的优化,研制出高性能的SiCMESFET.......
据《信学技报》(日)2010年109-361期报道,日本三菱电机高频光器件制作所开发了用于低电压、宽带CDMA的HBT功率放大器。HBT的主要特......
据《i-Micronews》May25th.2010报道,美国Cree公司发布了该公司最新几种型号GaN HEMT MMIC放大器的研制成果。CMPA2060025D,2~6GHz......
低噪声放大器的特点是噪声系数小而输出功率较小，功率放大器的特点是输出功率较大而噪声系数较大。为了实现噪声系数小而输出功率较......
Cree在美国巴尔的摩召开的2011年IEEE国际微波会议上展出最新封装的GaN HEMT功率晶体管和2.7-3.5 GHz频段(S波段)的大功率放大器MM......
利用国产SiC外延材料和自主开发的SiC器件工艺加工技术,实现了SiC微波功率器件在S波段连续波功率输出大于10W、功率增益大于9dB、......
提出了一种SOILDMOS大信号等效电路模型,并给出了功率增益和输入阻抗表达式.基于制备的深亚微米SOI射频LDMOS,测试了功率增益和功......
