HEMTs相关论文
第五代移动通信技术随着5G商业化而更加广泛的被使用,更好地服务于我们的日常工作与生活,增强了人与人、人与物、物与物的通信与连......
State-of-the-art AlGaN/GaN high electron mobility structures were grown on semi-insulating 4H-SiC substrates by MOCVD an......
Fabrication of 10 nm T-gates by a Double Patterning Process with Electron Beam Lithography and Dry E
Nanofabrication technique for 10 nm T gates in high electron mobility transistors(HEMTs)is the key to achieve THz speed ......
AlGaN/GaN high electron mobility transistors (HEMTs) exhibit great potential for high-frequency and high-power microwave......
报道了蓝宝石衬底 Al Ga N/ Ga N共栅共源器件的制备与特性 .该器件包括栅长为 0 .8μm共源器件与栅长为1μm的共栅器件 .实验表明......
Degraded model of radiation-induced acceptor defects for GaN-based high electron mobility transistor
Using depletion approximation theory and introducing acceptor defects which can characterize radiation induced deep-leve......
本文针对 InAlAs/InGaAs InP基高电子迁移率晶体管(High electron mobility transistors, HEMTs)提出了一种结合高选择性湿法腐蚀......
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In this paper, the interface states of the AlGaN/GaN metal–insulator–semiconductor (MIS) high electron mobility transi......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
报道了生长在蓝宝石衬底上的AlGaN/GaN HEMT器件的制造工艺以及在室温下器件的性能.器件的栅长为1.0μm,源漏间距为4.0μm.器件的......
Commercially available AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors(HEMTs)are beginning to enter the public scene froma ......
研究了蓝宝石衬底AlGaN/GaN共栅共源器件的特性.该器件包括栅长0.8 μm共源器件与栅长1 μm的共栅器件.研究表明,共栅共源器件的第......
研究了蓝宝石衬底AlGaN/GaN共栅共源器件的特性.该器件包括栅长0.8 μm共源器件与栅长1 μm的共栅器件.研究表明,共栅共源器件的第......
报道了利用B^＋注入实现AlGaN／GaN HEMT的有源层隔离。通过优化离子注入的能量和剂量，获得了10^11Ω／□的隔离电阻，隔离的高阻特性在700......
对0．25肌双场板结构GaNHEMT器件的温度特性进行了研究。负载牵引测试结果显示，GaNHEMT增益的温度系数为-0．02dB／℃、饱和输出功率系数......
半导体技术飞速进步,第三代半导体氮化镓(GaN)因其优越的性能近年来受到了广泛的关注与研究。数以万计的氮化镓高电子迁移率晶体管......
本文单粒子效应的研究目的,旨在研究异质结器件InAs/AlSb HEMTs在重离子辐照下失效的概率。文中研究了InAs/AlSb HEMTs的I-V特性对......
设计了工作在8GHz的基于AlGaN/GaN HEMTs的内匹配功率合成放大器.输入和输出匹配电路制作在0.381mm厚的氧化铝陶瓷基片上,为了提高......
比较有无AlN插入层AlGaN/GaN HEMTs在直流偏置应力条件下的电流崩塌程度,研究AlN插入层对电流崩塌的影响.从测试结果看,无AlN插入......
比较有无AlN插入层AlGaN/GaN HEMTs在直流偏置应力条件下的电流崩塌程度,研究AlN插入层对电流崩塌的影响.从测试结果看,无AlN插入......
本文在高电子迁移率晶体管（HEMT）小信号等效电路模型的基础上，考虑了A1GaN／CmNHEMT的结构特性，具体分析了寄生参数和本征参数的提取方法......
基于SiC衬底成功研制X波段0.25μm栅长带有Γ栅场板结构的AlGaN/GaN HEMT,设计场板（field plate）长度为0.4μm,0.6μm,0.7μm,0.9μm......
本文首次报道了δ掺杂的赝形高电子迁移率晶体管结构（ＨＥＭＴｓ）Ａｌ０．３０Ｇａ０．７０Ａｓ／Ｉｎ０．１５Ｇａ０．８５Ａｓ／ＧａＡｓ中的傅里叶变换光致发光光谱，观察到了ｎ＝１电子子带和ｎ＝２电子子带到ｎ＝１重空穴子带的强发光......
报道了生长在蓝宝石衬底上的A1GaN／GaN HEMT器件的制造工艺以及在室温下器件的性能．器件的栅长为1．0μm，源漏间距为4．0μm．器件的最大电......
报道了蓝宝石衬底AlGaN／GaN共栅共源器件的制备与特性．该器件包括栅长为0．8／1m共源器件与栅长为1μm的共栅器件．实验表明，共栅器件的第二......
提出一种新的钝化技术——采用盐酸和氢氟酸混合预处理溶液（HF：HCl：H2O=1：4：20）对AlGaN/GaNHEMTs进行表面预处理后再淀积Si3N4钝化,研究......
基于SiC衬底成功研制X波段0.25μm栅长带有Γ栅场板结构的AlGaN/GaN HEMT,对比T型栅结构器件,研究了Γ栅场板引入对器件直流、小信......
