反向漏电流相关论文
随着半导体分立器件技术的不断发展,中国已经成为世界上分立器件的制造大国。分立器件的测试需求大大增长,对测试机的需求也急剧增......
介绍了在核物理和高能物理实验研究中使用的新型探测器--双面硅条两位位置灵敏探测器的结构，工作原理，制备工艺及测试结果。该探测器......
本文描述了一种具叠层结构基于平面工艺技术的厚耗尽层Si探测器的制备技术和性能测试结果。这种探测器的最突出优点是在较低的偏压......
介绍了在核物理和高能物理实验研究中使用的新型探测器-双面硅条两位位置灵敏探测器的结构，工作原理，制备工艺及测试结果。该探测器......
碳化硅以其优越的材料性能在功率器件领域得到广泛的研究和应用,同时混合PiN/Schottky 二极管(MPS)是一种理想的整流器件。本文利......
介绍了ＰｔＳｉ／ｐ－Ｓｉ肖特基势垒红外探测器（简称ＩＲ－ＳＢＤ）的优化结构及探测机理，给出了探测器的光增益模型，并对器件进行了制作及性能测试。器件在７７Ｋ下，反偏４Ｖ时的......
较详细地叙述了３ＤＧ１３５在可靠性研究过程中，技术攻关的主要内容及所采取的工艺措施，并给出三个检验批次认证的实验结果。
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美国ＰｒｏＴｅｋ公司１５００ＷＴＶＳ选择指南型号（单极性）型号（双极性）额定反向关断电压ＶＷＭ（Ｖ）击穿电压（ＶＢＲ）最小最大ＩＴｍＡ最大反向漏电流ＶＷＭ（μＡ）最大箝位电压ＶＣ（Ｖ）最大峰值脉冲电流ＩＰＰ（Ａ）ＶＢＲ的最大温......
提出一种金属半导体金属Ｓｃｈｏｔｋｙ结构的粒子探测器．它用高迁移率、半绝缘的ⅢＶ族化合物半导体ＧａＡｓ为材料制成大面积（９ｍｍ２）的粒子探测器．经过能量为......
通过对三级达林顿结构ＧＴＲ的体耐压进行计算机辅助分析，讨论了影响ＧＴＲ体耐压的诸因素。提出了三级达林顿结构体耐压的一种新设计方法，并试制......
光电二极管,又称半导体光敏二极管,是常用的光敏元器件之一。常见的光电二极管外形如图1所示,电路图形符号如图2所示。文字符号为......
由描述功率肖特基二极管电学特性的基本方程出发，结合对典型整流电路效率、器件正向压降、反向耐压及温度特性等参数的数值分析，给出......
本文介绍了高压硅堆二极管测试与印字流水线实时控制系统，该系统利用自行研制的高压测试仪测试高压二极管的反向漏电流，利用三菱公司......
探讨了一种新颖开管扩镓系统的基本原理和实施方法，用于各类晶闸管的制造，使器件具有触发参数一致性好，通态特性优良，ｄｖ／ｄｔ、ｄｉ／ｄｔ耐量高等特点．实......
《电子制作》97年第11期上的《用单向可控硅代替双向可控一法》文章后,觉得文中把两只单向可控硅的控制极G连接在一起代替双向可......
本文介绍了玻封肖特基二极管的性能测试和可靠性试验技术的研究，实践证明，该研究具有较高实用价值。
In this paper, the performan......
报道了 4H- Si C混合 PN / Schottky二极管的设计、制备和特性 .该器件用镍作为肖特基接触金属 ,使用了结终端扩展 (JTE)技术 .在......
从事电子维修的专业技术人员,基本上都拥有晶体管直流参数测试仪。该仪表不仅可以测试各种二、三极管、可控硅、场效应管的正/反向......
采用碳化硅外延和器件工艺制造了碳化硅结势垒肖特基(JBS)二极管,耐压达到1200V,封装的器件电流室温达到5A(正向压降2.1V)。通过在......
深入研究了两种增强型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)高温退火前后的直流特性变化.槽栅增强型AlGaN/GaN HEMT在500℃N2中退火5......
采用激光诱导掺锌的方法提高了常规GaN基外延片p-GaN层的空穴浓度,并将它制备成小功率白光发光二极管(LED).对其光电性能做了详细......
14.2 集成电路调节器的工作原理(续) 14.2.3 集成电路调节器的工作原理 要想把交流发电机的输出电压控制在一定范围内的话,只要调......
充电指示灯继电器发响的诊断对充电指示灯继电器“吱吱……”发响故障检查时，可直接用万用表直流电压档测量交流发电机中性点端电压......
日立中央研究实验室的工程师们发现,通过降低载流子面密度(sheet carrierdensity),AlGaN/GaN肖特基势垒二极管的反向漏电流可以大......
对GaN基白光二极管(LED)分别施加-1 600、-1 200、-800、-400、400、800、1 200和1 600V静电打击,每次静电打击后,测量LED电学参数......
利用热注入法合成带有油酸配体的PbS量子点,用短链乙醇胺替代长链油酸做为PbS量子点的配体。对比了由两种材料制得的量子点薄膜与A......
介绍了我国海洋环境的特点及其对双极型晶体管特性的影响。基于典型近海仓库贮存环境,以具有代表性的、用量较大的中小功率晶体管......
在考虑到各种物理机制如载流子-载流子散射、俄歇复合、禁带窄化效应及结温效应等的基础上,数值模拟分析了SiGe/Si功率开关二极管......
采用集成器件结构和先进工艺研制了一款等效低压二极管。该等效低压二极管的等效电路实质是一个普通npn三极管和一个普通二极管并......
针对目前市场上二极管HTIR在线测试系统的空白，本文提出了一种新的HTIR在线测试方法，采用了一种新的高温自热的方式，彻底改变了以往必......
沈阳机电设计院试制出一种手提式光洁度检测仪,可以方便地检测磨削工件光洁度。该仪器结构简单、携带和操作都很方便,可以测量▽_......
采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)法在p型S i(100)衬底上生长未掺杂的n型ZnO薄膜。在不同的生长温度下,c轴取向ZnO薄膜被生长在S......
本文通过化学浴沉积法获得了直径约为50 nm,长度约为250 nm的ZnO纳米棒阵列,引入纳米ZnS对ZnO纳米棒进行表面修饰,分别制备得到了......
一九七五年我们试制成功了光电日戳(见本刊一九七六年第四期)。该机盖销日戳方便、清晰,但执行继电器J(PR 401)的触点经常被烧毁......
对用于寬頻带增音同軸海底电纜电話系統的半导体器件,1960年初,貝尔系統就开始了研究工作。在改变这些器件的工作能力方面,研究一......
本文简要介绍DO-35微型玻封二极管的反向漏电I_R不稳定的实验情况,分析了该器件I_R不稳定的原,并给出了相应的改进措.
In this pa......
一、前言我国开发电子镇流器已有多年历史，但迟迟未能推广，其中一个重要原因就是电子镇流器的可靠性问题。 根据统计资料报道，电子镇......
本文对ＰｔＳｉ／ｐ－Ｓｉ红外探测器的结构进行了优化设计，并研制成功性能优良的器件。反向击穿电压达１８０Ｖ。在７７Ｋ下，反偏４Ｖ的漏电为５×１０－６μＡ，对１．５２μｍ的红外光，量子效率为......
采用１２ＭｅＶ电子束辐照效应将Ｐ＋ＮＮ＋普通整流二极管改制成高频整流二极管，与传统掺金工艺相比，少子寿命控制精确；ｔｒｒ和ＶＦ的一致性和重复性好；高温性能明显......
采用多层异质液相外延技术,制出了具有开关、存储、发光等多种功能的npnp Ga_(1～s)Al_2As负阻发光二极管。其典型参数为阈值电压V_......
本文以新技术——玻璃钝化为基本点,提出了玻璃封装阻尼、升压管这一新产品的设计原理,并对钝化机理加以探讨。根据设计要求,通过......
