正向压降相关论文
近些年来,电子电力技术发展推动了变频电路、汽车电子、开关电源的应用市场不断扩大。而在这些应用中,功率二极管作为最常用的基础......
研制了一种DFN1006-2L封装的小电流沟槽肖特基势垒二极管,其具有高电流密度、超低正向压降和低漏电特性.与常规平行条状结构排布的......
本文提出了一种新型低开启电压快恢复二极管.理论分析了这种二极管的原理,建立了该器件的正向压降的解析式.对此二极管进行模拟仿......
结合实际仪器,分析了PN结正向电压降与温度关系的实验,研究了在不同升温速率和降温情况下PN结正向电压的温度系数,发现降温测量的......
一台HC-2402型LED液晶彩电,雷击后三无。拆机检查,该机采用三合一主板(型号为TP.VST59.P4671)。通电,测得电容CB1(47μF/400V)两端......
LED工作时不可避免地会伴随结温上升现象，PN结温度对LED的性能影响较大，会导致光效下降，寿命减少等问题．本丈论述了LED工作原理及PN结......
半导体发光二极管是一种将电能转化成光能的半导体器件,它具有工作电压低(1.5～3伏),工作电流小(10～30毫安)灵敏度高,安全
A semico......
关于光的合成实验,大多数教师是用传统的染色白炽灯泡或在灯泡上蒙上有色透明纸,由于色光纯度不够,光的发散度大,教学效果不明显.......
本文利用ＰｔＳｉ／ｎ－Ｓｉ接触试制成一种新的肖特基势垒二极管，其反向击穿电压一般在１５Ｖ以上，最高达到３５Ｖ。测试了它的Ｉ－Ｖ特性，并与理论计算结果进行了比较和分......
本文介绍了功率器件的发展过程，重点阐述了近年来出现的可关断晶闸管的结构，工作机理，及它们各自的特点。
This article describes t......
L常用高速二极管性能表型号EUIDIR6051K40EGIEUZIDL4153K40RG4耐压VRM(V)4006〔)()4004()()4()020040040()电流10(A)0 .250 .350 .......
晶体管的检测是家电检修过程中必不可少的工作,其在线检测以快捷方便倍受欢迎,但是也只有使用万用表才能充分体现这一优越性。晶......
业余电子制作中如果对元器件特性有全面的了解,可以就地取材废物利用,节省资金,收到事半功倍的效果。下面仅举几例。 1.单结晶体......
本文主要报道ＩｎＰ光波导和ＩｎＧａＡｓ－ＰＩＮ光电探测器的单片集成，包括材料生长、器件工艺、器件测试三个部份．器件的结构和制作方法较为简单，而代表器件性......
将带有ＴｉＮ、Ｍｏ和Ｗ阻挡层的Ａｕ金属化系统用在高频功率管上，对其ＥＢ结进行了高温大电流应力试验。结果表明采用ＴｉＮ作阻挡层的器件寿命比用Ｗ作阻挡层的......
将带有ＴｉＮ、Ｗ和Ｍｏ阻挡层的Ａｕ金属化系统用在高频大功率三极管上，对其ＥＢ结进行了高温大电流应力和高温存储试验。结果表明采用ＴｉＮ作阻挡层的管子的......
硅二极管导通时的正向压降通常约为0.7V。为了减小二极管产生的不必要的功耗,有时希望二极管的正向压降最好是小于0.7V。本电路用......
由描述功率肖特基二极管电学特性的基本方程出发，结合对典型整流电路效率、器件正向压降、反向耐压及温度特性等参数的数值分析，给出......
近来有两种新型封装上市,使设计人员在对空间占用要求比较严格的应用场合可以较好地处理功率耗散问题。一种是加州东芝美国元器件......
ＬＴ１１７３是ＬＩＮＥＡＲ公司生产的微功耗ＤＣ－ＤＣ变换器，本文介绍了它的工作原理、主要特性，还介绍了外接元件选择方法和典型应用电路。
The LT1173 is a LINEAR......
提出了一种ＭＯＳ栅晶闸管的新的关闭栅结构——耗尽型ＭＯＳ关闭栅，有效地改善了多元胞器件元胞关断的非均匀性．
A new closed gate structure ......
该新型ＣＭＯＳ全兼容高压二级管采用标准ＣＭＯＳ工艺、实现新型耐压层结构的新型ＣＭＯＳ全兼容高压横向二极管，由于采用了新型表面耐压层结构，故能在最短表......
采用数值模拟分析了双降场层SOI-LIGBT击穿电压与SOI层厚度和隔离SiO2层厚度的关系,分析了阳极短路面积比对器件正向压降、关断时......
文中介绍了大于二极管正向压降信号的峰值检测，谷值检测及群体比幅三个简单实用检测电路。
This paper introduces three simple a......
介绍东芝公司推出的4.5kV注入增强门极晶体管(IEGT)的结构和电特性。
Introduces the structure and electrical characteristics......
最近加入LCD背景光光源中的白色LED,通常用来为彩色LCD提供背景光照明。因其尺寸小和输出是白光,白色LED被应用于具有彩色显示器......
1 引言过去10年,电源拓扑发生了翻天覆地的改变。现在的电源都不再需要笨重的50/60Hz的变压器。在传统电源中,这些变压器占体积和......
引言磷化镓是目前主要采用的绿色发光材料。国外对于汽相外延制取此材料作了不少努力,但目前效率最高的材料是由液相外延形成p-n......
介绍了最近开发的1200V和1700VIGBT模块的特性。该模块由沟槽栅极和电场截止结构的新型IGBT器件组装而成。由于采用了先进的封装技......
本文指出,螺栓紧固式半导体器件在抗矩试验中发生机械性能及电性能失效的原因,量器件底盘金属材料的强度不够;解决办法是选择强度......
为满足生产上的需要,我厂四连革命职工,把 BS—500型交流焊机改制成直流焊机,经生产实践证明,效果满意,它具有电弧稳定、焊接质量......
引言反并联二极管的正确设计需要考虑各种因素。其中一些与自身技术相关,其它的与应用相关。但是,正向压降Vf、反向恢复电荷Qrr以......
当采用的电源电压不能满足或超过了LED的3V正向压降时,使用蓝色LED就会遇到麻烦。本设计实例说明如何用一节3V电池或其它电源驱动......
“高频设备电源的改装”一文发表后,收到许多同志来信,询问有关问题,现回答如下,供大家参考。 1.QL20/20高压硅桥是大连电资厂可......
SiGe材料由于禁带带隙较窄和与Si工艺相兼容的优点,被广泛用于高频双极晶体管的制造中。实验把SiGe/Si异质结应用于功率器件方面,......
据《今日电子》2008年第1期报道,Si4642DYSkyFET是整合肖特基二极管的单片MOSFET,该器件击穿电压达30 V,在10 V栅极驱动下,导通电......
我厂有一台国产仿日XMARX500PS CO_2焊机,使用不久,出现空载电压低、不起弧等故障。
I plant a domestic imitation Japan XMARX......
为了估计并联IGBT模块变化参数所导致的失衡,通常根据元件参数的上下限的组合进行最坏情况分析。这种方法的缺点是它没有考虑到这......
经过调查分析，介绍了芯片并联对IGBT模块性能参数的影响，重点介绍了续流二极管正向压降对并联模块电流分布的影响。通过应用统计方法......
(1)可用特性相同,参数指标不低于原件的二极管代用。比如:可用RU2(650V、1A、1.5V)代用S5295J(650V、1A、1.5V);RG2(400V、1.5A、1......
