【摘 要】
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据《今日电子》2008年第1期报道,Si4642DYSkyFET是整合肖特基二极管的单片MOSFET,该器件击穿电压达30 V,在10 V栅极驱动下,导通电阻为3.75 mΩ。与使用单独器件或共同封装的
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据《今日电子》2008年第1期报道,Si4642DYSkyFET是整合肖特基二极管的单片MOSFET,该器件击穿电压达30 V,在10 V栅极驱动下,导通电阻为3.75 mΩ。与使用单独器件或共同封装的器件相比,将肖特基二极管与MOSFET整合
According to Today’s Electronics, Issue 1, 2008, the Si4642DYSkyFET is a monolithic MOSFET incorporating an integrated Schottky diode with a breakdown voltage of 30 V and an on-resistance of 3.75 mΩ at 10 V gate drive. The Schottky diodes are integrated with the MOSFETs compared to using separate devices or co-packaged devices
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