阈值电压相关论文
基于0.18μm CMOS工艺，采用浅槽隔离（STI）注入法对1.8 V LVNMOS器件进行总剂量加固，并对比分析了60Co （315 keV）与X射线（40 keV）辐照源对LV......
针对传统过温保护电路结构复杂、功耗大等问题，提出一种具有高精度的阈值可调节的过温保护电路。设计基于华虹0.35μm BCD工艺模型，......
为了提高Flash型FPGA中的Flash开关单元在擦除、编程后驱动能力的一致性，设计一种阶梯式的对Flash cell进行擦除和编程的方法.通过......
期刊
由于集成电路产业的迅速发展和电力电子功率系统对高效率的要求,以碳化硅（SiC）为典型代表的第三代半导体（宽禁带半导体）引起普遍重视。......
GaN功率器件具有高电子迁移率、高耐压、大电流密度等特点。但目前仍存在诸多关键科学问题亟待解决,如:常规GaN HEMT器件在关断状......
SiC MOSFET阈值电压漂移问题是器件可靠性面临的主要挑战，阈值电压测量的准确性对于评估器件在偏压与温度应力下的阈值电压稳定性极......
将4"-正戊基-4-氰基联苯（5CB）液晶与液晶4-[反式-4-[（E）-1-丙烯基]环己基]苯腈以5∶1的比例混合，并将预处理的碳纳米管分别与5CB单晶和......
随着国家对集成电路产业的扶持力度越来越大,国产半导体产品的需求量也越来越大,功率器件是半导体产业的重要组成部分,它不需要特......
针对闪速存储器的擦写测试与失效分析的需要,探究了基于阿伦尼斯模型的加速试验方法用于闪速存储器的可行性,提出了一种热电应力下......
自旋发光二极管是一种重要的自旋电子器件,该器件是在自旋电子学结合半导体材料而开展的关于自旋注入、操纵和探测的半导体自旋电......
当全耗尽的DSOI NMOS器件受到高总剂量辐射或高背栅电压的影响时,器件阈值电压与背栅电压的关系不再满足单一的线性关系。器件阈值......
碳化硅（SiC）MOSFET器件凭借开关速度快、泄漏源电流低和功率密度高等优点,被运用于新能源汽车和国防军工等高温高压大功率的工作领域......
近年来,随着人工智能、云计算等新兴科学技术的不断发展,对于信息存储能力的需求日益提高。为了提高存储器的密度,器件的尺寸不断......
随着集成电路工艺进入亚30 nm,鳍形场效应晶体管已经成为主流工艺结构,但是由于计算的复杂性其体硅结构的三维模型未有人给出过明......
栅极一直是SiC MOSFET可靠性研究的重点,栅极老化过程中电参数之间的耦合关系对栅极可靠性研究有至关重要的作用。为此,搭建了能够......
蓝宝石衬底上生长的InGaN多量子阱激光器列阵研制成功。该激光器列阵有4个脊形发光区。用IBE刻蚀的方法形成,每个脊形的宽度为8μm......
本文我们首先通过AlGaN/GaN HFET栅源间的C-V曲线求出沟道的二维电子气浓度,然后利用C-V曲线的积分曲线求出阈值电压,进而通过薛定......
本文采用阈值电压漂移量△Vth作为器件寿命评价的标准,研究了PMOSFET中NBTI效应的寿命。结果表明,影响PMOSFET的NBTI寿命的因素主......
采用理论计算和专用计算机辅助设计软件,研究了膜桥结构RF MEMS开关梁的厚度、长度、弹性系数和空气间隙等结构参数对阈值电压的影......
介绍了一种新型分离自偏置TTL与CMOS接口电路。该电路具有高速、低功耗的优点，且其逻辑阈值电压对于工艺和电源电压的变化均不敏感，......
瞄准单片功率集成电路对BCD工艺的特殊需求,开展了BCD工艺兼容技术研究,解决了其关键技术问题,初步建立了 BCD工艺,制作出NPN管的B......
本文研究的目的：基于氧化物IGZO 的底栅TFT 器件电学性能如阈值电压、亚阈值摆幅等易受到工艺成膜条件的影响，会出现阈值电压为负值，......
基于MOCVD生长的AlGaN/GaN异质外延材料,采用栅挖槽技术结合A12O3介质的方式研制了1um栅长MIS结构GaN增强型HEMT器件.器件阈值电压......
无结纳米线器件在其源/漏端以及沟道为均匀掺杂,制造流程简单,具有近乎理想的亚阈值摆幅以及极小的泄漏电流,是纳米尺度条件下传统......
会议
研制出蓝宝石衬底的15nm势垒层的F注入增强犁AlGaN/GaNHEMT。薄势垒耗尽型器件阈值电压为-1.7V,而常规的22nm器件阈值电压为-3.5V,......
我们采用电子束光刻和干法刻蚀的手段实现了纳米沟道阵列AlGaN/GaN HEMTs。普通结构器件的阈值电压在-3.65V,而沟道宽度缩小至66nm......
为了在减小P型多晶硅栅电极中硼穿通的影响，需要明确多晶硅栅电极中硼穿通与栅氧化层厚度之间的关系。提出了双栅PMOSFET模型，将P型......
对深亚微米的窄沟PMOSFET进行了负偏压温度不稳定性(NBTI)的试验研究。结果表明，NBT应力最终导致了跨导降低、输出特性曲线下降、关......
采用Si+注入到埋氧化层中并退火制备了总剂量加固的全耗尽SIMOX材料，对得到的样品在辐照前后的pseudo-MOSFET特性曲线进行了研究。......
基于阈值电压的P-Si TFT分区模型是目前主要的P-Si TFT模型。本文首先对目前基于阈值电压的p-Si TFT模型研究现状进行了分析,在此......
本文设计了一种新型快速时间连续电压比较器.利用倒向器代替放大器来放大比较信号,大大节约了版图面积,节省了功耗,同时可以达到很......
微机电系统中残余应力会导致结构弯曲、下塌或断裂,这些会影响和限制结构的尺寸,降低结构的使用寿命,甚至导致器件的失效.因此,残......
目前对MEMS开关和移相器的研究非常活跃.但是大部分的研究工作都集中在设计不同形状的开关结构和开关制作上,对开关静电力模型的研......
本文探讨了SI GaAs单晶片的PL mapping均匀性与阈值电压均匀性的关系.初步认为,单晶片的PL mapping均匀性可以综合反映材料参数的......
该文给出了非加固CMOS器件54HC04利用Sr-Y源半导体辐射效应在线测量系统进行的电离辐射效应研究结果。在国内首次给出了器件在连续......
本文提出一种通过改进偏压测试液晶电容,准确求得弹性常数的方法,并设计开发了测试系统.该系统由计算机控制PCI-1712产生偏压波形......
本文报道了一种补偿薄膜晶体管阈值漂移的AMOLED像素电路.电路工作存预充电、偏压设定与正常发光三个阶段,在不增加扫描线或者数据......
讨论了ITO布线电阻的均匀性对STN-LCD阈值电压、对比度、工作电压及显示均匀性的影响.并得出了在同一个STN-LCD上ITO布线电阻的极......
提出了一个改进的MOSFET超低温阈值电压模型.MOS器件在超低温环境在会出现阈值电压偏移等特性,标准的BSIM模型不能准确表征MOSFET......
会议
采用Sentaurus Process工艺仿真工具,验证了超薄硅膜内单次纵向离子注入并快速热退火后所实现的轻掺杂杂质分布符合高斯规律.设计......
薄膜晶体管(ThinFilmTransistors，TFTs)是有源矩阵显示的核心器件。金属氧化物TFTs由于迁移率高，均匀性好，可见光透明等诸多优点被广......
薄膜晶体管(TFT)是当今平板显示领域中不可或缺的电子元器件之一。随着显示技术向着大尺寸、超高分辨率、3D显示等方向不断发展，传......
现代半导体工艺技术的不断提升极大地推动了集成电路的发展，对器件的性能需求也越来越高。工艺水平的提升，带动了器件从微米级向纳米......
为了准确有效解决电压比较器阈值电压取值大小问题,改进阈值电压的调节方式,设计了一个以FPGA、AD转换器、DA转换器为核心的电压比......
对比分析了晶格匹配的InAlN/GaN与InAlN/GaN/BGaN高电子迁移率晶体管(HEMT)在不同温度(300~500 K)条件下的直流特性。结果表明,随......
