源漏串联电阻相关论文
现代半导体工艺技术的不断提升极大地推动了集成电路的发展，对器件的性能需求也越来越高。工艺水平的提升，带动了器件从微米级向纳米......
该论文重点分析了界面态分布和源漏串联电阻对SiCPMOS器件特性的影响.提出了一个价带附近的界面态分布模型,用该模型较好地描述了S......
在考虑源漏串联电阻的基础上，建立了～组适用于SiC PMOSFET的解析模型．计算结果与实验结果符合得很好．......
尽管在过去40年中,IC行业的基本元件——MOS管和基本的电路拓扑逻辑——CMOS都没有根本性的革新,但可以相信,在今后15年内,MOS和CM......
可靠性问题始终伴随着超大规模集成电路(VLSI)的发展和应用。随着金属-氧化层-半导体场效晶体管(MOSFET)特征尺寸的不断缩小,热载......
