现代半导体工艺技术的不断提升极大地推动了集成电路的发展，对器件的性能需求也越来越高。工艺水平的提升，带动了器件从微米级向纳米......

采用系统研究方法来分析包括MOS器件的沟道噪声和感应栅噪声在内的 CMOS低噪声放大器中的噪声,并提出了一个新的噪声系数解析式.基......

功率MOSFET作为开关器件时,导通电阻的平坦度是衡量其性能的重要参数。研究影响导通电阻平坦度的因素,并对其进行优化,有助于改善......

该文讨论了结型场效应晶体管的几个主要参数,找出影响它们的主要因素....

该文在国际上首次提出了一种ＲＬＭＯＳ器件新结构，与传统ＬＤＭＯＳ相比较，ＲＬＭＯＳ的沟道电阻Ｒ〈，ｃｈ〉降低一倍或一倍以上，并具有单元尺寸小，和Ｃ〈，ｇｄ〉反馈电容小等优点。......

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本文讨论了结型场效应晶体管的几个主要参数,找出影响它们的主要因素....

制备多重电极为WO3/Al/WO3、有机层为并五苯、绝缘层为聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）的底栅有机场效应晶体管,与只有Al为电极的底栅有机场......

采用系统研究方法来分析包括MOS器件的沟道噪声和感应栅噪声在内的CMOS低噪声放大器中的噪声，并提出了一个新的噪声系数解析式．基于......

本文主要内容是概述功率MOS器件的最新技术动向及应用动向.一、功率MOS器件的技术动向1.功率MOS器件功率MOSFET与双极型器件比较......

<正>IGBT是新型电力电子器件的主流器件之一,国外IGBT已发展到第三代。IGBT在设计上将MOS和双机型晶体管结合起来,在性能上兼有双......

分析了三洋电子公司生产的2SK-596型驻极体传声器专用场效应管的特性,叙述了它在驻极体传声器中起的阻抗变换作用.介绍了三洋电子......

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本文讨论了结型场效应晶体管的几个主要参数,找出影响它们的主要因素。...

本文从理论上论述了利用效应管变阻特性进行混频、调幅等功能的可能性,并阐明了其电路的特点和实用价值。......