寄生电阻相关论文
FinFET因其具有良好的沟道控制效果,更低的功耗,更好的可微缩特性,已经成为了当今的主流工艺。但由于FinFET器件具有3D特性,其漏源......
信息技术不断革新,集成电路沿摩尔定律不断发展,传统的半导体器件在尺寸变小,高速度运行的同时,需要更低的功耗。由于环栅（GAA）器件......
在Si基CMOS技术中,芯片中集成度的提高取决于晶体管的尺寸等比例缩小,但随之带来的短沟道效应的加剧使得传统的Si材料逐渐接近其物......
CdTe/CdS 异质结太阳能电池是非常具有应用前景的第二代低成本薄膜太阳能电池.高质量的CdS 与CdTe 薄膜制备是获得高转化效率薄膜......
本文在提出一个新的二段非线性２ＤＥＧ模型的基础上，建立了ＨＥＭＴ的静态和高频解析模型．对交流波动方程采用Ｂｅｓｓｅｌ函数法得到精确解．由直流特性和表征高频......
由YBa_2Cu_3O_x(YBCO)超导形成的测辐射热计探测器正在接近碲镉汞(HgCdTe)探测器的红外灵敏度,且波长范围延伸到大于15μm,无碲镉......
本文对BFL单元电路进行了改进，首次提出一种新型的GaAs单电源单元电路，并研究了该单元电路与SiTTL电路的接口电路，实验结果表明该单元......
提出一种将模拟退火法与基于主成份灵敏度分析的空间坐标变换相结合的优化算法，用以精确提取微波场效应管小信号等效电路参数。该法......
鉴于器件模拟参数在电路模拟中的重要性，本文选择了较为理想的模型参数提取方法─统计试验法，并从理论上解决了该方法在迭代求解过程......
阐述了毫米波段低噪声ＧａＡｓＰＨＥＭＴ课题的研究过程，报道了研究结果。研制出的器件最高振荡频率超过１５０ＧＨｚ，这是国内第一个频率进入３毫米波段的半导体三端......
由于集成电路技术高速发展，精确提取任意形状寄生电阻电容变得十分重要。本文以直接边界元素法为基础，利用圆弧样条插值近似任意曲线......
本文提出了一种新的提高多晶硅发射极晶体管和电路速度的方法，通过对器件外基区下对应的外延层区域进行离子补偿注入，降低相应外延层......
主要介绍快速热处理（ＲＴＰ）技术［１］，包括在高速双极ＩＣ的快速热退火（ＲＴＡ）［２］、Ｔｉ金属与Ｓｉ形成低阻的ＴｉＳｉ２接触同时，其上表面形成防止Ａｌ往Ｓｉ中渗透的阻挡层ＴｉＮ的ＲＴＰ，及ＥＥＰＲＯＭ隧道薄栅的......
据《ＳｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒＷｏｒｌｄ》１９９９年第２期报道。日本东芝公司开发了横向Ｓｉ双极晶体管，用于第三代移动通信系统。该器件在厚度为４００ｎｍ的Ｓｉ氧化膜上形成厚度为１００ｎｍ单晶硅ＳＯＩ衬底，然......
1 毫米波有源器件的关键技术近年来,在化合物半导体三极管(例如高电子迁移率晶体管(ＨＥＭＴ)、金属-半导体场效应晶体管(ＧａＡｓＦＥＴ)和异质结双极晶......
据日本《电子技术》1998年第3期报道，日本村田制作所采用GaAs半导体衬底，制作了毫米波工作频率的场效应管。器件采用了该公司独特的G......
提出了金属-半导体欧姆接触退化的快速评估方法-温度斜坡快速评价法，并建立了自动评估系统，用该方法和系统测得的欧姆接触退化激活能......
描述了以ＰＨＥＭＴ为有源器件的８～１２ＧＨｚ宽带低噪声单片电路的设计及制造，获得了满意的结果。其性能为ｆ＝８～１２ＧＨｚ，Ｇａ＝１７．４～１９．５ｄＢ，Ｆｎ＝１．８４～２．２０ｄＢ；ｆ＝８～１４ＧＨｚ，Ｇａ＝１７．４～１９．９ｄＢ，Ｆｎ＝１．８４～２．５ｄＢ
Describes the design and manufacture of 8 ......
对亚微米及深亚微米常规和轻掺杂漏（ＬＤＤ）ＭＯＳＦＥＴ性能进行研究。制作出常规及ＬＤＤ深亚微米ＭＯＳＦＥＴ。数值模拟和实测发现，对于深亚微米常规ＮＭＯＳＦＥＴ，只要设计适当，可在关......
该封装具有多层连接线、低寄生电阻和低寄生电感的优点
The package has the advantages of multilayer wiring, low parasitic r......
提出了一种新结构的低温多晶硅薄膜晶体管 ( poly- Si TFT) .该 poly- Si TFT由一超薄的沟道区和厚的源漏区组成 .超薄沟道区可有......
美国 IBM 公司已研制成 f_(max)为285GHz 和 f_r 为207GHz SiGe HBT。尺寸为0.12×2.5μm~2的晶体管线性电流为1.0mA/μm(8.3mA/......
富士通研究所日前宣布,通过在晶体管沟道部位采用SiGe(硅锗)材料,并将沟道方向设定成特定方向(方向),从而成功地开发出了低耗电量......
东芝计划在这个月或者下个月开始批量生产65 nm高性能器件,接下来在明年生产65 nm的低功耗器件,然后将在2007年初开始45 nm器件的......
采用TSMC 0.25μmCMOS工艺设计了一个IEEE802.11a标准无线局域网(WLAN)应用的5.8GHz差分低噪声放大器(LNA).阐述了LNA的噪声优化和......
电子束光刻(electron beam lithography)技术是实现微细栅长的光刻技术之一,利用电子束光刻技术制备出200nm栅长GaAs基MHEMT器件.......
研究了InP双异质结双极晶体管(DHBT)的能带结构对集电极电容的影响,解决了传统方法不能准确提取InPDHBT集电极电容的问题.考虑了基......
前十年里,工程师在使用第二代电流传输器设计和实现电流模式电路时做了大量工作,这种传输器比其前一代有较高的信号带
In the fir......
提出了一个可用于0.18μmCMOS工艺RF-MOSFET的源漏电阻的可缩放模型。采用了一种直接基于S参数测量的方法来准确提取端口的寄生电......
为解决集成电路的全芯片静电防护设计中寄生电阻导致的防护空间压缩问题,提出了一种实用的能够在版图设计过程中提高集成电路静电......
提出了一种新型自对准石墨烯场效应晶体管(graphere field-effect transistor,GFET)制备工艺,该工艺可与现有Si CMOS工艺相兼容。......
本文以BGA和PLMP两种封装为例,介绍了仙童半导体公司的新型封装。并与标准封装在电气性能和热性能方面进行了比较。同时给出了核心......
日本富士通有限公司最近生产的64Kb双极ECLRAM,存取时间高达5ns。它应用了1μm规则和U型槽隔离方法,存贮单元面积为403μm~2,芯片......
在笔记本式电脑中,为微处理器供电的DC/DC转换器的负载电流经常大起大落,引起电压波动。在DC/DC转换器的输出端并联一个电容器来......
业已证明:在光照下,GaAs MESFET在18MΩ·cm的水中漂洗会导致器件直流特性的迅速退化。水在肖特基势垒栅电极的周围腐蚀出一个槽,......
采用电子束曝光技术刻制栅电极及减小源栅寄生电阻的方法,发展了0.25μm 栅低噪声 GaAsFET。18GHz 下,噪声系数为1.9dB,相应增益为......
本文叙述了12GHz低噪声GaAs MESFET的设计和制造.用普通光刻技术制成了高性能GaAs MESFET.在12GHz下测得器件最小噪声系数为1.4dB,......
为了获得高性能动态MOSRAM,有三种关键的器件工艺参数。高性能晶体管、低电阻互连线和较小的寄生电容可以实现高速度和低功耗工作......
本文从栅源串联电阻R_s和有效栅长L_f两方面论述了深槽自对准斜蒸栅结构可明显减小R_s与缩短L_f,有利于降低器件的噪声系数。 本文......
本文介绍了在低温下,对GaAs MESFET(包括12GHz低噪声器件、双栅器件、功率器件及振荡用器件)所进行的性能测量与分析。在218K(-55......
制造了一个改进的增强型GaAs MESFET,其中采用了减小源和漏寄生电阻的高剂量Si离子注入,以及用于控制阈电压和减小肖特基栅界面状......
