沟道长度相关论文
光电探测器是一种把紫外、可见及红外等光信号转化为电信号的光电子器件,已广泛应用于通讯工程,遥感,过程控制,天文学,国防等领域......
在器件结构、辐照偏置相同的情况下,研究不同沟道长度的总剂量辐射响应.氧化层中辐射诱生陷阱正电荷是导致器件特性退化的关键.寄......
现代半导体工艺技术的不断提升极大地推动了集成电路的发展，对器件的性能需求也越来越高。工艺水平的提升，带动了器件从微米级向纳米......
对包头市城市防洪范围内的地形、水文和防洪设施现状详细地进行了分析,得出包头市城市洪涝灾害产生的原因,进而提出应对洪涝灾害的......
目前已开发出多种用于电子电路设计的电路仿真和CAD程序。但若我们不熟悉计算机建模,则不可能成功地运行任何仿真程序。 电路仿真......
本文在对ＭＯＳ非对称源耦对研究的基础上，提出了一种新型模拟平方器，本文给出了电路结构并进行了理论分析。ＳＰＩＣＥ模拟结果表明，在±５Ｖ电源电压，±４Ｖ的......
ＳＯＩ－ＭＯＳＦＥＴ主要模型参数得到一致的提取，因而该模型嵌入ＳＰＩＣＥ后能保证ＣＭＯＳ／ＳＯＩ电路的正确模拟工作，从ＣＭＯＳ／ＳＯＩ器件和环振电路的模拟结果和实验结果看，两者符合得较好，说......
ＳＯＩ器件应用展望东立摘编绝缘体上硅（ＳＯＩ）衬底以优良的材料特性和适中的价格／性能比，使其成为高性能ＩＣ技术开发的热点。自８０年代末，人们对ＳＯＩ衬底技术......
鉴于ＳＰＩＣＥ是目前世界上广泛采用的通用电路模拟程序，且具有可扩展模型的灵活性，我们通过修改ＳＰＩＣＥ源程序把新器件模型──ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ模型移植入ＳＰＩＣＥ中，通过我们......
介绍了ＩＧＢＴ的结构设计及终端设计，利用ＳＤＢ技术制备所需ＮＮ￣＋Ｐ￣－基片，设计了合适的工艺流程，制备出１０００Ｖ／２０Ａ的ＩＧＢＴ器件。最后给出测试结果。
The structural desig......
本文提出一种新型横向绝缘栅双极晶体管／横向扩散ＭＯＳ混合晶体管（ＬＩＧＢＴ／ＬＤＭＯＳ），在有非平衡电子抽出下截止瞬态响应的电荷控制模型，由考虑非准静态效应的......
NEC Electronics公司推出了利用0.25μm图画(有效尺寸0.18μm)沟道长度CMOS技术设计的三种ASIC新产品,用户可以在一块芯片上使用C......
在表层硅厚度为１８０ｕｍ的ＳＩＭＯＸ材料上，用局部增强氧化隔离等工艺研制了沟道长度为２．５μｍ的全耗尽ＣＭＯＳ／ＳＩＭＯＸ器件。该工艺对边缘漏电的抑制及全耗尽结构对背沟漏......
本文研究了n型硅阳极化的高选择和自终止工艺，并将该工艺用于形成多孔氧化硅全隔离SOI结构．采用这种FIPOS（FullIsolationbyPorousOxid......
本文针对衬底正偏的ＭＯＳＦＥＴ的解析模型进行了讨论．在已有ＭＯＳＦＥＴ理论基础上，仅引入一个参数ξ，便得到了全偏压范围的ＭＯＳＦＥＴ的解析表达式的通式．当ξ＝１时，该表达......
采用ＳＩＭＯＸ和ＢＥＳＯＩ材料制作了ＣＭＯＳ倒相器电路，在２５～２００℃的不同温度下测量了ＰＭＯＳ和ＮＭＯＳ的亚阈特性曲线。实验结果显示，薄膜全耗ＳＩＭＯＸ器件的阈值电压和泄漏电流随温度的变......
对ＳｉＯ２／Ｓｉ３Ｎ４复合栅结构Ｌ８２Ｃ８７电路的电离辐射效应、退火特性及损伤机理进行了研究，探讨了用ＳｉＯ２／Ｓｉ３Ｎ４复合栅结构对大规模集成电路进行抗辐射加固的可行性。
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采用全耗尽CMOS／SIMOX工艺成功地研制出了沟道长度为0．5μm的可在1．5V和3．0V电源电压下工作的SOI器件和环形振荡器电路．在1．5V和3．0V电源......
深亚微米工艺的日趋成熟为电子设计自动化（ＥＤＡ）提供了空前广阔的空间，也使之面临许多崭新的课题，其中，最引人注目的是快速电路模拟技术和互......
提出一种新型的Ｐ阱ＮＭＯＳ功率集成电路制作技术。理论分析表明，该技术可以较好地实现ＶＤＭＯＳＦＥＴ与Ｐ阱ＮＭＯＳ电路的兼容集成。实验结果表明，利用该技术获得的器......
本文介绍了一种带预处理电路的ＣＭＯＳ四象限模拟乘法器，对其预处理电路（有源衰减器及电平位移电路）和乘法器核心电路的非线性误差作了详细的......
ＳＯＩ材料技术的成熟，为功耗低、抗干扰能力强、集成度高、速度快的ＣＭＯＳ／ＳＯＩ器件的研制提供了条件。分析比较了ＣＭＯＳ／ＳＯＩ器件与体硅器件的差异，介绍了国外薄......
建立了一种新的功率ＭＯＳＦＥＴ等效电路，以便利用先进的电路模拟软件ＰＳＰＩＣＥ对功率ＭＯＳＦＥＴ所有特性进行模拟和分析．对ＩＲ公司的各类ＨＥＸＦＥＴ进行的模拟结果与其数据手册中......
进入转折点的光刻技术ＰａｕｌＣａｓｔｒｕｃｉ，ＷｏｒｔｈＨｅｎｌｅｙ，ＷｏｌｆｇａｎｇＬｉｅｂｍａｎｎ著，ＰａｕｌｃａｓｔｅｕｃｃｉａｎｄＡｓｏｃｉａｔｅｓＩｎｃ，Ｃａｍｂｒｉｄｇｅ，ｍａｓａｃｈｕｓｅｔｓ立文译在更小图形尺寸和更大片子直径的不断驱动...
Photolithography at the turning point Paul Casstr......
本文描述了一种微电子工艺制造中的切割曝光技术，用这一技术在一台Ｇ线投影曝光机上制备出深亚微米图形．由此进一步研制成功０．２５μｍＰ＋多晶硅栅......
本文采用数值模拟方法，在考虑短沟效应、开态电流、关态电流和开路电压增益等因素的基础上，首次给出ＧＣＨＴ低压工作下（０．８Ｖ）的设计容区图，清晰地反......
提出了一种新型的ＭＯＳ栅控晶体管——ＭＯＳＧＣＴ。该结构在ＤＭＯＳ的一侧引入一个ＮＰＮ 晶体管，使之在正向时具有ＤＭＯＳ与ＮＰＮ 双极晶体管的混合特性，在关断时具有与ＤＭＯＳ相似的......
本文讨论了一种SOI退火推进型栅控混合管（DGCHT）的设计与制备．实验结果表明，这种混合管与以前提出的混合管相比，可在不需要亚微米工艺情......
本文在分析ＦＤＳＯＩＭＯＳＦＥＴ特殊物理结构的基础上提出了一个新的适用于深亚微米器件的强反型电流物理模型．模型包括了大部分的小尺寸器件效应如迁移......
研制出了在４００ＭＨｚ下连续波输出２５０Ｗ，功率增益１０ｄＢ的垂直双扩散场效应晶体管（ＶＤ－ＭＯＳＦＥＴ）．采用Ｍｏ栅降低串联电阻，４００ＭＨｚ下用共源推挽结构成功地进行了并联工作，在Ｖｄｓ＝５０Ｖ下实现了连......
利用器件模拟手段对深亚微米ＭＯＳＦＥＴ的衬底电流进行了研究和分析，给出了有效沟道长度、栅氧厚度、源漏结深、衬底掺杂浓度以及电源电压对深......
本文提出了一种用实验设计与模拟相结合对ＣＭＯＳ集成电路参数进行统计优化设计的方法，分析工艺因素设置及其起伏对电路参数的影响，建立起电......
介绍了薄膜晶体管（ＴＦＴ），特别是ｐ－Ｓｉ（多晶硅）ＴＦＴ矩阵寻址液晶显示器的工作原理、结构、特点、制作工艺和电学特性，对器件参数的选择进行了分析
The ......
美国德克萨斯仪器(TI)公司正在致力于开发0.12μmCMOSLSI实用制造技术,这种CMOS LSI的有效沟道长度仅为0.07μm。如能按计划实施......
本文介绍了高阻抗复合管的研制过程，包括结构多数的设计，工艺设计，以及研制结果。
This article describes the development of high......
以普通长沟道MOSFET的电流模型为基础 ,推导出RG—MOSFET一级近似下电流模型的解析表达式 .并对其物理机制进行了分析讨论
Based ......
碳的加入改进了锗硅材料的性能 ,同时也为半导体器件的研制开发创造了条件 ,增加了硅基器件设计的灵活性。本文介绍了 Si Ge C材料......
分析了槽栅器件中的热载流子形成机理 ,发现在三个应力区中 ,中栅压附近热载流子产生概率达到最大 .利用先进的半导体器件二维器件......
综述了近年来MOSFET的热载流子效应和可靠性问题 ,总结了几种热载流子 ,并在此基础上详细讨论了热载流子注入 (HCI)引起的退化机制......
本文简述了引起第一次电子革命的半导体集成电路的发展及将要引起第二次电子革命的半导体功率器件及功率集成电路的发展。在后一部......
