闩锁效应相关论文
介绍了一种通过因果图及DOE（试验设计）对ESD及LU测试中出现的复杂失效问题进行快速分析定位的方法。该方法通过因果图的制定,全面建......
功率半导体作为半导体行业中稳定的一部分,其发展十分重要。而其中绝缘栅双极型晶体管（IGBT）器件,作为结合了功率金属氧化物半导体场......
横向双扩散MOSFET(LDMOS)由于其高击穿电压特性而被认为是适合在高压中应用的防止静电放电(ESD)现象的保护器件.在传统结构中,LDMO......
随着半导体制造工艺的不断进步,芯片的物理尺寸越来越小,静电放电（Electrostatic Discharge,ESD）成为造成半导体器件失效的主要原因......
本文结合典型硅基半导体集成电路的失效电路分析,讨论了闩锁效应、过电应力、静电应力等常见失效机理对硅基半导体集成电路的影响.......
CMOS电路的引出端(包括输出、输入、电源端和地端)受到外界电压电流信号的触发,容易产生闩锁效应,闩锁效应不但是CMOS电路的主要失......
提出一种VDMOS与低压控制电路之间抗串扰的新隔离结构。通过二维器件仿真软件MEDICI验证,能够有效防止VDMOS漏极反偏造戍的衬底电......
本文介绍了国产大规模抗辐射专用门阵译码电路的设计及研制过程，并给出部分设计参数和工艺参数及抗辐射指标。
This paper introdu......
本文介绍了可用于高速、高性能抗辐照专用集成电路设计的１．５μｍ薄膜全耗尽ＣＭＯＳ／ＳＩＭＯＸ门阵列母版的研制．较为详细地讨论了ＣＭＯＳ／ＳＩＭＯＸ门阵列基本阵列单元、输入......
采用具有高导热、高绝缘等优异物理性能的金刚石膜作为绝缘理层，利用金刚石膜上的薄层硅（SOD）技术，制作了54HCTO3CMOS／SOD结构的集成电......
采用全耗尽CMOS／SIMOX工艺成功地研制出了沟道长度为0．5μm的可在1．5V和3．0V电源电压下工作的SOI器件和环形振荡器电路．在1．5V和3．0V电源......
本文介绍抗单粒子辐射加固的１ＫＣＭＯＳＳＲＡＭＬＣ６５０８电路，对该电路进行了单粒子辐射试验，并就试验结果进行了讨论。
This article describes the 1KCMOSSRA......
常规的体硅基础电路通常只能工作在２００℃以下，ＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ－Ｏｎ－Ｉｎ－ｓｕｌａｔｏｒ）电路的突出特点之一是可以工作在高温环境。简述了市场对高温电路的需求，并分析了ＳＯＩ电路在高......
围绕传统型横向高压器件ＬＩＧＢＴ存在的关断时间较长和闩锁电流密度较小等缺点，本文对近年来提出的一系列新型结构的ＬＩＧＢＴ作了较系统的分析与对比......
SOI——突破硅材料与硅集成电路限制的新技术与体硅材料和器件相比,SOI具有许多独特的优越性,例如高开关速度、高密度、抗辐照、无......
设计了一种新颖的CMOS无稳态多谐振荡器 ,克服了传统设计中时钟占空比依赖于工艺参数的缺陷 .改进的设计不仅能产生占空比为 5 0 %......
高端变频空调在实际应用中出现大量外机不工作,经过大量失效主板分析确认是主动式PFC电路中IGBT击穿失效,本文结合大量失效品分析......
非对称双向可控硅(ADDSCR)是在考虑了保护环结构之后,为使I-V特性曲线对称而设计的非对称结构,但是其维持电压较低,容易闩锁.为了......
基于单粒子效应脉冲激光实验装置,开展了90 nm互补金属氧化物半导体静态随机存储器的单粒子翻转和闩锁效应实验,并给出了器件单粒......
与体硅材料和器件比较，SOI具有许多独特的优越性，例如高开关速度、高密度、抗辐照、无闩锁效应等，因而被称为二十一世纪的微电子技术......
本文介绍了用新的多接触点测试结构证头三维CMOS闩锁效应的实验,并对宽实验器件的中心部分做了一定分析,可得到与数值模拟相符合的......
目前,Supertex 公司正在制作一种可处理高达400V 电压的CMOS IC.该电路采用一种结隔离工艺.用此工艺提高了结的雪崩击穿电压,同时......
一、引言 由于半导体器件抗核加固研究工作的需要,应用计算机模拟分析半导体器件的辐照效应不仅能节约大量资金,而且能缩短抗核加......
利用LSTRAC-2对CD4007电路进行瞬时辐照效应模拟,分析了模拟中用到的有关参数的提取方法,对模拟的电路样品进行了瞬态辐照实验,并......
本文提出CMOS IC闩锁模式,较为详细地讨论了出现闩锁现象的整个过程,并以此提出改进方法以及如何恒定CMOS IC的抗闩锁能力,其结论......
为了预测体硅OMOS电路中闩锁效应发生的条件,本文开发了一个改进的集总参数模型,以计算闩锁的维持特性与静态触发特性;提出了一个......
本文从VLSl CMOS倒阱意义出发,结合我所中能离子注入的双电荷产生及其应用研究,介绍了在NV—3204注入机上实现近400keV的B受主高能......
由于SOI器件较小的灵敏体积,使得它的抗SEE能力明显好于体硅(Bulk)器件;衬底与顶层器件的绝缘,不但彻底消除了单粒子闩锁效应(SEL)......
目前多数研究人员主要从电路分析角度研究CMOS器件闩锁效应，缺乏对该失效现象触发机理的研究。针对该现状，从半导体器件物理的角......
本文提出了一种新型空穴旁路TIGBT器件。在传统TIGBT的基础之上，新结构采用槽型发射极并在金属发射极下引入一层P+空穴旁路区。仿真......
随着器件特征尺寸越来越小，CMOS集成电路的闩锁效应越来越显著。本文根据P衬底N阱工艺中的四端pnpn结构，详细地解释了闩锁效应的形成......
存储集成电路,常称存储器,俗称记忆块。根据工作原理分类可以分为随机存储器RAM与只读存储器ROM等。其中RAM是一种随机读写存储器(......
本文对CMOS集成电路中寄生可控硅的触发机理、闩锁特性的测量和分析、闩锁效应的预防等方面进行讨论,并以两个具体事例说明CMOS电......
由于SOI材料具有自隔离,体漏电小,寄生电容小,抗辐射,无体硅闩锁效应等特点,被公认是21世纪替代体硅的新型信息材料.本文主要......
传统 LVTSCR的维持电压过低,器件容易受到闩锁效应的影响而无法正常关断.为了提高传统 LVTSCR 的维持电压,基于 0.18μm BCD工艺,......
与体硅材料和器件比较，ＳＯＩ具有许多独特的优越性，例如高开关速度、高密度、抗辐照、无闩锁效应等。因而被称为２１世纪的微电子技术而引起人......
绝缘栅双极型晶体管(IGBT)由于具有开关速度快、功率损耗低、电流密度高以及易于控制和驱动等优点，在电力电子领域有着广泛的应用。......
功率集成电路在大量的消费电子产品中发挥着越来越重要的作用，面向消费电子应用需求的功率器件和功率集成电路技术成为当前微电子领......
SOI(Silicon On Insulator)技术被誉为二十一世纪高速、低功耗的硅集成电路主流技术，是功率集成电路(Power Inegrated Circuit，PIC)......
该文系统地研究了超高速FFT芯片版图设计的过程及要点.首先对于标准单元库及其建立做了简略的回顾.在对自顶而下的ASIC设计方法学......
