电迁移相关论文
随着我国经济的飞速发展和工业规模的不断扩大,大量煤炭燃烧产生的氮氧化物带来酸雨、灰霾等大气污染问题,对人与自然的和谐造成了......
目前,常用的一种微互连方法是BGA技术。随着无铅化的提出,BGA焊球所使用的Sn Pb钎料逐渐被无铅钎料所取代,常用的一种钎料是Sn-3.0......
随着超大规模集成电路(VLSI)工艺的发展及低介电常数(k)材料的引入,芯片及测试结构对于水汽侵入的影响愈加敏感,从而对Cu互连可靠......
近年来,随着全球无铅化推进,Sn-3.0Ag-0.5Cu（SAC305）钎料因其良好综合性能成为传统Sn-37Pb材料的替代品之一。然而,SAC305钎料焊点界......
研究了采用电解精炼法制备高纯铟.在电流密度50 A/m2、极距80 mm恒定条件下,考察了电解时间、硫酸铟浓度、电解液pH对电解液中Pb2+......
三维电子封装作为最新一代的封装技术,促进了整个封装行业的发展。TSV技术作为三维电子封装的关键核心技术,其可靠性和寿命直接影......
现代微电子封装系统中,由于电子封装层级繁杂、整体结构密集、涉及到的材料范围广泛,导致任何一个环节出现可靠性问题都有可能使得......
电化学方法可以用来对含有氯离子的混凝土进行脱盐.电流密度的大小和环境温度的高低是影响电化学脱盐效率的主要因素,过大的电流密......
随着3D封装技术及功能器件封装产业的发展,In-Sn基钎料具有广泛的应用前景。但是该类钎料耐电性较差,在长期的应用中,存在爬铟的现......
学位
多价态的钙钛矿过渡族金属氧化物(ABO3-x)因其关于氧的化学计量学迷人的物理性质而受到了持续的关注。通过调节钙钛矿氧化物中过渡......
Sn-10Bi钎料由于Bi原子的固溶强化而拥有很高的强度,且熔点接近Sn-Ag-Cu钎料,因此本论文将Sn-10Bi钎料作为研究对象。同时,研究发......
随着电子封装发展趋于微型化,由倒装芯片封装的电迁移失效而引起的可靠性问题日益严重.运用ANSYS软件建立了倒装芯片三维封装模型,......
在全球信息化产业快速发展的今天,集成电路中元器件的数目以超出摩尔定律的速度快速增长,以满足电子产品小型化及多功能化的特点。......
焊点在电子产品中起着电气互联和机械互联的双重作用，焊点的可靠性问题决定了整个电子产品的可靠性。电子产品的微型化和多功能化需......
静电放电(ESD)、铝腐蚀和电迁移是几类导致半导体器件失效的原因,由于这几类因素导致的失效是一种潜在的、进行性的失效,具有一定......
研究了再碱化过程中钢筋电极和辅助电极之间Li+的传递过程.通过检测不同条件下该离子在混凝土中的浓度变化和在混凝土中的滞留量,......
在利用电迁移现象制备铝纳米线的过程中, 铝纳米线的生长位置取决于铝原子的积聚位置。为实现铝原子积聚位置控制, 基于纳米压痕技......
为了研究球栅陈列封装(ball grid array,BGA)焊点在高温、高电流密度条件下的电迁移损伤演化行为,基于COMSOL Multiphysics 5.5软......
文中根据近两年来国内无铅钎料研发过程中存在的问题,简要评述了无铅钎料的研究进展及发展趋势,并着眼于焊点可靠性对无铅钎料进行......
采用熔炼法制备Ni-9Al(摩尔分数,％)合金和纯Ni,然后组成Ni/Ni-Al/Ni FCC单相扩散偶在放电等离子烧结炉中进行扩散退火,结合电子探针......
目的,研究不同强度恒定磁场下杂色曲霉对PCB-Cu的腐蚀行为与机理。方法,对PCB-Cu试样表面喷涂孢子悬浮液,沿垂直于试样表面方向分......
基于界面迁移经典理论,建立了相应的有限单元法,对电场诱发内连导线中晶内微裂纹的形貌演化做了大量的数值模拟,主要探讨界面之间......
锂同位素(6Li和7Li)在核工业中有着重要作用。锂汞齐法是目前唯一实现锂同位素工业化生产的方法,然而由于汞的使用,该方法具有较大......
电迁移（Electromigration）是电流驱动的物质传递过程，它是造成凸点失效的主要原因之一。如今随着器件小型化的趋势，凸点的特征尺寸急剧......
功率器件或大规模集成电路中,当电流密度达1×10~6A/cm~2时,电迁移将引起铝金属化层开路失效。 电迁移是在外加直流电场作用下,金......
昭和电工和日本产业技术综合研究所近日宣称开发出了完全不含氯化合物的环氧化合物,该化合物作为导电性黏合剂使用时可长期保持出......
在甲酸(α相)和氢氧化钠(γ相)缓冲液形成的移动反应界面的基础上,提出了一种衍生移动反应界面模型。模型表明在α相和γ相之间会......
综述了近年来微波ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ可靠性的研究进展。重点介绍了影响其可靠性的因素如栅肖特基结和源／漏欧姆结的相互扩散及表面效应等。
The rese......
本文介绍了用测试结构做的Ａｌ－Ｓｉ（１％）互连线的电迁移加速寿命试验。加速温度为１７５℃，电流密度为１－３×１０６Ａ／ｃｍ２。观察到线条的不同几何因素（长、宽、厚），不同的溅......
4．几何形状导线的几何形状一尺寸、转角数目、台阶覆盖以及同一条线上宽度的变化对电迁移特性也有重要的影响。其中尺寸的影响在前......
一、引言电迁移是指导电材料在电流的作用下产生的物质输运现象，它是引起集成电路失效的一种重要机制。在大电流密度下，由于电迁移作......
摩托罗拉公司声称在SRAM性能方面有了新的突破,利用铜制互连技术与具有领先优势的CMOS技术连接。摩托罗拉公司展示了新型高速的集......
本文讨论了集成电路芯片中单一压焊块树形结构电源／地线网络的线宽设计给定电源（地）线的布线拓扑结构，在满足最大可允许电压降、最小工......
０１７ ＭＯＳＦＥＴ区柱状焊块引起的器件退化和退火对退化的影响（Ｄｅｖｉｃｅ Ｄｅｇｒａｄａｔｉｏｎ Ｄｕｅ ｔｏＳｔｕｄ Ｂｕｍｐｉｎｇ Ａｂｏｖｅ ｔｈｅ ＭＯＳＦＥＴ Ｒｅｇｉｏｎ ａｎｄ ｔｈｅＥｆｆｅｃｔ ｏｆ Ａｎｎｅａｌｉｎｇ ｏｎ ｔｈｅ Ｄｅｇ
017 Device Degradation Due to Random Bumping Above t......
随着ＶＬＳＩ技术的发展，电迁移已成为集成电路最主要的失效原因之一，其可靠性评估技术也显得愈加重要。要改进该技术，不仅需要确定可靠性物理......
提出了受电迁移影响且适用于超微盘电极的准稳态线性扫描伏安电流方程，考察了各种价态的离子在不同浓度的支持电解质中电迁移对伏安......
135 GaAs MMIC中基于Si3 N4的电容器的TDDB模型（A TDDB Model of Si3N4 Based Capacitors inGaAs MMICs）-1999 International Reliab......
对IR-drop和EM现象进行了解释和分析,结合地面数字电视基带调制器芯片的设计,将标准单元区域简化为电源电阻网络进行建模,根据模型......
研究了在0.6×10~4A/cm~2电流密度下,A1_2O_3颗粒对Cu/SAC-A1_2O_3/Cu焊点基体组织及界面金属间化合物(IMC)层的影响规律。结果表......
Synopsys公司日前推出全新的Galaxy~(TM) SI,用于解决串扰延迟、噪声干扰,IR(电压)下降以及电迁移等问题,这是一项内置在Galaxy设......
本文测量了钆的α及β结晶形中碳、氮和氧的电迁移速度。测量在1050、1125、1200及1265℃下进行。所有这三种溶质迁移的方向与电子......
前言对高性能器件的需求使得在半导体制造中推介新型材料的速度大大加快了。事实上，铜、钽基阻挡层、低k电介质以及碳化硅蚀刻停止......
电迁移失效是影响大规模电路可靠性的一个重要因素,通过电迁移的可靠性实验可以评估它的寿命。本文介绍了三种不同的评估方法,比较......
