金属互连相关论文
MnCo2O4 尖晶石，形成保护的涂层由大音阶的第五音胶化过程使用了的 MnCo2O4 的最好的线路，和它中间的温度氧化行为上的效果的传导性......
随着芯片制程中互连线尺寸的不断减小,集成电路技术已经从以晶体管为中心的时代发展到以互连为中心的时代。传统的互连金属——铝......
该论文在简要介绍电迁移失效机理、噪声理论和l/f信号表征方法的基础上,对各种电迁移可靠性实验评估方法(传统的寿命测试法、电阻......
随着现代电子技术的飞速发展，集成电路的小型化趋势越来越明显，器件特征尺寸向着超深亚微米甚至纳米量级发展，互连线单位面积上承载的......
集成电路(IC)技术的快速发展对金属互连技术提出了更高的要求.传统的Al金属互连技术已经不能满足现代互连技术发展的需要,大马士革......
在简要介绍电迁移失效机理的基础上,对各种电迁移可靠性实验评估方法的特点进行了分析对比,重点研究了VLSI金属互连电迁移可靠性的......
对VLSI的金属互连线实施高应力下的加速寿命试验和常规应力下的噪声频谱测量,得到了金属薄膜1/fγ噪声的频率指数γ在电迁移演化过......
本文基于超大规模集成电路特征尺寸进入超深亚微米层次下的金属互连(interconnects)特性,研究并提出了布局布线优化步骤:局部布局......
在超大规模集成电路工艺中，有着极好热稳定性、抗湿性的二氧化硅一直是金属互连线路间使用的主要绝缘材料，金属铝则是芯片中电路互连......
随着芯片尺寸的微缩，一些物理极限通常会从根本上对材料和工艺的功能产生限制。就光刻而言，曝光波长限制了投影图形的尺寸；在栅氧化层......
CMUT面阵上电极引线随着阵列数目的增多越来越难实现,根据这一情况提出使用硅通孔互连的方法将上电极引到器件背面,通过通孔和微凸......
采用拟合的方法,并利用DESTIN测试系统,研究了集成电路金属布线电阻与温度的关系;探讨了不同材料、不同尺寸和不同结构金属布线的......
金属-绝缘层-金属（Metal-insulator-Metal,MIM）电容在模拟和射频集成电路中有重要的应用需求。该结构的存在,对底层金属连线的光刻工......
金属薄膜互连的电迁移现象是VLSI最重要的可靠性问题之一。然而,常规的电迁移评价方法均需要较长的试验周期,而且具有一定的破坏性......
纳米压印作为下一代图形转移技术之一,由于其成本低、产出高、保真度好等优势脱颖而出。基于假塑性银纳米颗粒流体的纳米压印技术......
菲利浦半导体公司宣布了一项硅BICMOS工艺技术，用此技术可生产fm。高达70Gllz的产品。这个fffi从约是以前硅器件产品的2倍，可和SIGe......
通过对超大规模集成电路金属互连进行电迁移加速寿命实验和不同电迁移损伤程度的金属薄膜电阻及1/fγ噪声的测量和分析,得到了1/f......
最初认为金属间化合物“紫斑”是引起Au—Al焊接损坏的原因。在温度和应力条件下,金和铝之间扩散速度微差产生“Kirkendall空隙”......
砷化镓微波单片集成电路(GaAs MMIC)是应用于高频、高速、高功率环境下的集成电路,它的主要制造工艺有：异质结双极型晶体管(HBT)、......
针对等离子刻蚀AlSiCu表面质量差、易被腐蚀、铜残留等问题,对采用等离子刻蚀的圆片进行烘焙以及使用混合溶液对圆片进行处理等方......
随着电子器件向深亚微米量级发展，超大规模集成电路互连线截面积越来越小，其承受的电流密度急剧增加，电迁移引发的失效越来越显著，引起......
随着VLSI特征尺寸向着深亚微米级甚至纳米尺度发展，其互连线截面积越来越小，其承受的电流密度大幅度增加，电迁移引发的失效越来越显著......
阐释3D集成技术的发明创意,分析2D-IC互连瓶颈的挑战,例示3D-IC的优点,详论3D集成工艺技术的发展,简介3D集成设计技术,研究结论是3......
