低K材料相关论文
以p型硅片为衬底,经过旋涂固化制备低介电常数(低k)材料聚酰亚胺。经过化学机械抛光(CMP)过程,考察实验前后低k材料介电性能的变化......
半导体工艺中对低k介质材料的精确表征是工艺监控的重要环节，传统方法如扫描电子显微镜和透射电子显微镜存在耗时长和破坏性等缺点......
“理论上k的最小值是1，空气就是终极低k材料，这使得airgap（空气隙）成为每个互连研究人员的梦想。但是它们会成为一个美梦还是梦魇，将取......
在室温下以C4F8和CH4为前驱气体，用电子回旋共振化学气相沉积（ECR-CVD）的方法生长了氟化非晶碳（α-C：F）薄膜。通过傅立叶变化红外光谱分......
在超大规模集成电路工艺中，有着极好热稳定性、抗湿性的二氧化硅一直是金属互连线路间使用的主要绝缘材料，金属铝则是芯片中电路互连......
三菱电气(Mitsubishi Electric Corp．)日前宣布，其已开发出一种低绝缘值，且比现有材料更耐用的绝缘材料。据介绍，这种绝缘材料的耐用性......
详细介绍了几种可用于超大规模集成电路的低介电常数有机薄膜材料 ,比如聚酰亚胺类有机薄膜、聚对二甲苯类有机薄膜和聚烯链类有机......
低k(介电常数)介质材料替代传统SiO2作为互连金属介电层是集成电路发展的必然趋势。总结了低k材料性能基本要求及制备方法,重点探......
在旧金山召开的国际电子器件会议（IEDM）上，贝尔实验室的研究者们报告了一种新颖的具有广阔前景的低K材料——氟化非晶碳（a-C：F）。该材料......
阐述了低k材料在IC电路中的作用及其性质,以SiO2、SiOF、SiOCSP、SiOCNSP、Si-OCSO五种材料为研究对象,分析了低k材料与Cu互连工艺......
对穿透硅通孔(TSV)互连结构的湿-热应力问题进行了有限元分析。首先模拟了在二氧化硅和氢基半硅氧烷(HSQ)低k材料TSV互连结构在回......
详细介绍了几种可用于超大规模集成电路的低介电常数有机薄膜材料 ,比如聚酰亚胺类有机薄膜、聚对二甲苯类有机薄膜和聚烯链类有机......
当CO2温度和压力同时高于其临界值(TC=31.1℃、Pc=7.38MPa)时,称之为超临界CO2(scCO2)。CO2无毒、不易燃、无污染,而且价格便宜,是......
