抛光液相关论文
氮化镓（GaN）因其良好的物理性质和化学特性,被广泛应用在微电子和光电子器件中,是现今集成电路产业中至关重要的第三代半导体材料。......
单晶硅是半导体工业技术发展的核心,广泛应用于集成电路制造业,其表面质量对半导体器件的性能有重要的影响。化学机械抛光（CMP）技术......
通过湿固相机械法制备CeO2悬浮液。在不同温度下焙烧Ce2（CO3）3制备CeO2粉末，以无机酸作为分散剂，采用湿式球磨的方法进行CeO2的分散，分......
随着集成电路的快速发展,技术节点不断缩小,金属布线越趋复杂,互连金属的物理性能要求也越来越高。铜具有低的电阻率和优越的抗电......
该文研究了化学机械抛光（CMP）条件下，锗单晶在含HNO3的SiO2抛光液中的腐蚀过程。通过改变抛光时间，分析锗单晶表面状态的变化规律。结......
化学机械平坦化(Chemical mechanical planarization,CMP)是芯片制造中的关键技术,用于实现多种结构表面纳米级别的超精细平坦化.......
光学石英玻璃具有紫外透过率高、耐损性好、内部缺陷小和化学性质稳定等优点,被广泛应用于军工、航天和空间探测等领域,同时也是显......
简介了蓝宝石化学机械抛光(CMP)的基本原理,从磨料、pH调节剂、表面活性剂、配位剂和其他添加剂方面概述了近年来蓝宝石CMP体系的......
氮化镓(GaN)因具有耐酸碱、硬度大等特点使其难以进行精密加工.因此,高效实现GaN的化学机械抛光(CMP)成为了一个技术难题.CMP过程......
钴(Co)的化学机械抛光(CMP)要求有较高的去除速率(大于100 nm/min)和洁净平整的表面.采用新型弱碱性抛光液,研究不同成分(如过氧化......
期刊
碳化硅是一种具有代表性的第三代半导体材料,在现代电子信息产业中占有重要的地位。但是碳化硅硬度大、脆性高、具有化学惰性等特......
为提高硅晶片双面超精密抛光的抛光速率,在分析双抛工艺过程基础上,采用自制大粒径二氧化硅胶体磨料配制了SIMIT8030-Ⅰ型新型纳米......
Influence of temperature on chemical mechanical polishing removal rate of sapphire substrate for GaN
化学机械抛光技术可用于生产高质量的加工表面。在蓝宝石衬底CMP过程中高的抛光速率及好的表面质量是最终的目标。在抛光液及抛光......
本文介绍了使用EP-268电化学抛光液,对大面积不锈钢工件进行电化学抛光的工艺.该工艺解决了常规电化学抛光工艺存在光泽不均匀,漏......
硅抛光片表面质量除了受抛光工艺参数影响外,在很大程度上还受抛光液的影响。通过检测表面Haze值和粗糙度,研究硅抛光片表面形貌,......
本文利用单因素及正交试验探究磨粒种类、抛光液pH值、表面活性剂种类、磨粒粒径对C面蓝宝石化学机械抛光材料去除率的影响,试验结......
为了配制适用于JGS1光学石英玻璃超声波精细雾化抛光的特种抛光液,以材料去除率和表面粗糙度为评价指标,设计正交试验探究抛光液中......
采用高纯度纳米金刚石粉体作为研磨剂，选择合适的分散介质，并加入表面活性剂，超声分散后再经离心处理制成了油基纳米金刚石抛光液。对......
随着我国工业化步伐的不断加快,氟化镁晶体在光学陶瓷及玻璃、红外元件等高技术领域得到了广泛的应用。氟化镁晶体的光学性能主要......
随着计算机磁头与磁盘间间隙的不断减小 ,硬盘表面要求超光滑。制备了一种纳米SiO2 抛光液 ,并研究了镍磷敷镀的硬盘基片在其中的......
化学机械抛光(CMP)是迄今为止惟一可以在蓝宝石大规模生产中应用的抛光方法,然而,CMP在应用中还存在一些问题:抛光速率低,导致生产......
磁性复合磨粒化学机械抛光(Magnetic Composite Abrasive Chemical Mechanical Polishing,MCA-CMP)是一种新型化学机械抛光技术,它......
化学机械抛光(CMP)技术几乎是迄今为止唯一可对硅衬底及集成电路互连结构提供全局平面化的的技术。复合磨粒化学机械抛光(CP-CMP)......
关节轴承具有在重载荷、大转矩等工况环境中高效运转的特点,因而被广泛应用于高铁列车中。这种使用要求苛刻的多因素条件,极易造成......
由于LED用蓝宝石衬底材料的加工质量直接影响器件的透光率、优品率、可靠性、综合成本和产品竞争力,目前,对其加工效率和精度的要......
硅通孔(TSV)技术是一种先进的封装技术,化学机械抛光(CMP)是集成电路TSV制作过程中的重要步骤之一,是可兼顾材料表面局部和全局平......
山特维克合锐研发了一种新型HYPERIONTM金刚石微粉并采用此种微粉配制金刚石研磨抛光液,目的是改善先进复合半导体材料(例如蓝宝石......
LBO晶体是非常重要的非线性光学晶体,而其精密抛光加工技术是其大尺寸应用的关键.固结磨料抛光技术把抛光粉固结在抛光垫中,采用不......
本文重点介绍水溶性金刚石研磨液的基本特点、常用规格及其应用领域、加工对象和加工机理，同时还介绍了作者研究成果及其应用情况。......
采用表面改性剂对纳米CeO2粒子进行表面改性，研究改性后的纳米CeO2粒子对磁流变抛光液的流变性能，包括沉降稳定性、零场粘度、磁致剪......
本文阐明了电流变抛光的现实意义,对抛光用电流变液进行了实验研究,利用由电流变液和微细磨料(AlO)混合配制的电流变抛光液对硬质......
为满足介质CMP对平整度、去除速率、良好表面质量的要求,对其抛光液主要成分硅溶胶的生长进行研究,做了一系列关于硅溶胶生长的实......
本文对目前超大规模集成电路钨化学机械抛光(CMP)原理及工艺的一些问题进行了分析,并对用于钨CMP的抛光液进行了研究.......
采用复配的表面活性剂及缓冲剂等多种成分组成的光亮剂和添加剂,应用于高硫酸、低硝酸钠为主体的铜及铜合金化学抛光溶液中,铜件抛......
采用AES（俄歇电子能谱）测试方法，分析了经过不同方法后步清洗工艺处理的GaAs抛光晶片表面态，结果表明，抛光晶片表面吸附物主要是与晶片......
金刚石具有优异的机械性能、热力学性能、光学性能、声学性能、半导体性能及化学惰性,作为一种全方位的多功能材料,在诸多领域具有......
碲锌镉（CZT）晶体是一种新型三元化合物半导体材料,其电阻率高、原子序数大、禁带宽度大,且随锌含量的不同,禁带宽度从1.4eV（近红外）至2......
磁流变抛光后的KDP晶体表面的残留物影响晶体的使用性能,晶体软脆、易潮解、易开裂的特点使其表面残留物难以去除。本文研究了抛光......
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