后清洗相关论文
阐述嵌入式非易失性存储器芯片制造流程中的多晶硅化学机械研磨(CMP)后清洗工艺对随后的多晶硅蚀刻工艺的影响。研究发现CMP的后清......
随着我国工业化步伐的不断加快,氟化镁晶体在光学陶瓷及玻璃、红外元件等高技术领域得到了广泛的应用。氟化镁晶体的光学性能主要......
研究的是ULSI镶嵌钨CMP的选择性 ,化学与机械作用匹配 ,浆料的悬浮及存放和后清洗等问题。
The study is about the ULSI mosaic ......
分析化学机械平坦化(CMP)耗材发展现状及趋势,推断450 mm晶圆的CMP设备及技术的迫切性;在此基础上,展望450 mm晶圆将会采用系统集......
从空化作用和声波流作用两方面对兆声清洗的物理原理进行深入分析,研究了兆声频率及功率对空化强度、边界层厚度、声波流速等关键......
太阳能电池工业化生产中采用前清洗工艺，可以有效地去除硅片表面的机械损伤层，清除表面油污和金属杂质，形成起伏不平的绒面进而增加对......
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随着极大规模集成电路(GLSI)特征尺寸不断缩小,杂质对器件性能的影响日益严重,对清洗的要求也不断提高。目前,清洗已成为集成电路......
从80年代开始,结合当时最具代表性的CMP设备,分析当时的后清洗技术,如:多槽浸泡式化学湿法清洗、在线清洗、200 mm集成清洗、300 m......
伴随着整个CMP工艺的进步,CMP后清洗工艺技术也日趋关键。分析了引起缺陷和玷污的因素、微粒去除的理论研究以及清洗的方案;在清洗......
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随着157nm紫外光刻技术的发展,氟化钙晶体已经成为了准分子光刻系统中非常重要的光学镜头材料,氟化钙晶体在157nm的光学性能依赖于......
