终点检测相关论文
晶圆广泛应用于电子电路与光学仪器等超精密加工及检测领域,其中膜厚与光学常数是晶圆膜的重要参数,对晶圆起决定性作用。目前仍然......
在不严重削弱工艺流程效率和生产率条件下,钢铁厂正面临着寻求降低CO2排放方法的挑战。论述了电炉炼钢工艺流程和高炉-转炉联合炼......
在不严重削弱工艺流程效率和生产率条件下,钢铁厂正面临着寻求降低CO2排放方法的挑战.论述了电炉炼钢工艺流程和高炉-转炉联合炼钢......
分析化学机械平坦化(CMP)耗材发展现状及趋势,推断450 mm晶圆的CMP设备及技术的迫切性;在此基础上,展望450 mm晶圆将会采用系统集......
化学机械抛光是晶片全局平坦化的关键技术,其中终点检测系统是影响抛光效果的关键。如果不能有效地检测抛光过程,便无法避免硅片产......
高密度等离子体刻蚀是当今超大规模集成电路制造过程中的关键步骤。随着集成电路中器件尺寸的缩小及器件集成密度的提高,对刻蚀过......
采用光学发射光谱(OES)原位检测技术,对等离子体刻蚀机中的等离子体状态进行实时监控,讨论了其在故障诊断、分类、刻蚀终点的判断......
为了均匀显影大幅面激光全息光刻胶板,获得最佳衍射效果,使用自动喷淋显影工艺技术。文章讨论了显影方法及工艺对显影槽深均匀性的......
化学机械抛光（chemical mechanical polishing, CMP）技术是目前集成电路制造中制备多层铜互连结构不可或缺的关键技术之一。在应用CM......
通过试验对比分析,发现由小波系数中的近似系数直接重构原信号的算法能更好地对旋转电弧信号去噪. 用组合滤波法对角焊缝和平板堆......
化学机械抛光是晶片全局平坦化的关键技术，其中终点检测系统是影响抛光效果的关键。如果不能有效地检测抛光过程，便无法避免硅片产生......
化学机械抛光（CMP）技术作为目前唯一可提供在整个晶圆片上全面平坦化的工艺技术,已被越来越广泛地应用到了半导体领域。介绍了CMP技......
化学机械抛光是硅片表面全面平坦化的核心技术之一,其中准确有效的终点检测是影响抛光效果的重要关键.若未能有效地监测抛光工艺过......
对等离子体刻蚀工艺过程中进行刻蚀的终点检测主要应用在以下两个方面：一是刻蚀穿透一种材料并在另一种材料的表面刻蚀过程终止．二是......
为了实现小弯曲角焊缝的跟踪及焊缝终点的检测,针对焊接电流中噪声的种类,使焊接电流经过空间中值滤波、均值滤波、阈值处理和线性......
高密度等离子体刻蚀是当今超大规模集成电路制造过程中的关键步骤.目前已经开发出许多终点检测技术.文章讨论了终点检测技术的原理......
本文叙述了等离子体接触刻蚀的精确就地检测法.这种电终点检测法提供了一个直流电流,该电流与总的开口接触面积成正比,而且信嗓比......
在蚀刻时会形成等离子体的蚀刻气体,他会蚀刻未受保护的区域。一旦检测到这一区域被刻蚀完成时,蚀刻反应马上被停止。这种停止刻蚀......
化学机械抛光（Chemical ＆ Mechanical Polishing,CMP）工艺已运用于微机电系统（Micro-Electro-Mechanical System，MEMS）中，并逐渐成为研制......
化学机械抛光是硅片全局平坦化的核心技术,然而在实用阶段上,这项技术还受限于一些制造系统整合上的问题,其中有效的终点检测系统......
首先介绍化学机械抛光(CMP)技术设备与消耗品,然后分别从晶片夹持技术、抛光盘温度控制、抛光垫修整机构、终点检测及CMP后清洗等......
建立了一种新的基于过程分析技术(PAT)和质量源于设计(QbD)设计空间的中药制药过程终点分析与控制方法.以近红外(NIR)光谱技术为PA......
概述了ITRS对铜互连工艺提出的要求及90～65nmCMP技术所面临的挑战,介绍了W熏STI熏Cu/低k材料CMP及其清洗和终点检测技术的发展现状,......
光学发射光谱(OES)诊断技术是高密度等离子体刻蚀工艺过程的关键技术,OES信号作为一种实时信号可以用来预测刻蚀过程的进展程度和......
在铜CMPI艺中，为了去除多余的铜金属而形成嵌入式铜互联结构，分别应用电磁和光学信号于第一和第二阶段的研磨终点控制。工艺如图1所......
化学机械抛光是晶圆全局平坦化的核心技术，其中有效的终点检测是影响抛光效果的关键。若不能有效地监测抛光过程，便无法避免晶圆抛光......
为了制作高速、高密度CMOS VLSI 电路,必须减小器件尺寸.但是,由于(?)沟道和p 沟道器件之间间距的限制,即若其间距太小,则会直接......
本文主要介绍了晶圆加工中的几何参数的纳米精度在线测量的原理、方法和测量仪器研究。针对化学机械抛光(CMP)中晶圆表面的金属膜......
