化学机械平坦化相关论文
互补式金属氧化物半导体（Complementary metal oxide semiconductor,CMOS）型图像传感器,即CMOS图像传感器（CMOS image sensor,CIS）在医......
化学机械平坦化（简称CMP）是现如今唯一可实现材料表面全局或局部平坦化的关键技术,其直接影响着集成电路多层铜布线结构的发展。阻挡......
随着GLSI的高度集成化和立体化,晶体管特征尺寸的不断缩小以及新材料的引入,对CMOS晶体管性能的要求不断提高。45nm及以下特征尺寸......
在多层铜布线化学机械平坦化（CMP）过程中,阻挡层抛光是比较重要和复杂的一步,其主要涉及到Cu、Ta、TEOS等多种材料的同时去除,且还需......
集成电路现处于极大规模（GLSI）发展阶段,传统的钨插塞已经无法满足器件的性能要求,钴（Co）材料由于具有较小的电阻率以及好的沟槽填充比......
化学机械平坦化(Chemical mechanical planarization,CMP)是芯片制造中的关键技术,用于实现多种结构表面纳米级别的超精细平坦化.......
化学机械平坦化（Chemical mechanical polishing or planarization, CMP）作为目前唯一可以实现平面平坦化的工艺技术,是集成电路制造......
近几年来,随着极大规模集成电路的飞速发展,工艺技术节点降至7 nm及以下,集成电路制造工艺越来越复杂。传统的插塞金属钨由于其沉......
集成电路（IC）工艺技术是推动我国集成电路不断发展的重要基础,化学机械平坦化（CMP）是IC制造的关键工艺之一,是目前唯一能够实现全局和......
研究了精抛液中各组分对Cu/Ta去除速率的影响。在分别考察磨料质量分数、Ⅱ型螯合剂、活性剂和双氧水等各组分对Cu/Ta去除速率的影......
作为集成电路制造中广泛应用的全局平坦化技术,化学机械平坦化利用化学腐蚀和机械磨削的协同效应实现最佳的抛光效果.随着晶圆尺寸......
为了有效控制铜互连阻挡层化学机械平坦化(CMP)过程中产生的碟形坑和蚀坑等缺陷,研究了在低磨料下柠檬酸钾(CAK)和FA/O Ⅱ络合剂协......
集成电路技术节点已经发展到14nm及以下,传统阻挡层材料(Ta/Ta N)出现与铜(Cu)的粘附性变差、可靠性降低等一系列问题已经无法满足......
随着集成电路发展到GLSI阶段,化学机械平坦化已成为微电子领域实现晶圆全局平坦化的唯一有效方法。双大马士革工艺电镀铜后晶圆表......
随着集成电路集成度的不断提高以及技术节点尺寸的逐渐减小,多层布线化学机械平坦化（CMP）已经成为微电子领域实现晶圆全局平坦化唯一......
集成电路(IC)是实现当今社会智能化和信息化的基础,化学机械平坦化(CMP)是IC制造的关键工艺之一,是目前唯一能够实现全局和局部平......
自进入10nm及以下技术节点,传统钨（W）插塞由于电阻率高已不能满足集成电路发展需求,可采用电阻率较低的钴（Co）材料（～6.64μΩ·cm）替代。......
该论文主要的研究内容包括:1、完成了CMP设备的机械结构和电气控制系统的设计,研制成功一台实验型的CMP设备.并使用该设备进行了二......
研究了浅沟槽隔离 (STI)工艺的各主要工艺步骤 :沟槽的形成、沟槽顶角的圆滑、沟槽填充以及化学机械抛光平坦化 .使用器件模拟软件......
金刚石磨料主要靠机械夹持力把持在金属(烧结或电镀)胎体中.由于这一弱点,在切割过程中,金刚石不可避免地会从胎体中脱落或掉出.此......
在低压无磨料条件下,利用碱性FA/O型螯合剂具有极强螯合能力的特性,对铜互连线进行化学机械平坦化,获得了高抛光速率和表面一致性......
金刚石磨料主要靠机械夹持力把持在金属(烧结或电镀)胎体中.由于这一弱点,在切割过程中,金刚石不可避免地会从胎体中脱落或掉出.此......
碱性条件下,非离子型表面活性剂在阻挡层化学机械平坦化中起着重要的作用.分别对阻挡层材料Cu、Ta以及SiO2介质进行抛光,然后测量......
为促进海峡两岸在平坦化技术方面的交流与合作，由中国机械工程学会摩擦学分会微纳制造摩擦学专业委员会主办、河北工业大学承办的20......
分析化学机械平坦化(CMP)耗材发展现状及趋势,推断450 mm晶圆的CMP设备及技术的迫切性;在此基础上,展望450 mm晶圆将会采用系统集......
金刚石磨料主要靠机械夹持力把持在金属(烧结或电镀)胎体中.由于这一弱点,在切割过程中,金刚石不可避免地会从胎体中脱落或掉出.此......
从空化作用和声波流作用两方面对兆声清洗的物理原理进行深入分析,研究了兆声频率及功率对空化强度、边界层厚度、声波流速等关键......
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金刚石磨料主要靠机械夹持力把持在金属（烧结或电镀）胎体中。由于这一弱点,在切割过程中,金刚石不可避免地会从胎体中脱落或掉出。此......
通过低磨料浓度下催化反应对铜膜抛光速率的影响,证实了纳米SiO2胶体作为催化反应物可以极大地提高铜膜表面的化学反应速率。通过......
通过研究微电子材料化学机械平坦化(CMP)加工过程中磨料颗粒在晶片加工表面的运动规律,得到磨料颗粒在晶片表面的运动轨迹方程.当......
为在包括 5-methyl-1H-benzotriazole ( TTA )的不同 pH 价值的 Cu 电气化学的机械 planarization ( ECMP )的电解质和材料移动机......
金刚石磨料主要靠机械夹持力把持在金属（烧结或电镀）胎体中。由于这一弱点,在切割过程中,金刚石不可避免地会从胎体中脱落或掉出。此......
罗门哈斯电子材料公司CMP技术事业部是全球半导体产业化学机械研磨技术的领先者。目前，该部门推出了一种新型铜阻挡层化学机械研磨......
致力于高级沉积、表面处理和化学机械平坦化工艺领域的生产力和技术领先企业诺发公司今年以强大阵容亮相于Semicon china 2005，表现......
对自主研发的多羟多胺络合剂（FA/O ）在硅通孔技术（Through-silicon-via,TSV）化学机械平坦化（chemical mechanical planarization,CMP）进......
采用由2．5％（体积分数，下同）硅溶胶磨料、1．5％H2O2、0．5％FA／O型螯合剂和1．0％表面活性剂组成的抛光液对铝栅表面进行化学机械平坦化处理。研究了......
研究了浅沟槽隔离（STI）工艺的各主要工步步骤：沟槽的形成、沟槽顶角的圆滑、沟槽填充以及化学机械抛光平坦化。使用器件模拟软件Medic......
探讨了集成电路铜布线与衬底碱性化学机械平坦化关键技术与材料项目的研发背景,针对理论研究的进展进行综述,指出了项目的创新之处......
分析了铜电连接在今后晶片制造中的主导作用，阐述了铜布线的结构，即在由钽作为阻挡层及采用电镀铜形成的电连接的情况下，抛光规律符合......
终点检测是化学机械平坦化的关键技术，它决定着理想的平坦运行的停止点，在以纳米级别的控制上．终点检测尤为重要。目前主要的两种终点......
针对CMP在低生产量及实验室条件下对真空供应系统的特别要求：（1）持续稳定的真空供应;（2）能够及时处理倒流液体;（3）真空电机不易长时间连续......
承载器作为化学机械平坦化设备的关键部件,其性能直接决定了晶圆抛光的质量。以实验的方式,分析了承载器吸附晶圆的残余真空效应,......
随着集成电路（IC）技术节点越来越严苛,对晶圆的局部和全局平整度提出了越来越高的要求,化学机械抛光技术（CMP）是满足晶圆表面形貌的关......
