【摘 要】
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对自主研发的多羟多胺络合剂（FA/O ）在硅通孔技术（Through-silicon-via,TSV）化学机械平坦化（chemical mechanical planarization,CMP）进行了应用研究。结果表明,FA/O 络合剂较其它
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对自主研发的多羟多胺络合剂（FA/O ）在硅通孔技术（Through-silicon-via,TSV）化学机械平坦化（chemical mechanical planarization,CMP）进行了应用研究。结果表明,FA/O 络合剂较其它常用络合剂在碱性CMP 条件下对铜有较高的去除速率,抛光液中不加FA/O 络合剂时,铜的去除速率仅为45.0 nm/min,少量FA/O 的加入迅速提高了铜膜去除速率,当FA/O 含量为50 mL/L时,铜去除速率趋于平缓。在TSV Cu CMP中应用表明,FA/O
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