随着极大规模集成电路(GLSI)特征尺寸不断缩小,杂质对器件性能的影响日益严重,对清洗的要求也不断提高。目前,清洗已成为集成电路制造过程中最重要的工序之一。颗粒能形成针孔、小岛等缺陷,造成器件短路、断路,严重影响器件性能甚至导致器件失效,是主要清洗对象之一。因此,颗粒去除的研究对于GLSI多层铜布线化学机械抛光(CMP)后清洗技术的发展、清洗剂的研发、确保CMP工艺的成功有着重要的意义。本论文系统地分析了CMP后清洗在集成电路制造过程中的重要地位,讨论了主流清洗技术的优势与缺点,结合集成电路行业对清洗的要求探讨了清洗技术发展趋势;并对CMP后清洗中常见的SiO2颗粒缺陷的吸附和去除机理做了系统的研究。重点研究FA/O螯合剂和活性剂在控制颗粒吸附、改变颗粒吸附状态及去除颗粒等方面的作用。本论文通过改变抛光液组分及相关抛光工艺参数等方法,研究其对Si O2颗粒吸附的影响,结果表明抛光液中硅溶胶含量越高、氧化剂含量越高,CMP后晶圆表面吸附的SiO2颗粒越多;活性剂含量越高、转速越高,晶圆表面吸附的Si O2颗粒越少。通过实验验证分析了清洗剂主要成分FA/O II型螯合剂和FA/O I型活性剂对颗粒的去除作用:FA/O II型螯合剂和FA/O I型活性剂均对颗粒清洗有促进作用,浓度越高,颗粒的清洗效果越好;清洗剂配比优化结果表明,当FA/O II型螯合剂浓度为100ppm,FA/O I型活性剂浓度接近3000ppm时,SiO2颗粒得到有效去除,且晶圆表面缺陷总数为946,接近工业应用要求。