锗单晶相关论文
该文研究了化学机械抛光（CMP）条件下，锗单晶在含HNO3的SiO2抛光液中的腐蚀过程。通过改变抛光时间，分析锗单晶表面状态的变化规律。结......
重掺杂半导体的反射率在最小反射率附近随入射波长的改变有较大的变化，而半导体材料的最小反射率波长λｍｉｎ决定于自由载流子浓度，故掺杂......
近日,北京有色金属研究总院研制成功了我国第一根直径18英寸(450毫米)直拉硅单晶和第一根直径12英寸红外光学锗单晶。直径18英寸......
前言大型半导体锗单晶是一种新材料,既硬又脆。它是金刚石型的六方晶格,材料硬度大于6,很难进行机械处理,目前的加工仅限于棒料的......
采用垂直梯度凝固(VGF)法生长单晶时,其温度梯度较低,生长速率较小,目前已成为生长大直径、低位错密度晶体的主流技术之一。在VGF......
近年来随着锗在航空航天、红外光学、国防工业等领域中发挥着越来越出色的作用，锗的需求量也日益增多。因此，当今社会要批量生产一定......
我厂含锗原料经予处理后与盐酸及氧化剂混合加温蒸馏,96.5%以上的锗以四氯化锗形态蒸出,蒸馏残渣含锗量平均为1.5%左右。现在处理......
本文介绍一种全凭手工切割大口径锗单晶的切片方法。此方法设备简单,切片保险,节省材料(相对外圆切片机而言)。从原理上讲,该方法......
锗单晶作为元素半导体,二十世纪五十年代曾在电子器件的应用中,放出异彩。六十年代以来,由于硅单晶技术的发展,逐步取代了锗单晶......
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采用直拉法研制了大直径红外光学锗单晶，测量了其光学性能和力学性能。
A large diameter infrared optical germanium single cry......
随着硅器件性能的不断提高,尤其在硅平面工艺出现之后,硅器件已经在很大应用领域内取代了锗器件。目前,锗被取代的趋势仍在继续。......
超纯锗单晶是美国七十年代尖端产品,被称为世界上最纯的物质。研制这种材料需要特殊的高纯环境、材料和试剂,目前只有少数国家小......
本文探讨了Ⅳ族代位式杂质在硅、锗单晶中的晶格动力学问题.引用“局域有效电荷模型”得到三个主要模型参量,结合W.Weber的“绝热......
8～12μm波段的军用被动红外光学系统问世已经十五年多了。随着人们对分辨率和灵敏度的要求越来越高,系统设计也越来越复杂。从前红......
一、引言纯净的锗单晶是一种良好的透红外窗口材料。锗不溶于水,化学性能相当稳定。它在700℃以上温度时开始氧化,生成二氧化锗。......
一、引言 小角度晶界是半导体单晶中一种有严重危害的缺陷。在锗单晶生产中,它迄今仍是影响成品合格率的重要因素之一。(如安阳半......
对锗单晶的锂可漂性和陷阱效应进行了研究。结果表明,锂漂移迁移率和有效载流子寿命是评价单晶的主要参数。
Lithium bleaching a......
本文探讨了在P~+IN~+型长二极管的一个侧面设置高复合区的锗磁敏二极管的设计,给出了选择长度(l)、厚度(d)、宽度(w)和电阻率(ρ)......
扎波罗热钛镁联合企业具有30余年的半导体生产历史,拥有从原料制备、单晶生长到成品加工的系统工艺,该厂生产规模较大、技术水平高......
用四点弯曲法测量了锗单晶和多晶样品（３６ｍｍ×４ｍｍ×３ｍｍ）的断裂模数，其结果与美、英、比等国家公布的数据基本相符．实验证明样品表面加工方法是影响......
采用N型高纯锗单晶,其净杂质浓度为2×10~(10)原子/cm~3,制成平面型探测器。探测器的一面为锂扩散N~+接触,另一面为硼离子注入形......
我们使用净杂质浓度约为10~(10)原子/cm~3的p型高纯锗单晶,研制成了平面型高纯锗低能γ谱仪。探测器的有效直径为φ16mm,厚度为8 ......
近年来,锗和硅核辐射半导体探测器已比较成熟。但是这些探测器有两个缺点:一是由于锗单晶的禁带宽度较小(E_g=0.67电子伏,300°K)......
在室温下P型锗单晶中的光子牵引效应为研究高气压CO_2脉冲激光器提供了一个简便的探测方法;对TEA CO_2激光器的输出(峰功率为90kW/......
一、原理 我们测试高纯锗单晶的纯度是通过将被测试的锗材料制备成探测器,借测量探测器的全耗尽电压和pn结的电容-电压特性来实现......
中子单色器是中子散射谱仪的关键部件之一。使用效率更高的新型中子单色器将给中子散射谱仪带来极大的性能提升,垂直聚焦中子单色......
定向凝固的镍基合金和硅、锗单晶等立方晶系材料的精确定向以及取向硅钢等强织构材料的取向分析一直是材料领域十分关注的问题......
本文概要地介绍半导体射线敏感器件的发展概况、工作机理;着重地介绍各种类型半导体射线敏感器件的制造工艺、特性参量、使用范围......
报告一种新型锗电阻温度计，温度计用双掺砷镓的锗单晶制成。掺杂浓度～10[**]cm[*-3*]，补偿度·9左右。材料电导从1K至500K温度都依温......
锗材料凭借其优异的光电性能，已经在太阳能电池、红外光学、功率器件和微波器件等方面实现了重要的应用。基于其在下一代甚大规模集......
为适应国内外对大直径径(≥12英寸)红外光学锗单晶发展需求而研发的新一代锗单晶炉.其研发的大直径锗单晶炉其创新点包括:实现10微......
1产品介绍rn电镀金刚石内圆切割刀片产品主要用于切割脆硬材料,如:硅单晶、锗单晶、钽酸锂、铌酸锂、钕铁硼和陶瓷等材料.rn......
从4英寸无位错锗单晶的生长温度梯度条件出发,设计开发了直拉法生长4英寸无位错锗单晶的双加热器热场系统;并对其热场进行了一系列......
美国、俄罗斯、中国、印度、日本、欧洲等国家都投入大量的资源发展空间技术.目前,空间电源的主要来源是太阳电池.但由于传统的硅......
文章对Φ52mm×1.8mm薄园片锗单晶的电阻率进行测试,通过引入锗园片的厚度修正系数和直径修正系数,得到锗园片中心电阻率是23.51Ω......
高频光电导衰减法是测量Ge单晶少数载流子寿命常用的方法,高频脉冲信号照射到单晶表面时,产生非平衡载流子,非平衡载流子的复合时......
锗单晶是一种各向异性材料,在切削的过程中,将使切削力随晶向和晶面发生变化.针对锗单晶各向异性对切削力的影响,在理论上计算出了......
