单晶炉相关论文
降低单晶硅电池的生产成本,是提高光伏产业效益的关键。在等径拉晶过程中,采用分段加热可以减少加热器的输出功率,降低加热系统的......
单晶硅的生长过程对环境温度要求严格,单晶炉作为制备单晶硅的设备,其工作状态影响单晶硅的合格率和质量,单晶炉炉体耐受温度在300......
以提拉法单晶炉为研究对象,首先设计各种真空元件的密封结构,逐一给出结构设计的技术路线.静密封的密封件采用O形垫圈和矩形垫片,......
本文主要回顾了我国太阳能电池硅单晶生长设备的发展历史,展望了太阳能电池硅单晶生长设备的发展前景.......
85﹪以上的单晶硅采用直接法(CZ)制备.CZ晶体生长炉热场部件如发热体、坩埚隔热衬套等常用高纯石墨制造,随着晶圆直径的加大,石墨材......
7月底,走进位于国家级曲靖经济技术开发区(以下简称“曲靖经开区”)的曲靖阳光能源硅材料有限公司生产车间,整齐排列的单晶炉正在......
降低单晶硅电池的生产成本,是提高光伏产业效益的关键。在等径拉晶过程中,采用分段加热可以减少加热器的输出功率,降低加热系统的......
在一只镂花玻璃盘中,躺着几粒天兰和紫红的宝石,看到它们的晶莹夺目和光辉灿烂,您也许会赞叹大自然的创造。可是,令您惊奇的是,它......
用氟化镧单晶制成的氟电极已是应用最广的离子选择性电极之一。但不同掺杂及拉制方法对电极性能影响的比较,研究尚少.本文报告了......
报道了对ＬＥＣ法生长的ＳＩ－ＧａＡｓ单晶热稳定性检测结果，在８００℃以上温度条件下退火，发现ＧａＡｓ单晶的热稳定性不但与处理的条件有关，还与单晶中杂质Ｃ的含量有关......
通过热场实验、拉晶参数实验与电阻率控制实验，研究了重掺砷＜１１１＞硅单晶的位制工艺，制备出无位错的Φ１００ｍｍ单晶，成品率达３３．８５％。还探讨了简便、高效的......
近年来，由于砷化镓集成电路（GaAsIC）的高速发展，对高质量的SI－GaAs单晶的要求越来越高，现已成为GaAsIC制造技术的关键之一。电子部南京电......
３００ｍｍ圆片技术障碍面对３００ｍｍ圆片有许多技术难题，需在短时期内克服。通常，如果要求批量单晶生长过程或半连续装填工艺最佳化，而石英舟尺寸，质量和......
进入大直径时代的硅材料产业北京有色金属研究总院万群近些年，电子信息产品的发展令人信服地感受到我们所处的时代是信息时代。而信......
介绍应用磁流体密封原理设计密封装置,指出制造过程中应注意的问题,详细叙述了装配时的必要措施和应用情况
Introducing the prin......
一机部西安电炉研究所受一机部电工总局的委托,于一九八○年十一月廿六至十二月一日,在天津市电炉厂主持召开了中温箱式电阻炉样......
由西南技术物理所研究成功的无核心无位错(简称“双无”)Nd:YAG 激光晶体,于82年4月通过了兵器工业部组织的鉴定(见本刊1982年第......
在科学技术迅速发展的今天,材料工业和材料科学技术具有十分重要的地位。在材料中稀有金属占有独特的位置。各种稀有金属,合金、......
为满足大规模集成电路对硅材料提出的晶体直径和长度大型化的要求,已研制成功DL—78型大型硅单晶炉。该炉为15—30公斤级,可拉制直......
国内最大的专业制造单晶炉基地企业、北京京运通真空设备厂于2005年11月28日用CCD等径控制法拉制一根6英寸,960mm长的单晶硅棒。此......
用氟化镧单晶薄膜装置的氟离子选择性电极,由于它具有抗干扰性强、灵敏度高、快速、测试稳定、操作简便和能在连续自动基础上使用......
一、引言 TDR-50型单晶炉是我国第一台软轴CZ单晶炉,它是自1981年到1983年通过基础实验研究,结合我国生产单晶炉的经验而研制成功......
近日,国家863计划项目“超大规模集成电路配套材料”重大专项中的“TDR-150型单晶炉(12英寸MCZ综合系统)”项目在北京正式通过科技......
陕西机械学院晶体生长设备研究所已在研制TDR～62型单晶炉,预计于87年投入运行。 炉将用于拉制φ4～5时硅单晶材料,它兼容硬轴和软轴......
1.问题的提出我厂是生产鍺单晶的专业工厂,采用直拉法生长单晶。为了获得高质量的单晶,除了保证单晶炉温场设计合理,机械运行稳定......
上海第二冶炼厂在维修进口单晶炉时遇到陶瓷零件加工。陶瓷材料的特点:硬度高,脆性大,车削时易爆。我们采取以下措施得到了良好效......
1987年8月,中国利用返回式卫星首次进行砷化镓单晶太空生长实验获得成功。此项实验因危险甚大难度极高,国外都不敢轻易涉及。对此......
据悉,近期四川晶都新能源科技有限公司第一条生产线拉制的首根6.5英寸单晶硅棒出炉。该单晶硅棒长1.4米,重78公斤,成品率82%。晶都......
【摘要】以“单晶炉热场结构的认知”作为研究范例，从教学目标、教学内容、教学手段、教学策略和教学过程设计等方面阐述了该课的信......
熔体温度的精准测量和合理控制是快速合成化学配比磷化铟(InP)的关键,并直接影响晶体质量。由于单晶炉内温度梯度较大并且熔体表面......
采用垂直梯度凝固(VGF)法生长单晶时,其温度梯度较低,生长速率较小,目前已成为生长大直径、低位错密度晶体的主流技术之一。在VGF......
本文以单晶炉拉晶过程中的自由液面为研究对象，主要进行了两方面的研究：单晶炉拉晶过程中自由液面的温度效应分析；基于粒子群算法的有......
随着半导体技术日新月异的发展，计算机、通讯技术等行业发生了根本改变，有力地推动了当今IT产业的发展。而这些重大改变都是因为半导......
直拉法单晶炉是生产硅单晶的关键技术装备，在拉晶过程中，随着晶体生长的进行，坩埚内熔硅液位下降，为了保证较高拉晶质量而必须将熔硅液......
