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该文研究了化学机械抛光（CMP）条件下，锗单晶在含HNO3的SiO2抛光液中的腐蚀过程。通过改变抛光时间，分析锗单晶表面状态的变化规律。结果表明，在SiO2抛光液pH值为1～2时，SiO2抛光液中存在Si—OH和Si—O-形式；锗单晶先与HNO3反应生成Ge（NO3）4,而后Ge4+的含氧酸盐会剧烈水解生成Ge—OH,Ge—OH继续反应并以Ge—OH2+形式存在。由于表面电荷的吸引，Si—O-和Ge—OH2+在锗单晶表面生成Si—O—Ge软化层，从动力学角度加快了腐蚀速率，促进了表面抛光的程度。抛光时间为15～20 min时，机械抛光和侵蚀的法向速度处于平衡状态，CMP抛光后锗单晶表面粗糙度Sa≤0.8 nm, 10倍显微镜下无划痕、麻点。