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为了研究抛光参数对单晶锗片表面质量、材料去除量的影响,文中使用单晶金刚石悬浮抛光液对单晶锗片进行抛光实验,利用正交实验法确定最优工艺参数组合、各因素对工件抛光效果影响程度和影响趋势。结果表明16组实验中,Ra下降量为0.848~0.998μm,使用小粒度的单晶金刚石悬浮抛光液能大幅提升单晶锗片表面质量。各因素对工件表面粗糙度影响的主次顺序(主→次)为:磨粒粒度、抛光时间、加载压力、磨抛头主轴转速;最优参数组合为磨粒粒度0.25μm、磨抛头主轴转速70 rpm、加载压力8 kg、抛光时间90 min。磨粒粒