以CH4,CF4,N2为源气体,用RF-PECVD法,通过改变N2流量制备了一批掺氮氟化非晶碳(a-C∶F∶N)薄膜样品。分析了氮掺杂对薄膜微观结构......

在室温下以C4F8和CH4为前驱气体，用电子回旋共振化学气相沉积（ECR-CVD）的方法生长了氟化非晶碳（α-C：F）薄膜。通过傅立叶变化红外光谱分......

采用电子回旋共振等离子体化学气相沉积（ECR-CVD）方法，以C4F8和CH4为源气体在不同气体流量比R（R=[CH4]／{[CH4]＋[C4F8]}）条件下成功地沉积......

讨论了通过合理设计的工艺流程将低k氟化非晶碳材料应用到制造工艺中作为互连介质对集成电路性能的影响.基于一个互连结构简化模型......