论文部分内容阅读
在旧金山召开的国际电子器件会议（IEDM）上，贝尔实验室的研究者们报告了一种新颖的具有广阔前景的低K材料——氟化非晶碳（a-C：F）。该材料目前已产生了一层“坚固”的薄膜，具有很好的热稳定性，K＜2．8，材料和电性能都符合器件集成的严格要求。在IEDM上，来自于NEC和应用材料公司的研究者还报告了“高稳态”的a－C：F薄膜在0．18μmCMOS工艺中的成功集成。贝尔实验室的研究者说，a－C：F薄膜之所以这样引人注目，是因为它具有独特的非晶C－C交联结构，以及具有与低K有机聚合物PTFE或聚四氟乙烯中相同的