氧化层厚度相关论文
采用测定高温下保温不同时间后氧化层厚度的方法讨论分析了Fe-40％Ni合金高温氧化行为,并通过回归分析得到了预报氧化层厚度的数学模......
研究了不同氧化层厚度的两种国产NPN双极晶体管在高低剂量率下的辐射效应和退火特性。结果显示：随着总剂量的增加，晶体管基极电流增......
在本文中比较了三种利用高频C-V曲线提取MOS结构中氧化层厚度的方法,描述了每种方法的优缺点,并且利用这三种方法提取了现有的样品......
超高温陶瓷(Ultra-high Temperature Ceramics,UHTCs)指熔点在3000℃以上,且能在高温环境以及反应气氛中保持物理和化学稳定性的陶......
为直观地研究金属铝核/氧化层的界面结构,以聚焦离子束微纳加工技术为基础,成功建立了2~8μm铝粉颗粒的切片方法。对于尺寸2~8μm......
为直观地研究金属铝核/氧化层的界面结构，以聚焦离子束微纳加工技术为基础，成功建立了2~8 µm铝粉颗粒的切片方法。对于尺寸2~8 µm......
颜色是商品外观设计的重要属性。彩色的电子产品金属外壳不仅满足了人们的审美需求,也增加了商品的附加价值。电化学沉积是目前广......
颜色是商品外观设计的重要属性。彩色的电子产品金属外壳不仅满足了人们的审美需求,也增加了商品的附加价值。电化学沉积是目前广......
通过对表面氧化的超细铁微粒的穆斯堡尔研究,确定了表面氧化层的德拜温度,改进了计算氧化层厚度的方法,得到了表面氧化层与核心α......
本文研究了真空加热除气处理对快速凝固Al—Li合金粉末表面氧化层厚度和组成,以及对合金力学性能、断口形貌的影响。试验结果表明,......
采用金属辅助化学刻蚀方法结合纳米球模板技术制备出了有序硅纳米线阵列。硅纳米线阵列经过高温热氧化形成一定厚度的氧化层,再使......
通过研究￣（６０）Ｃｏｒ射线对ＭＯＳＦＥＴ跨导的影响，定性描述了辐照栅偏置条件以及氧化物电荷积累和Ｓｉ／ＳｉＯ＿２界面态密度增加分别与ＮＭＯＳＦＥＴ和ＰＭＯＳＦＥＴ的跨导衰降之间的依赖关系。试验......
集成电路隔离技术概述（续Ⅰ）宋湘云编译６ 全凹槽氧化物ＬＯＣＯＳ工艺全凹槽氧化物ＬＯＣＯＳ工艺已经在双极ＩＣ制造中得到广泛应用。在生长衬垫氧化物和淀积......
采用一个最近发展起来的产生区宽度模型，导出了描述阶跃电压作用下ＭＯＳ电容器的电容－时间（Ｃ－ｔ）瞬态特性方程，给出了阶跃电压法确定产生寿命的一......
用XPS分析了盐酸处理前后的GaAs(100)表面。未处理GaAs(100)表面上有约1.7nm厚的氧化层;盐酸处理可除去氧化层并在表面上形成一层......
在等平面Ｓ工艺基础上，开发了一种ＥＣＬ超高速Ｄ触发器的ＩＣ工艺制作技术，并优化其关键工艺，得出一套新的工艺控制方案和参数。用该工艺技术制作的......
介绍了在宽禁带半导体６Ｈ－ＳｉＣ材料上制作的反型沟道和掩埋沟道栅控二极管及ＭＯＳＦＥＴ。器件的制作采用了热氧化和离子注入技术。因为６Ｈ－ＳｉＣ禁带宽度为３ｅＶ，用ＭＯＳ电......
本文提出了把大家熟悉的ＬＯＣＯＳ（Ｓｉ的局部氧化）技术扩展到ＳｉＣ的可行性。为得到一种ＳｉＣ器件集成的最佳化等平面隔离技术，已在结构上鉴定了两种隔离工艺......
把易失性和非易失性存储器纳入今后的ASIC芯片中,会有许多好处,但在设计前要进行仔细调研,不要想当然地认定这样就会比多片方案的......
系统研究了２０ＣｒＮｉ２ＭｏＡ渗碳钢铁路轴承精磨时，由于砂轮、工件与冷却液之间的热－化学与热－机械作用，滚道面的成分与组织变化。结果表明，轴承滚道面形......
随着设计尺寸的缩小,改进曝光场内套准精度变得十分重要。通过跟踪研究每个工艺步骤(即隔离层蚀刻和多晶硅淀积),发现硅局部氧化(L......
简要介绍IC卡各类芯片的基本功能及其应用。并对IC卡芯片的制造、可靠性及加密性做了探讨。
Brief introduction of IC card all ......
本文基于差值取样谱定理，提出一种用于同时确定少子寿命及表面产生速度的新方法———瞬态电容弛豫谱方法，该方法利用谱的峰值位置和......
在硅集成电路进一步缩小尺寸的过程中,将会遇到一些困难;其中的一项是栅氧化层的厚度,从目前情况来看出现了问题得以解决的苗头。......
本文利用MOSFET亚阈IV曲线对加固和非加固MOSFET的辐射感生界面陷阱密度进行了测量.分析和讨论了辐射感生的界面陷阱密度依赖于辐......
介结了射频溅射ＳｉＯ２的原理与工艺，对制造出的Ｓｉ／ＳｉＧｅＨＢＴ作了分析。
Intercept the principle and process of RF sputtering SiO2, made on the a......
采用集成电路工艺模拟软件ＳＳＵＰＲＥＭ４ 模拟了氧化、扩散工艺， 并同实验值进行了比较，模拟值和实验值的偏差在１０％ 以内。与集成电路器件模拟软件Ｓ－ＰＩＳＣＥＳ联......
使用高阻 Si材料 ,通过氧化、光刻、注入和退火工艺技术研制粒子探测器—— PIN二极管 .采取 HCl氧化、慢降温等工艺措施可减小 PI......
对最基本的场板结构 ,通过理论推导 ,深入讨论了场板下氧化层厚度与击穿电压、氧化层玷污所带正电荷电量之间的关系 ;又给出了场板......
在最大衬底电流条件下 (Vg=Vd/ 2 ) ,研究了不同氧化层厚度的表面沟道 n- MOSFETs在热载流子应力下的退化 .结果表明 ,Hu的寿命预......
用数值分析的方法讨论了中性陷阱对超薄场效应晶体管 (MOSFET)隧穿电流的影响 .中性陷阱引起势垒的变化在二氧化硅的导带中形成一......
对2014-T6铝合金疲劳试样的缺口部位进行了阳极氧化处理,表面氧化层厚度分别为5,10和20μm.通过旋转弯曲疲劳试验机对阳极氧化处理......
以汽车车身材料S45C钢为试验对象,进行了锻造工艺试验,获得其在不同温度(820、930、1030、1180℃)、不同保温时间(10、30、60 min)......
Intel公司在2003年初公布了一个10亿晶体管的处理器概念性设计,这种10亿晶体管集成电路简称IB—IC,它由4个Itanium 2心核和共享快......
本文采用氧化增重及氧化层厚度两种试验疗法和参数,探讨了稀土对铸铁在600℃、700℃时抗氧化性的影响。研究结果表明:稀土元素改善......
飞利浦和微米及纳米电子研究中心IMEC日前共同宣布,成功制造出具有良好电气性能的65nm CMOS器件。这种65nm技术基于平面90nm bulk......
建立了一个直接隧穿电流的经验公式 .将氧化层厚度作为可调参数 ,用这个经验公式可以很好地拟合超薄氧化物 n MOSFET器件的直接隧......
提出了一种用于提高硅基螺旋电感性能的局部介质增厚技术.这种技术通过淀积、光刻和湿法腐蚀工艺,局部增加电感下方的氧化层厚度,......
铁粉图分析术的发展铁粉图分析术是一种比较新的磨损分析方法。1971年,铁粉图分析法最早概念的形成,主要是韦斯科特、塞弗特和斯......
对FinFET器件(或称三栅MOSFET器件)的二维截面做了解析静电学分析以得出阈电压的计算公式.结果显示,由于三栅结构在高度方向的限制......
磨削时不仅切削刃的尺寸、形状及其分布,而且砂轮孔隙的状态均起着重要作用。加工塑性材料工件时,砂轮常常被切屑堵塞致使其寿命......
