高压氧化相关论文
本文提出一种基于SDB技术的非平面双介质埋层SOI材料研制方法。通过高压氧化获得高质量第一埋氧层,进而化学气相淀积多晶硅,运用化......
低温氧化反应对现场燃烧(ISC)技术点火的成功有十分重要的影响.采用高压氧化管,研究了不同温度压力下,新疆克拉玛依重度原油的低温......
近年来,在化学工业中的有机溶剂、增塑剂、洗涤剂、润滑剂,矿冶工业中的浮选剂、萃取剂,以及在农业方面的除莠剂、保温剂等获得广......
在高压釜中用NaOH高压氧化萃取浮选浓缩物(钼精矿)并从浮选后的残渣中再回收未分解的钼.过滤含Mo,Re和W的溶液,然后用离子交换树......
采用高温高压合成方法,合成出了Pr1-xCaxBa2Cu3O7-δ(04≤x≤06)系列块材超导体,在缺氧的Pr0.5Ca0.5Ba2Cu3O7-δ四方123结构样品中得到了Tc为98K.实验结果表明Pr在123结构中的价态为大于3+的混......
三菱电机公司研制出了新的硅成膜技术——高压氧化法。有关这种新技术在MOSLSI中的应用结果,在八月份举行的电子通信学会电子元件......
高压氧化系统正被人们用于高密度集成电路的生产中,以便在低温下获得快速氧化;商品化的系统可提供高达25个大气压的压力,这对湿氧......
作为时间和温度函数的硅干氧或水汽氧化的速率,长期来受到了限制。描述一种加压技术,它把增加的压力作为除时间和温度外的第三个影......
本文简要地介绍了硅的高压氧化概况。着重叙述我们目前采用的一种高压水汽氧化方法及其一些实验结果。实验表明本方法对于制备厚膜......
在高压水蒸汽中硅的氧化是很有意义的,因为高压氧化能缩短在各种集成电路中氧化物隔离的氧化时间。有关高压氧化的一些报导记述了......
本文概述了薄膜场致发光器件的结构,在掺杂半导体(Zns:Mn)的两外表面活化层之间配置绝缘层(Y203)。与ZnS:Mn的一个表面层接触的是......
本文报导了我们自行设计和制造的不锈钢高压室式、微处理机控制的高压氧化系统,及其基本结构、主要技术参数和某些工艺结果。
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本文介绍了我们自行设计和制作的不锈钢高压室式的微处理机自动控制的高压氧化炉的外形、结构、参数和氧化膜的性质,并从氧化膜的......
对未掺杂的、重磷掺杂的和重硼掺杂的多晶硅膜在812℃,7.5atm的高压水汽中的氧化特性进行了研究.为了比较,同时给出了(111)-Si 和(......
AMS——AdaptableManufacturingSystem适应性生产系统ARPA——AdvancedResearchProjectsAgency预研规划局AVP。AdvancedVacuumProc......
高压氧化Ge_xSi_(1-x)/si过程中Ge分凝和陷阱之间的转换=TransitionbetweenGesegregationandtrappingduringhigh-pressureoxldationofGe_xSi_(1-x)/Si[刊.英...
Transition between Ge fractionation and trapping during high-pressure oxidati......
介绍了一种硅化钛双层多晶硅自对准工艺技术。它是在双层多晶硅自对准技术基础上,采用薄外延和高压氧化形成器件制作区域,利用快速退......
过去几年里 ,Newmont金矿公司开发了一种处理难选含金硫化矿的新工艺 ,即N2 浮选工艺。 1997年 4月 ,第一个应用N2 浮选工艺的工业......
采用高压氧化法,硫化铜精矿在800kPa及120 C下进行消化浸取.反应液固比为4,H2SO4浓度为0.22mol/L,HNO3浓度为0.2mol/L,木质素磺酸钠量为每......
针对低品位微细粒金矿中金的赋存特点,对其浮选精矿进行高压氧化-氰化浸出工艺处理。重点考察了高压氧化预处理过程中的温度、液固......
在环境提取钒友好举止,这研究由高压力从钒炉渣在沥滤的过程上集中钒氧化酸的沥滤。未加工的炉渣,矿物学转变,和形式的描述沥滤残余被......
辉钼矿浓缩物在高压氧存在条件下的析出氧化反应中的过程化学,可通过调节作为高压釜排出浆液或滤液循环加入高压釜进料中的铁离子量......
二氯乙酰氯作为杀虫剂和除草剂的重要中间体,广泛应用于助剂、医药合成领域。其合成方法主要有二氯乙酸酰氯化法和三氯乙烯高压氧化......
进行了难处理金精矿高压氧化预处理试验研究,重点考察了温度、时间、液固比对预处理效果的影响,确定了最优工艺条件.试验结果表明,......
探讨了 6种不同 AgSn合金粉末的高压氧化特性.与常规 AgSnO2电触头材料相比,采用高压氧化技术及工艺制造的 AgSnO2电触头材料的电......
随着VLSI工艺技术的深入发展,一些与形貌相关的问题逐渐成为了制约其发展的主要因素,微细线条光刻中聚焦深度限制、条宽控制、溅射沉......
通过配矿对不同硫品位的金矿进行热压预氧化-氰化试验研究,从而获得硫品位与砷、铁、金浸出率的相互关系。结果表明:砷、铁的溶出......
高压氧化系统正被人们用于高密度集成电路的生产中,以便在低温下获得快速氧化;商品化的系统可提供高达25个大气压的压力,这对湿氧......
用扩展电阻探针等方法观测了经5~6atm高压水汽氧化后,(111)-Si中P、B、Sb的扩散分布,在823~940℃的工艺低温区发现:P、Sb的扩散减缓(......