硅化物相关论文
镍基合金因具有优良的抗高温氧化性能和优异的综合力学性能,被广泛应用于航空、航天发动机等领域。但随着航天器的发展,对火箭发动......
难熔高熵合金作为一种新型高温结构材料,具有优异的高温强度、良好的高温抗氧化性能,在航空航天等高温应用的领域展现出极大的应用......
Ti600是具有我国自主知识产权的近α型高温钛合金,可在600℃下长期使用,有望成为新型航空发动机用关键部件材料。苛刻的服役条件对......
硅元素及其化合物在现代工业中起着不可或缺的作用,现已经被广泛应用到了各个相关领域中。本文采用原子掺杂的方法,寻找新型的硅同......
颗粒增强钛基复合材料具有比合金更好的高强高温性能,在航空航天领域的具有广泛的应用前景。但传统熔铸法制备的钛基复合材料具有......
TiB增强钛基复合材料因具有高比强度和高蠕变抗性的特点,在航空航天领域得广泛的应用。TiB增强相的引入虽克服了基体合金热强性差......
石墨烯自发现以来,以其优异的机械及光电特性,在将其与半导体材料结合应用于光电器件领域引起了广泛的研究热潮.氮化镓作为当前研......
利用TEM实验技术系统观察了BT25y高温钛合金硅化物在不同固溶温度处理后及不同温度热暴露过程中的析出行为,结合Calphad相图技术研......
本文对比研究了夹层结构Ni/Pt/Ni分别与掺杂p型多晶硅和n型单晶硅进行快速热退火形成的硅化物薄膜的电学特性.实验结果表明:在600......
研究了Ti-38644合金中的硅化物的溶解和析出行为及其对室温拉伸性能的影响,并利用扫描电镜和透射电镜对显微组织、析出相及拉伸断......
报道了硅化物在表面微机械中应用的实验研究.由于硅化物可以降低串联电阻和接触电阻,对于改善RF MEMS和微开关的动态特性是很有利......
通过TEM的观察和分析,研究了Ti-22Al-26Nb-0.5Si(at％)合金中硅化物的结构特征及其与基体的取向关系.实验结果表明,Ti-22Al-26Nb-0.5......
该文报道了沟道离子束合成法研制稀土硅化物的实验新进展－－合成了高结晶品质的ＹＳｉ〈，１．７〉及其三元稀土硅化物Ｎｄ〈，０．３２〉Ｙ〈，０．６８〉Ｓｉ〈，１．７〉，并用背散射／沟道（ＲＢＳ／Ｃｈａｎｎｅｌｉｎｇ）技......
提出一种生成难熔金属硅化物的新方法,用CO2激光诱导氧化物-铝粉热化学反应在多晶硅表面获得Ni和NiSi2膜.AES和XPS分析给出膜层的......
采用原位技术制备了体积分数5%的TiB增强钛基复合材料(Ti-6Al-5Zr-0.8Si)。通过光学显微镜(OM)、透射电镜(TEM)和室温拉伸等实验手......
向CoSi2膜中分别注入As+和BF2+杂质,以这种掺杂硅化物作为扩散源,用快速热处理使注入杂质再分布至CoSi2下面的硅衬底中,能制作出结......
Bakhtiar UI Hag等人研制了π-SiS、π-SiSe以及π-SiTe等硫属硅化合物,利用密度函数理论计算基态能,用半径典波兹曼传输理论计算......
三年以前,当約飞院士在其专著中論述我们对于半导休知識的近况时写道:“在半导体中,有一些材料具有特别高的熔点,超过4000℃,有一......
在近α-Ti合金中加入适量的Si,能提高其高温强度。Si与Ti、Zr形成细小的硅化物相,分布于α相的内部和边界,起到强化作用。我们曾......
利用X光衍射技术结合金相观察和扫描电镜能-波谱分析,测定了Ni-B-Si系、Ni-Cr-B-Si系和Ni-Cr-Mo-B-Si系热喷涂粉末的金相组织。结......
钨、钼、钽、铌等难熔金属具有熔点高,高温强度大,合金化后强度有更显著的提高,是很有希望在1200℃以上广泛应用的高温金属材料。......
晶须是一种特殊形态,即十分纤细的单晶材料。一般晶须是一维形态,直径为零点几微米至几十微米,长度则有几十微米甚至几十毫米,少......
在过去十年中,花费了很大的精力用来研究在500K(450°F)到615K(650°F)温度范围内比强度可与钛合金相竞争的高温铝合金。这是一种......
测定了稀土矿加两种不同碳质还原剂的团块在常温下、773K焙烧后、1 573～ 1 773K分别焙烧后的气孔率与压制压力的关系 ,也测定了这两......
用非稳态热线法测定了碳热法生产稀土硅化物合金原料的导热系数 ,用激光脉冲法测定了稀土硅化物合金的导热系数、热扩散系数和比热......
科学技术的飞跃发展,对金属材料提出了崭新的要求,要求它们能在高温、高压、高速运转的条件下坚持工作。就拿火箭来说,它的燃烧室......
中国科学院大连化学物理研究所基于“纳米限域催化”概念,创造性地构建了硅化物晶格限域的单中心铁催化剂,实现了甲烷在无氧条件下......
以Ti、Si元素粉末为原料,采用燃烧合成技术制备了Ti:Si原子配比分别为1:1、5:4、5:3、3:1的4种多孔材料,对其燃烧合成特征、相组成......
通过实验证明酰胺作为氮源在分子中引入胺基时,首先发生酰胺碳氮键的断裂生成胺的Lewis酸复合物,该复合物再与底物发生反应生成新......
近日,中国科学院大连化学物理研究所包信和院士团队基于“纳米限域催化”的新概念,创造性地构建了硅化物晶格限域的单中心铁催化剂......
介绍了近年来新发展起来的几种硅基远红外探测器件，其中包括硅化物／ＧｅｉＳｉ１－ｘ肖特基势垒型探测器、锗硅异质结内光电发射型探测器、锗硅／硅多量......
本文主要采用离子注入的方法制备“Ｓｉ／ＹＳｉ_２／Ｓｉ”异质结构，并以电子显微镜为手段研究ＹＳｉ_２埋层的形成及ＹＳｉ_２／Ｓｉ界面的微观结构。我们发现ＹＳｉ_２埋层以“［００１］ＹＳｉ_２／／［１１１］Ｓｉ”为......
用Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ）方法测量了铱硅化物（ＩｒＳｉ）的芯能级谱。得到了与化学键有关的化学位移和芯能级对称性变化方面的信息。提出了ＩｒＳｉ／Ｓｉ肖特基势垒......
本文报道了一种超高速ＥＣＬ静态二分频器；介绍了该分频器的核心器件─—ＮＰＮ晶体管的结构和实现该结构的有关先进工艺，包括深槽隔离、多晶硅发......
利用俄歇电子能谱研究了Cr／SiO2薄膜在热处理过程中的界面扩散反应机理、界面反应动力学过程及界面反应产物。研究结果表明，Cr／SiO2体......
报道了６００门和８００门两种ＥＣＬ超高速移位寄存器；介绍了多晶硅发射极双极晶体管的结构和有关先进工艺，包括深槽隔离、多晶硅发射极、钴硅化物接触......
研究了环境温度变化对各种SnO_2元件气敏特性产生的影响.突出地表现为随着环境温度的降低(+40~-40℃),气敏元件在空气中的阻值R_0......
NEC最近开发了高性能0．15w最先进的逻辑CMOS技术。其特点如下：（l）采用侧壁硼离子注入的新开发的ffi，实现了栅宽为0．Zap而阈值电压仍不低......
采用控电位沉积方式在ｐ－Ｓｉ上制备了Ｎｉ－Ｐｄ合金薄膜，考察了阴极沉积行为，研究了电沉积条件对膜组成的影响，并探讨了膜组成与结构的关系，ＸＲＤ测试表明Ｎｉ－Ｐｄ合......
本文研究Ｓｉ中间淀积层对ＣｏＳｉ２／Ｓｉ（１００）固相异质外延的影响．用离子束溅射方法在Ｓｉ（１００）衬底上制备了Ｃｏ／Ｓｉ／Ｔｉ／Ｓｉ多层薄膜结构，通过快速热退火使多层薄膜发生固相反应．实验......
