低压VDMOSFET‘ Ron的最佳比例设计研究

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【摘要】

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文章以正方形单胞为例,较系统地分析了VDMOSFET的特征导通电阻与结构参数之间的关系.重点讨论了N沟道VDMOSFET的P-体扩散区结深Xjp-和栅氧化物厚度Tox对器件特征导通电阻RonA

【作者】

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石广源孙正地高嵩王中文张颖

【机构】

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辽宁大学,西安微电子技术研究所

【出处】

：

微电子学与计算机

【发表日期】

：

2002年12期

【关键词】

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低压VDOSFET'Ron 最佳比例设计特征导通电阻氧化层厚度电子迁移 VDMOSFET Specific on-resistance Oxid

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文章以正方形单胞为例,较系统地分析了VDMOSFET的特征导通电阻与结构参数之间的关系.重点讨论了N沟道VDMOSFET的P-体扩散区结深Xjp-和栅氧化物厚度Tox对器件特征导通电阻RonA的影响.首次给出了多晶硅窗口区尺寸PW和多晶区尺寸PT的最佳化设计比例PW/PT与Xjp-和Tox的关系.最后阐述了器件的最佳化设计思想.

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