利用XPS研究紫外光激发下GaAs晶片表面氧化反应

来源 :现代仪器 | 被引量 : 0次 | 上传用户：marriamirror

【摘要】

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本文用XPS分析紫外光激发氧化反应后砷化镓表面的化学组成和氧化层厚度.发现,紫外光激发下,GaAs表面生成氧化膜,同时清除表面污染碳.氧化膜中的镓砷比可以与基体完全保持一致

【作者】

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李雨辰任殿胜

【机构】

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中国电子科技集团公司第四十六研究所

【出处】

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现代仪器

【发表日期】

：

2005年3期

【关键词】

：

紫外光激发氧化反应 GaAs XPS研究晶片砷化镓表面氧化层厚度 XPS分析化学稳定性光催化反应化学组成表面生成表面污染器件性能氧化膜钝

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本文用XPS分析紫外光激发氧化反应后砷化镓表面的化学组成和氧化层厚度.发现,紫外光激发下,GaAs表面生成氧化膜,同时清除表面污染碳.氧化膜中的镓砷比可以与基体完全保持一致.用此方法获得具有一定的化学稳定性的,适合于器件制备的钝化层.发现紫外光激发的砷化镓表面氧化反应的实质是光催化反应.用"紫外光/臭氧处理法"处理的GaAs晶片,可使器件性能得到改善.

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