【摘 要】
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基于先进逻辑CMOS工艺平台,构建了集成电路热耦合模型,为后端金属线电迁移预测提供更精确的温度变化和分布信息.在建模过程中,为了提高建模和仿真效率,对金属线网络和晶体管
【机 构】
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中国科学院大学,北京100049;中芯国际集成电路制造有限公司,上海201203;中国科学院微电子研究所集成电路先导工艺研发中心,北京100029;广东省大湾区集成电路与系统应用研究院,广州51053
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基于先进逻辑CMOS工艺平台,构建了集成电路热耦合模型,为后端金属线电迁移预测提供更精确的温度变化和分布信息.在建模过程中,为了提高建模和仿真效率,对金属线网络和晶体管有源区进行简化,并用热传输比率对热耦合进行表征.考虑到晶体管参数、金属线走向、金属线之间相对位置对热传输比率的影响,模型中引入相关因子对热传输比率做进一步修正.最后,将该热传输模型嵌入到商用仿真软件中.结果 表明,热传输比率(即温度)的仿真值与基于工艺平台流片的实测值吻合良好,验证了模型的准确性.
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