【摘 要】
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对埋栅型静电感应晶体管(SIT)和垂直双扩散MOSFET(VDMOS)的抗单粒子烧毁(SEB)能力进行了仿真对比研究.利用Medici软件,仿真得到两种器件发生SEB效应前后的漏极电流响应和发生
【机 构】
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重庆邮电大学光电工程学院,重庆400065;模拟集成电路国家重点实验室,重庆400060;中国电子科技集团公司第二十四研究所,重庆400060
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对埋栅型静电感应晶体管(SIT)和垂直双扩散MOSFET(VDMOS)的抗单粒子烧毁(SEB)能力进行了仿真对比研究.利用Medici软件,仿真得到两种器件发生SEB效应前后的漏极电流响应和发生单粒子烧毁效应的临界漏极偏压.仿真结果表明,SIT与VDMOS两种器件常态击穿分别为580 V和660V,在栅极关断电压为-10 V下,SIT的单粒子烧毁效应临界漏极电压为440V,远高于VDMOS关断时230V的临界漏极电压;SIT发生SEB效应时的漏极电流数量级为10-3 A/μm,而VDMOS发生SEB效应时的漏极电流数量级为10-4 A/μm,SIT在抗SEB效应方面比VDMOS具有更大的优势.同类研究少见文献报道.对埋栅SIT样品进行了试制,样品击穿电压为530V.
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