总剂量效应相关论文
高压集成电路是电能转换和控制的核心芯片.在星链计划为代表的新一代航天技术推动下，航天装备朝着小型轻量化、动力电气化快速发展，......
相较于传统体硅器件,绝缘体上硅（silicon on insulator,SOI）器件以其更小的寄生电容,更低的功耗,抗闩锁能力等优势应用于集成电路中,......
利用Silvaco TCAD软件，研究了电离总剂量（total ionizing dose, TID）效应对28 nm NMOSFET转移特性的影响。构建了28 nm NMOSFET 3维仿......
文章梳理了面向航天器总体设计的空间辐射效应分析技术现状，重点归纳了航天器空间辐射效应分析中需关注的总剂量效应、位移损伤效应......
对低功率、升压型集成式DC-DC电源变换器的电离总剂量辐射损伤效应进行了研究。探讨了变换器在不同负载、不同输入电压条件下输出......
异质结带隙渐变使锗硅异质结双极晶体管（SiGe HBT）具有良好的温度特性，可承受-180～+200℃的极端温度，在空间极端环境领域具有诱人的应用......
高压集成电路（High Voltage Integrated Circuit,HVIC）旨在实现高低压信号转换和集成,如栅驱动集成电路、电源管理芯片等被广泛应用......
对不同偏置下碳化硅VDMOS在总剂量辐射环境中的动态和静态特性进行了研究。比较了三种偏置状态下60Coγ射线辐照对于SiC VDMOS器件......
随着功率半导体器件发展到深亚微米时代,传统体硅材料已经接近物理极限,SOI（Silicon on Insulator）的出现改善了体硅材料的不足,同时......
随着我国航天事业的快速发展,如何能够保证航天器在空间环境中安全可靠地运行成为一个重要的话题。由于空间环境中存在着大量的辐......
集成电路发展至今,其应用场景愈发广泛,越来越多的So C芯片被应用在航天系统之中,在空间辐射环境下,芯片会受到各种辐射效应的影响......
宇宙空间存在多种高能粒子,这些高能粒子进入半导体器件会引发辐射效应并最终导致电子系统失效,其中总剂量效应和单粒子效应是两种......
随着航天事业的发展,各种探测卫星、载人飞船、空间辐射器当中需要用到非易失性存储器,用于存储一些配置数据或关键信息等。传统的......
自氧化铪（HfO2）基铁电材料问世以来,其优异的铁电性能被人们所熟知,逐渐被广泛应用到电子元器件中。相比于传统钙钛矿结构铁电薄膜,H......
碳化硅（SiC）材料本身具有宽禁带、高击穿场强、高热导率以及高饱和电子漂移速率等优点,可以用于高压、高频、高功率及高温领域。相比......
学位
碳化硅（SiC）材料是禁带宽度为3.2 e V的半导体材料,SiC基器件凭借着其材料所带来的优秀性能,能突破硅基器件性能极限,因此在大功率、......
随着太空探索越来越频繁,电子系统在太空中稳定的高速数据通信越来越受到重视。太空环境相对地球表面的环境更为恶劣,太空通信系统......
600V LDMOS在集成电路中被广泛应用于各种功率转换的集成电路中,如开关电源电路、半桥驱动、高压栅驱动电路等。在航空航天辐射环......
随着半导体技术的飞速发展,各种模拟、数字集成电路被广泛应用于航空航天、核工业及粒子物理等领域。它们处在各种电磁、高能粒子......
针对核设施机电设备中控制系统存储单元耐辐射可靠性评价的需要,以国产NOR型Flash存储器为研究对象,对器件存储阵列浮栅单元的总剂......
使用Silvaco TCAD软件建立PMOS器件模型,仿真模拟得到了PMOS器件γ射线总剂量效应,提取了氧化层及界面处陷阱电荷共同影响后器件的......
为探索锗硅异质结双极晶体管(SiGe HBT)总剂量效应的损伤机理,采用半导体器件三维模拟工具(TCAD),建立电离辐照总剂量效应损伤模型......
本文选用特殊测试结构的栅控横向PNP（gated lateral PNP, GLPNP）双极晶体管为研究对象,在不同辐照温度下,得到了温度和剂量对GLPNP双......
当全耗尽的DSOI NMOS器件受到高总剂量辐射或高背栅电压的影响时,器件阈值电压与背栅电压的关系不再满足单一的线性关系。器件阈值......
CMOS图像传感器（CMOS image sensor,CIS）因具有低成本,低功耗,集成度高等优点而广泛应用于生产生活中。随着其应用范围不断扩大,在太......
航空、核工业等事业的不断发展使得对其内部电子仪器精密度、集成度提出了更高的要求。更小特征尺寸的晶体管为芯片带来了更高的计......
SOI LDMOS功率器件的栅极、源极和漏极在同一表面,易于集成,同时具有较快的开关速度和较小的寄生效应等优点,作为电源开关,是高压......
空间辐射环境对宇航电子系统构成严峻的可靠性威胁。纳米集成电路具有高性能、高集成度等优点,是未来宇航电子系统的必然选择。辐......
半球谐振陀螺是一种高可靠的哥氏振动陀螺,在宇航领域有广泛的应用前景.该文研究了在空间辐照环境下总剂量辐照效应对半球谐振陀螺......
为研究三端稳压器在60Co γ环境中的性能变化和抗总剂量特征,对电子系统中通用的集成三端稳压器(固定正输出L7805C、负输出L7905C......
本文测量了SiGe HBT直流增益在60Coγ辐照过程中随剂量及电流注入水平的变化.实验结果显示在累计辐照剂量超过5000Gy(Si)后,器件增......
本文对集成稳压器的总剂量效应的失效模式和失效机理进行了简单分析，器件在总剂量辐照之后，基准电压下降明显导致输出稳压失效，引起集......
为了解国产0.18微米混合信号集成电路抗辐射性能，本文针对集成电路用MOS晶体管，研究了其直流及1/f噪声在60Coγ电离辐射环境下的变化......
会议
采用Si+注入到埋氧化层中并退火制备了总剂量加固的全耗尽SIMOX材料，对得到的样品在辐照前后的pseudo-MOSFET特性曲线进行了研究。......
采用Si+注入技术对部分耗尽的SIMOX材料进行改性加固，分别用改性加固材料和未改性加固的材料流片制作环栅MOSFET器件，对器件进行辐照......
本文对硅NPN双极晶体管(C2060)室温下不同集电极偏置电流(Ic)条件下伽马辐照的总剂量效应进行了研究。结果表明,在不同的偏置电流......
提出了初步的大规模集成电路总剂量效应测试方法.在监测器件和电路功能参数的同时,监测器件功耗电流的变化情况,分析数据错误与器......
本文根据CMOS器件单粒子闩锁、单粒子翻转和总剂量的机理和测试方法,以CMOS加固SRAM为对象,研制了SRAM辐射效应测试系统,可在多种......
在空间辐射环境中,存在着大量的高能粒子,比如：质子,电子及重离子等。高能粒子会改变MOSFET中氧化层特性继而产生辐射效应,这些辐射......
半导体激光器(LD)工作在空间辐射或核辐射环境中时, 会受到辐照损伤的影响而导致器件性能退化。文章回顾了不同时期研制的LD(从早......
电子辐射是空间辐射环境的重要组成部分, 也是地面模拟空间辐射环境的重要手段。为了研究半导体激光器在空间辐射环境下应用的可行......
设计了一款320×256元抗辐射日盲紫外焦平面阵列探测器, 重点针对探测器的读出电路版图、积分开关偏置点、探测器芯片外延结构及器......
随着CMOS结构的不断优化、半导体工艺的不断进步，CMOS图像传感器性能有了巨大飞跃。得益于低成本、低功耗、高集成度等优点，CMOS图像......
