TCAD仿真相关论文
利用Silvaco TCAD软件，研究了电离总剂量（total ionizing dose, TID）效应对28 nm NMOSFET转移特性的影响。构建了28 nm NMOSFET 3维仿......
针对中国产典型三结太阳电池开展质子/电子辐照试验，明确了三结太阳电池的辐射损伤敏感区域并建立太阳电池电学特性随位移损伤剂量......
利用SILVACO TCAD软件构建了28 nm MOSFET器件的3维结构，创建了单粒子的迁移率和载流子等仿真物理模型，仿真模拟了重离子入射位置、L......
文章提出一种新型Si/Ge异质结双栅隧穿场效应晶体管（GP＿Si/Ge＿DGTFET）。该器件在异质结的基础上加入凹槽型pocket结构，禁带宽度较窄的Ge......
SiC MOSFET凭借其相比Si IGBT更加优越的性能,成为最具前景的电力电子器件之一。而随着SiC材料外延技术的快速发展和制造工艺技术......
随着半导体技术的迅猛发展,突破物理尺寸的限制变得越来越困难,纳米线环栅已成为5nm以下技术节点的核心器件结构。而可重构场效应......
与传统VDMOS、沟槽MOS器件不同,功率器件屏蔽栅沟槽（SGT）MOSFET在沟槽中栅极的下方加入了多晶硅屏蔽栅极,并且与源极的电位相同,在垂......
横向双扩散MOSFET(LDMOS)由于其高击穿电压特性而被认为是适合在高压中应用的防止静电放电(ESD)现象的保护器件.在传统结构中,LDMO......
为了研究栅氧化后退火工艺条件对金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)静态电参数的影响并分析实验数据,对栅氧化层采用不同温......
窄带近红外光探测器因对特定波长有很高的灵敏度,在临床诊断、治疗设备或可穿戴的功能性监测设备等生物医学领域具有广阔的应用前......
工作于空间辐射环境中的半导体器件因有源区受到高能粒子轰击而产生的单粒子效应是影响航天器件可靠性的重要因素。随着数字集成电......
SOI LDMOS功率器件的栅极、源极和漏极在同一表面,易于集成,同时具有较快的开关速度和较小的寄生效应等优点,作为电源开关,是高压......
本文介绍了一个基于纳米线的环形振荡器电路的完整仿真流程,其中的有源器件运用了原子级器件模拟器对其进行了仿真。该仿真的结果......
本文介绍了一个基于纳米线的环形振荡器电路的完整仿真流程,其中的有源器件运用了原子级器件模拟器对其进行了仿真.该仿真的结果已......
鉴于高压功率MOSFET器件在耐压、电流能力、导通电阻等方面固有的优点,为进一步挖掘其在武器装备体系中的关键性作用、更好地发挥......
功率半导体是是电子电力领域的重要元器件,在全场景的控制系统中都扮演者重要角色。技术推进到现在,VDMOS凭借其输出功率大、开关......
基于航空航天领域对空间探测的需求,集成电路面临着工作环境充满宇宙辐射的挑战。一方面,宇宙环境中的各种高能粒子会造成电路失效......
随着人类向深空探测领域的迫切发展需要,近年来越来越多的宇航器件均处于极端的空间环境下。太空中存在着大量高能的宇宙射线,工作......
碳化硅(SiC)材料禁带宽以及原子临界位移能高,这些特性使得SiC器件抗辐射能力强,其在空间极端环境下有很大的应用前景,因此进行SiC......
设计了一种新的3D硅像素探测器的器件结构以简化制造工艺。该结构仅包含一种掺杂类型的柱状电极。通过工业级TCAD仿真对这种结构的......
卫星在轨飞行期间,星载电子器件将不可避免地遭受空间带电粒子的辐射,随着半导体技术的不断进步,电子器件的单粒子效应敏感性越来......
传统 LVTSCR的维持电压过低,器件容易受到闩锁效应的影响而无法正常关断.为了提高传统 LVTSCR 的维持电压,基于 0.18μm BCD工艺,......
本文以NMOSFET晶体管为研究对象，基于TCAD仿真模拟软件对单粒子瞬态进行模拟分析，系统地研究了温度、线性能量传递(linerenergytrans......
随着晶体管特征尺寸缩小至10 nm以下,传统Si基MOSFET面临诸多挑战,而新型沟道材料和器件结构将有望进一步提升器件性能.基于绝缘体......
针对小尺寸CMOS反相器的单粒子瞬态效应,分别采用单粒子效应仿真和脉冲激光模拟试验两种方式进行研究.选取一种CMOS双反相器作为研......
为了获得In0.83Ga0.17As探测器的暗电流机制,采用了TCAD软件对吸收层中含有和不合有超晶格电子势垒的p-i-n结构探测器暗电流特性进......
为了进一步提高GaN HEMT器件的击穿电压,并保持低的导通电阻,文中提出了一种具有N型GaN埋层的AlGaN/GaN HEMT。该埋层通过调整器件......
通过研究半导体器件单粒子翻转的物理机制,利用Synopsys TCAD工具对基于中国科学院微电子所开发的0.35μm部分耗尽SOI器件进行单粒......
通过自洽求解一维泊松方程,计算了应用于微波通信系统的非故意掺杂AlGaN/AlN/GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）的外延层结构参数对器件的......
基于标准0.13μm工艺使用Sentaurus TCAD软件采用3D器件/电路混合模拟方式仿真了buffer单元的单粒子瞬态脉冲。通过改变重离子的入......
以铁电场效应晶体管(Ferroelectric Field Effect Transistor,FeFET)为存储单元的铁电存储器具有低功耗、高密度、高速度、抗辐射......
利用 TCAD 仿真技术,研究了电离总剂量辐射陷阱电荷对0.18μm N 沟道 MOSFET 转移特性的影响.构建了0.18μm N 沟道MOSFET的三维仿......
半导体产业一直在飞速地发展,电路设计、晶体管和制备工艺等层面都取得了很大进步。当前集成电路产业界广泛应用的核心器件是鱼鳍......
随着科技革命的不断推进,半导体工艺和集成电路技术同样取得了巨大的进步,使得芯片面积不断减小,运算速度不断提高。然而,高集成度......
随着CMOS技术进入14 nm技术结点,三维鳍型场效应晶体管（Fin FET）源漏寄生电阻的提取随结构的改变而变得更为复杂,高精度寄生电阻的提......
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针对通常研究中普遍将研究重点集中在如何提高光电探测器受光区域的光电转换性能上而忽略了非光照区域的现状,从光电晶体管的非光......
为了获得In_（0.83）Ga_（0.17）As探测器的暗电流机制,采用了TCAD软件对吸收层中含有和不含有超晶格电子势垒的p-i-n结构探测器暗电流特性......
空间辐射效应是影响空间应用电子器件可靠性的主要因素。针对微米量级及以上器件的单粒子效应机理研究较为深入,出现了一系列较为......
随着In组分的增加,延展波长InxGa1-xAs/InP红外探测器的截止波长从1 u m延伸至3μm,在红外夜视,大气探测,地球观测等方面有着广泛......
磁传感器作为现代传感器产业的一个重要分支,每年有数以百万计的磁传感器在各种应用中被使用。霍尔传感器作为磁传感器中的重要成......
半导体功率器件是电力电子领域的重要元器件,是实现强电与弱电之间接口的桥梁。在开关电源、变频、显示、节能降耗及生态与环境保......
氮化镓（GaN）是近十几年来迅速发展起来的第三代宽禁带半导体材料之一,其化学性质稳定、耐高温、耐腐蚀,非常适合于制作抗辐射、高频......
随着航天事业的发展,集成电路越来越多的应用在航天器之中。航天器处于辐射环境下工作,容易受到辐射粒子的撞击产生诸多的辐射效应......
TFT作为平板显示的核心器件,是影响显示效果的关键。利用a-IGZO材料作为有源层的TFT器件与传统的硅基TFT相比具有制作温度低、均一......
绝缘体上硅(Silicon-on-Insulator,SOI)器件的全介质隔离结构改善了其抗单粒子效应性能,但也使其对总剂量效应更加敏感.为了评估SO......
电流放大倍数与特征频率是衡量微波晶体管电学性能的重要参数,二者之间存在相互制约的关系。利用TCAD半导体器件仿真软件对双极型......
研究了低压pMOS器件热载流子注入HCI(Hot-Carrier Injection)退化机理,分析了不同的栅压应力下漏极饱和电流(Idsat)退化出现不同退......
