以铁电场效应晶体管(Ferroelectric Field Effect Transistor,FeFET)为存储单元的铁电存储器具有低功耗、高密度、高速度、抗辐射......

以铁电场效应晶体管(Ferroelectric Field Effect Transistor,FeFET)为存储单元的铁电存储器具有低功耗、高密度、高速度、抗辐射......

铁电场效应晶体管（FeFET）存储器因其低功耗、高读写速度、非挥发性、抗辐射、高集成度和非破坏性读出等优点,被认为是最有潜力的下一......

铁电场效应晶体管(FeFET)是构成铁电存储器的基本存储单元,具有优良的抗辐射性能、高存储密度、低功耗和与集成电路工艺兼容等众多......

铁电场效应晶体管(FeFET)作为最潜力的铁电存储器之一,因其具有非破坏性读取、高集成度、抗辐射等优点而受到研究者的广泛关注。目......

铁电场效应晶体管(FeFET)具有非挥发性、抗辐射性能出众、高读写速度、高读写次数、高存储密度、低功耗等优点，可以作为铁电存储器......