IGZO相关论文
在低温下制备了三氧化二铝/二氧化硅双层栅介质铟镓锌氧薄膜晶体管。原子力显微镜图显示双层栅介质薄膜具有良好的均一性。经过200......
采用不同溅射功率制备的铟镓氧化锌(IGZO)薄膜作为薄膜晶体管(TFT)的有源层,通过扫描电镜、霍尔效应测试仪,分析了溅射功率对IGZO......
基于溶液旋涂法、高压退火工艺,制备了非晶铟镓锌氧化物(IGZO)薄膜、铟锌氧化物(IZO)薄膜和双层IGZO/IZO薄膜,研究了这些薄膜的电......
以InGaZnO(IGZO)为有源层的薄膜晶体管(TFT)可以应用于光电探测领域。在实验中,研究了该器件的电学特性和在不同光照条件下的光电......
文章详细地介绍了以IGZO TFT为主要代表的显示材料以及n型TFT的工作原理、研究进展及在其制备的过程中可能受到的限制和影响、在许......
研究了柔性基板上的薄膜晶体管,使用IGZO作为有源层,栅极绝缘层采用NH 3等离子体和N 2O等离子体分别进行处理,研究器件性能变化。......
随着科学技术的迅速发展，社会生活中人们对信息量的需求急剧膨胀，人们在日常生活中需要掌握比以往更多的信息，为顺应此趋势，显示器也开......
室温下,利用射频磁控溅射技术在p型〈100〉硅衬底上,不同氧分压下制备了铟镓锌氧化物薄膜晶体管（IGZO TFT）。结果表明,不同氧分压的I......
采用射频(RF)磁控溅射沉积方法,在室温不同压强下在石英玻璃衬底上制备出高透光率与较好电学性质的透明氧化物半导体InGaZnO4(IGZO......
为了适应视觉效果的提升,对于显示面板的集成度有了更高的要求。基于IGZO沟道的TFT存储器的出现能够实现显示模块和存储模块的统一......
非晶铟稼锌氧化物材料（Amorphous Indium Gallium Zinc Oxide,a-IGZO）自2003年提出以来,由于其迁移率高、大面积制备均匀以及可见光......
为了在TFT工厂的设计、建设及运营阶段采取有针对性的节能降耗措施,有效降低器件制备过程中的能耗,本文根据我院多年从事TFT生产线......
阐述了透明导电氧化物材料的研究现状，重点介绍ITO薄膜和靶材的研究进展及ZAO薄膜的研究现状，并就透明导电材料发展的方向及面临的挑......
在G4.5实验线上,采用射频磁控溅射法,通过优化成膜时的温度、功率、气体流量比、退火温度和膜层厚度等参数,以XRD,HR-TEM,NBED和ED......
氧化物薄膜晶体(TFT)具有迁移率高、可低温制备、可大面积制备、均匀性好、透明等一系列优点,所以在全透明显示以及柔性显示领域都......
随着智能手机、电视和可穿戴设备的发展,显示技术发挥着越来越重要的作用。薄膜晶体管(Thin-Film Transistor,TFT)是显示技术核心......
相比于PN结二极管,由多数载流子导通的肖特基二极管具有响应速率快,正向导通压降低等优点,在直流、微波领域得到广泛应用。近年来,......
由于迁移率高、均匀性好、制备成本低等优势,铟镓锌氧化物薄膜晶体管（IGZO TFT）有望促成有源矩阵有机发光显示器件（AMOLED）的大规模量......
采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备了IGZO薄膜,研究了IGZO薄膜的性质和制备工艺条件。重点研究了射频功率对IGZO薄膜的结构特性......
近年来,随着大尺寸液晶显示器和有源有机发光二极管的发展,传统的非晶硅薄膜晶体管和有机薄膜晶体管已经很难满足要求,以铟镓锌氧......
随着大尺寸的显示器和有机发光二极管的发展,传统的晶体硅薄膜和有机薄膜晶体管已经满足不了现代显示的要求。作为薄膜晶体管的核......
TFT作为平板显示的核心器件,是影响显示效果的关键。利用a-IGZO材料作为有源层的TFT器件与传统的硅基TFT相比具有制作温度低、均一......
柔性半导体器件凭借其可弯曲、低成本、低功耗、生产简易性和规模化等突出优势而存在广阔的应用前景,如曲面显示、智能标签、小型......
近年来,基于氧化物半导体的薄膜晶体管(TFTs)因在未来大尺寸、高帧率和高分辨率的平板显示器中的潜在应用而备受关注。现今的有源......
采用射频磁控溅射方法在n型硅片上制备了底栅顶结构的铟镓锌氧-薄膜晶体管(IGZO-TFT)。分别采用Au、Cu、Al 3种金属材料作为电极,......
