透明导电膜相关论文
透明柔性导电膜是柔性光电器件中的核心部件之一,具有重要作用,其光电性能也直接影响柔性电子器件性能。而银纳米线（Ag NWs）透明柔性......
纳米银因其优异的电学性能、化学稳定性能、热学性能、抗菌性能等,而被广泛应用于电子、抗菌、表面拉曼增强等领域。通过调节其形......
柔性电子器件主要应用于折叠手机、医疗健康监测、人工智能和太阳能电池等方面,是当前研究的热点.针对银纳米线(AgNW)与衬底之间存......
本文首先介绍了高效率SHJ太阳电池研发平台，指出具备2MW从硅片到电池、封装的研发制作能力，分析了SHJ太阳电池结构和特征，提出了高效S......
柔性染料敏化太阳能电池能够解决传统的以导电玻璃基底染料敏化太阳能电池的重量大、易碎、运输困难等问题。柔性基底特别是透明导......
会议
为获得高质量的透明导电薄膜,本文利用数值模拟计算,对制作在非晶硅,单晶硅(HIT)上的ZAO/Ag/ZAO复合透明导电膜的光学特性进行了优......
本文利用中频脉冲磁控溅射方法,采用重量2﹪的Al掺杂Zn(纯度99.99﹪)为靶材制备平面透明导电ZnO:Al薄膜,利用湿法腐蚀方法,将平面ZAO薄......
用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备了Mg0.1Zn0.9O:Al薄膜,衬底温度由30℃变化到230℃.X射线衍射结果表明Mg0.1Zn0.9O:Al薄膜为单相......
用磁控溅射法制备ZnO:Al透明导电膜时,降低溅射电压可以减少溅射等离子体中被靶背反射回的中性离子和负氧离子对基片的轰击,提高薄......
获得更低电阻率和更高透过率的透明导电膜(TCO)一直是该领域科研人员努力和追求的目标,利用热蒸发和磁控溅射方法制备TCO薄膜的研......
触屏(Touch Panel,TP)广泛应用于智能手机、Pad、mini PC等便携式智能视窗,触控面板传感器(sensor)是触屏实现人机互动的关键原件......
我们采用超声雾化CVD工艺来制作二氧化锡薄膜,研究了各种工艺参数对SnO薄膜的性质的影响,摸索了最佳的工艺条件,研究了掺杂对膜的......
系统论述了ITO作为OLED器件阳电极时,ITO各参数对OLED整体性能,如发光亮度、效率、寿命和稳定性的影响,并以溅射ITO工艺为例,分析......
在硅基薄膜太阳能电池中,常使用透明导电氧化物(TCO)与金属组成的复合背反射电极,以增加对太阳光的收集效率,从而提高太阳能电池的......
采用磁控溅射和湿法涂布技术制备了一种ITO/Ag/AgNW结构的新型复合透明导电薄膜。研究其光学、电学等性能发现: ITO/Ag/AgNW薄膜在......
本文介绍了掺铟ZnO透明导电膜的制备工艺.并应用半导体物理理论分析了薄膜的导电机理,用Drude理论建立了物理模型,分析与计算了薄......
本文研究了利用中频脉冲磁控溅射法和Zn:Al合金靶反应溅射制备ZnO:Al透明导电膜时,工作气压、靶电压、O/Ar、本底真空度等参数对材......
采用时域有限差分法计算β-Ga2O3/金属/β-Ga2O3叠层紫外透明导电薄膜的光学透过率,研究Ga2O3厚度、插入层材料及厚度对叠层透明导......
电致变色器件（Electrochromic devices,ECDs）在智能窗、显示、军事等领域具有广阔的应用前景。ECDs的基本结构包括:透明导电层I、电......
、原理稳恒电流场的电势与静电场的电势满足相同的偏微分方程，当稳恒电流场与静电场有相似的边界条件时，稳恒电流场的电势分布与静电......
本文对用气态蒸发法制备的S_nO_2薄膜进行了基本物理特性的研究。试样薄膜的厚度为5000,利用霍耳效应测定其载流子浓度为4.99×1......
1.30×3030×30cm~2ITO 透明导电膜是我校物理系承担的国家“七五”攻关项目的重要组成部分,以马洪磊副教授为首的课题组经两年多......
实验证明,将s_no_2透明导电膜应用于生物培养技术是可行的,初步试用已获得了肯定的效果。
Experiments show that, s_no_2 transp......
本文采用有机金属化合物气相沉积(MOCVD)技术制备了可见光透过率>90％(厚度为10~2-10~4)、薄层方块电阻值为38-56Ω/□的SO_2·A,多......
玻璃，它既古老又现代，既有实用功能又具艺术效果。自古埃及人用砂子和苏打制成世界上的第一块玻璃至今已有4500年。玻璃发展到现在，虽......
近日,浙江大学高分子科学与工程学系、硅材料国家重点实验室陈红征教授团队的徐明生教授小组在石墨烯化学气相沉积(CVD)生长方面有......
近日,日本旭硝子公司开发出厚度薄至100微米、相位差(retardation)更低的聚碳酸酯薄膜“Carbogalss C110C-LR”。凭借独特的技术,......
报道了采用反应电子束蒸发技术制备优质氧化锌透明导电膜的工艺和结果。典型的结果：电阻率低达２×１０－４Ω．ｃｍ，霍尔电子迁移率为５２ｃｍ２（Ｖｓ）－１，厚４０００×１０－１０ｍ膜的方块电......
本文采用等离子体激活化学气相沉积制备了ＳｎＯ_２掺杂透明导电膜，并研究了薄膜的光学和电学性能．制得的薄膜电阻最低约为１７Ω／口，其可见光透射......
研究了用铟锡合金靶直流磁控反应溅射制备ITO透明号电膜。介绍了膜的制备工艺和膜的特性。讨论了成膜过程和热处理对膜的电阻率和......
成功地制备了用铝掺杂的氧化锌（ＡＺＯ）透明导电膜作阳极的有机薄膜电致发光器件．并对单层和双层结构的ＡＺＯ器件以及以两种不同ＩＴＯ作阳极的器件的电......
本文用异丙醇钨为前驱体，采用溶胶—凝胶法制备了电致变色ＷＯ３膜。着重研究了热处理温度对膜的结构及电致变色性的影响
In this paper,......
利用平面磁控反应溅射在具有透明导电膜的玻璃基片上沉积氧化钨膜层。Ｘ射线衍射分析结果表明，基片在室温状态下得到的膜呈非晶态。以......
本文介绍了ＴＦＴ／ＰＤＰ用真空成膜技术和设备，主要介绍ＴＦＴ用ＩＴＯ膜和ＰＤＰ用ＭｇＯ／Ｃｕ．Ｃｒ．Ａｌ膜的成膜技术和设备。
This article describes the TFT / PDP vacuum depositi......
简要介绍了椭圆偏振测量术的基本原理，并对自动椭偏仪进行了介绍。由于自动椭偏仪具有无损探测、测量准确度高和测量迅速等特点，它非......
与玻璃基透明导电膜相比，聚合物基透明导电膜耐折，耐摩擦，成本也较低，可广泛使用。本文概述了聚合物基透明导电膜的种类，特点，制备，及其在......
我们用反应蒸发法在氧分压２×１０－２Ｐａ、衬底温度８０～２４０℃条件下蒸发铟－锡合金，在有机薄膜衬底上制备出ＩＴＯ膜，并研究了其结构和光电特性随制备衬底温度的......
采用真空反应蒸发技术，蒸发高纯度铟锡合金，在有机薄膜基片上制备出高质量的ＩＴＯ透明导电薄膜．研究了薄膜结构及电阻率、载流子浓度和迁移......
介绍了国产ＩＴＯ靶材磁控溅射制备ＩＴＯ膜的工艺实验。实验结果表明，国产ＩＴＯ靶材具有良好的工艺稳定性和重现性，在优选镀膜工艺参数条件下，获得了性......
利用脉冲激光法制备了ZnO∶Al透明导电膜。通过对膜进行霍尔系数测量及SEM、XRD测试分析 ,详细研究了沉积时的基片温度、氧分压强......
用真空反应蒸发技术在有机薄膜衬底上制备出ITO透明导电薄膜 ,对薄膜的低温制备 (80～ 2 4 0℃ )、结构和光电特性进行了研究。制备......
通过对衬底施加负偏压吸引等离子体中的阳离子对衬底轰击 ,从而用射频磁控溅射法在水冷透明绦纶聚脂胶片上制备出相对透过率为 80 ......
介绍了采用溶胶－凝胶法制备ＳｎＯ２掺杂Ｆ的透明导电膜（简称ＦＴＯ膜）的实验方法，并讨论了加水量、掺杂量、ｐＨ值及热处理条件对膜可见光透过率及膜电阻率......
