开关性能相关论文
Resistive random access memory (RRAM) has received significant research interest because of its promising potential in t......
设计合成了一个5,15-meso-meso冠醚修饰的卟啉1(化合物1)作为荧光开关的模型化合物,选择Cu+离子作为淬灭剂,激发该化合物不同发光......
金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)和绝缘栅双极晶体管(IGBT)都能提供低损耗开关性能,但在驱动方法和保护措施方面有着明显区......
行波电极提高光开关性能德国柏林享利·赫兹研究所的科学家已研制出一种工作速率达４０ＧＨｚ的磷化钢（ＩｎＰ）基光开关。光开关已成为光纤数据传输网......
设计建造了以辉光放电形成的等离子体作电极，通光口径为８０ｍｍ×８０ｍｍ的普克尔盒实验，实验检测了它的开关性能。阐述了普克尔盒的结构，辉光放电等......
介绍了一种用小镍-锌磁杯组成的小型磁脉冲压缩器，并将它成功地用于铜蒸气激光器电路中。同时给出了它的基本原理和理论设计，并且对......
介绍了一种利用介质折射率的负变化量制作光开关的基本原理及时间响应特性。从其工作原理出发,分析了其内折射率变化的主要机制;通......
前，为了防止高dV/dt应用于桥式电路中的IGBT时产生瞬时集电极电流，设IGBT。然而提供负偏置也很难使用高(HVIC)栅驱动器，因为IC是专为......
发射极关断(ETO)晶闸管是一种新型MOS可控晶闸管。由于它改善了开关性能,容易控制,因此适用于大功率变流器。文章分析了ETO的初次......
阐述了最近出现的几种器件的原理,诸如超级结型(Super Junction)MOSFET,IGBT和SiC(碳化硅)器件的发展趋势。所有这些器件都具有100......
直接接到全球通手机天线上的首只CMOS开关的问世可能对GaAs PHEMT RF开关市场是个威胁。开发上述CMOS开关的美国圣地亚哥的Peregri......
日本NEC公司开发出一种型号为UPD5710TK的新型CMOS单刀双掷(SPDT)开关。这种CMOS开关设计用于发射与接收、分集式天线、波段选择和......
据美国《自然》网站报道,美国加州大学的科学家宣称已经制造出了世界上第一个完全基于碳纳米管的电开关。研究人员希望这有助于不......
随着制造技术的发展和进步,系统设计人员必须跟上技术的发展步伐,才能为其设计挑选最合适的电子器件。MOSFET是电气系统中的基本部......
本文讨论IGBT~2、IGBT~3以及SEMITRANS~模块采用的新GBT~4半导体技术之间的区别,并展示在某些情况下新IGBT~4技术和CAL4二极管给......
由西北有色金属研究院为机械电子部研制的AuNi/Ni/CuNi三层异形复合丝于1988年11月20日通过部级鉴定。鉴定会由中国有色金属工业......
Power MOSFET的功率损耗一直是工程师们关心的问题。本文对Power MOSFET在开关电路中的功率损耗的发生机理进行了数学分析，并以不同......
2008年8月11日,国内领先功率半导体器件、芯片和模块供应商无锡创立达科技有限公司宣布成功推出新一代微触发单向可控硅TSE2P4M和T......
英飞凌科技股份公司近日宣布推出采用TO-220 FullPAK封装的第二代SiC(碳化硅)肖特基二极管。新的TO-220 FullPak产品系列不仅延续......
英飞凌科技股份公司推出采用TO-220 FullPAK封装的第二代SiC(碳化硅)肖特基二极管。新的TO220 FullPak产品系列不仅延续了第二代Th......
降低动态功耗需要快速地开关功率半导体,但是,快速开关IGBT带来的新挑战,就是对关断电压峰值有特别强烈的影响。关断过程中u_(ce-)......
最近的模块研发工作已经生产出封装在SP1模组中的快速开关、1200V、13mΩ、增强型SiC JFET半桥模块。这些模块由36mm~2SiC VJFET和......
利用直流对靶磁控溅射镀膜法,在Si衬底上制备出在太赫兹(THz)波段具有开关性能的氧化钒(VOx)薄膜。用X射线光电子能谱(XPS)、扫描......
我厂生产的可控硅电容放电式无触点磁电机,配套使用在小型高速汽油机上。最近,我们参考西德“STIHL O3AV electronic”链锯汽油机......
飞兆半导体公司是高性能功率半导体和移动半导体解决方案的全球领先供应商,通过引入100 V BoostPak设备系列优化MOSFET和二极管选......
飞兆半导体推出一系列1200 V沟槽型场截止IGBT。以硬开关工业应用为目标,如太阳能逆变器、不间断电源(UPS)和电焊机,此新型IGBT系......
2014年2月13日—许多终端应用,比如IP电话、电机控制电路、有源钳位开关和负载开关—需要以更小的尺寸提供更高的能效,以便满足制......
意法半导体(STMicroelectronics,简称ST)MDmesh M2系列的N-沟道功率MOSFETs再增添新成员,新系列产品能够为服务器、笔记本电脑、电......
EPC发布新款场效应晶体管EPC2039,是一款高功率密度增强型氮化镓器件。EPC2039尺寸较小,仅为1.82mm2,在栅极加5V电压条件下,可实现......
2015年6月8日,英飞凌科技股份公司推出发挥英飞凌新一代IGBT优势的最新一代PrimePACK TM功率模块。IGBT5和创新的.XT技术结合,是IG......
Fairchild将在PCIM Asia上介绍如何通过打破硅的限制将IGBT开关损耗降低30%。Fairchild大幅降低其第四代650V和1200VIGBT损耗,降幅......
全球领先的高性能功率半导体解决方案供应商Fairchild发布首个1200V碳化硅(SiC)二极管——FFSH40120ADN。该1200V二极管凭借卓越的......
意法半导体推出最新的MDmesh Dk5功率MOSFET管,内部增加一个快速恢复二极管的甚高压(VHV)超结晶体管,这样结构有助于设计人员最大......
设计了电压输出范围分别是0~10V和0~2V、调节精度为10mV的可扩展热控电路和电控电路,用于实现16×16光子集成芯片的工艺误差补偿和......
1 前言葛洲坝电厂发电机主励装置采用的是交流侧串联自复励方式,同时,考虑安全可靠地向系统供电,还装设了备励装置。以二江电厂为......
相比于传统的Si IGBT功率器件而言,碳化硅MOSFET可达到更高的开关频率、更高的工作温度以及更低的功率损耗。然而,快速的暂态过程......
作为一种无毒、无污染且具有良好生物相容性的气体,CO2作为刺激因子用于智能开关体系近年收到了广泛关注[1],但其“开”、“关......
多级点火开关被广泛用于非常规油气井多级射孔施工中，在出厂前需要进行批量抽捡，下井作业前施工人员都要对多级点火开关进行性能......
对于电压型驱动器件的IGBT 而言，主要的驱动参数包括驱动电压、驱动电路输出功率、栅极电阻、栅极至发射极电容和栅极回路电感......
近几十年来,芯片的生产工艺已经从60纳米发展到了7纳米,纳米级电子器件的发展前景越发的明朗。电子信息系统的推陈出新,半导体技术......
根据相关调查,由矿用移动电源直接引起的安全故障约占60%。因此需要对矿用电源进行安全监管,在全体矿工正常使用电源设备情况下,保......
