模型参数提取相关论文
随着半导体技术的飞速发展,各种模拟、数字集成电路被广泛应用于航空航天、核工业及粒子物理等领域。它们处在各种电磁、高能粒子......
为了有效指导闪存单元的模型参数提取,文中基于BSIM4模型,选取了合适的模型参数,利用粒子群算法和遗传算法作对比,找到了一种最佳......
介绍了一套基于CCD工艺的模型参数提取用测试图形(Testchip)设计方法。该Testchip的设计充分考虑了CCD工艺特征、中测测试条件、CC......
鉴于器件模拟参数在电路模拟中的重要性，本文选择了较为理想的模型参数提取方法─统计试验法，并从理论上解决了该方法在迭代求解过程......
介绍了一个在ＳＵＮ工作站上自主开发的砷化镓集成电路ＣＡＤ系统。该系统可完成微波、毫米波集成电路ＣＡＤ及砷化镓超高速数字集成电路ＣＡＤ。应用该系统......
本文讨论双极型晶体管（ＢＪＴ）器件模型参数提取的最优化方法，提出了一种解决全局最优的组合算法，与通常的Ｇａｕｓｓ－Ｎｅｗｔｏｎ法相比，其突出的优点是：在计算过程中......
本文基于修正的二维泊松方程导出了适用于深亚微米MOSFET的阈值电压解析模型,并进而通过反型区电荷统一表达式并考虑到载流子速度......
介绍几种新颖的超小型1GHz～26Hz高性能11.25°GaAs微波/毫米波集成电路移相器的设计、制造和性能。这几种移相器可以兼容不同的模拟......
通过将遗传算法和模拟退火算法相结合得到了改进的遗传算法,这种改进的遗传算法可用于提取SOIMOSFET模型参数.用这种方法提取了基......
基于物理原理的分析,提出了GaAs PIN二极管的一种新等效电路模型.GaAs PIN二极管被分成p+n-结、基区和n-n+结三部分分别建模,总的......
介绍了用于高速光电集成电路设计的量子阱半导体激光器高频建模技术,以及相应的模型参数提取技术.上述等效电路模型基于激光器的物......
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积累区MOS电容线性度高且不受频率限制,具有反型区MOS电容不可比拟的优势.本文在研究应变Si NMOS电容C-V特性中台阶效应形成机理的......
对纳米级金属氧化物半导体场效应管器件提出了改进的小信号模型.该改进模型中综合考虑了馈线的趋肤效应和器件多胞结构的影响.提取......
本研究工作针对研制中的GaAs二分频器某实际电路,进行了单管MESFET,串联箝位SBD和BFL或非门及环振电路的实验制作和性能测试,在确......
本文介绍了集成电路晶体管参数提取系统(PEAS)的特点和结构。利用与电路模拟程序兼容的参数提取系统,对8286双极数字电路中的 npn......
本文介绍了可广泛用于IC电路设计的线性IC电路模拟系统。主要叙述了电路模拟软件实用功能设计,新的器件模型的建立;叙述了把电路模......
本文描述了两种结构的BiCMOS比较器宏单元的设计和制造.制成的五种比较器均达到了设计要求:静态功耗小于5mW,灵敏度优于5mV,模拟得......
介绍了一套砷化镓专用电路ＣＡＤ软件，它可完成砷化镓器件模拟、器件模型参数提取、电路模拟、版图编辑、ＰＧ带生成的全过程设计。
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利用空气桥隔离技术研制出了平面结构InP基共振隧穿二极管(RTD).室温下,RTD器件显示出良好的负阻和频率特性.对于发射极面积为......
BSIMPD模型中复杂的体电流成分，导致器件模型参数不容易准确提取。提出并实现了一种有明确物理意义的方法，来分离体电流组分及提......
随着SOI技术的不断成熟,SOI器件模型参数提取成为SOI工艺平台不可或缺的组成部分.该文对1.2μm CMOS/SOI模型参数提取进行了研究.......
浮点遗传算法是一种模拟生物进化的最化搜索法 ,由于其运算简单、稳定性好、不需要计算目标函数的导数、高精度和能处理多维数值问......
本文采用套筒式级联增益自举电路，设计了一种用于高速、高分辨率ADC的CMOS全差分运算放大器，达到了高增益、低功耗的设计目标。在3．3V......
浮点遗传算法是一种模拟生物进化的最化搜索法，由于其运算简单、稳定性好，不需要计算目标函数的导数、高精度和参处理多维数值问题，浮......
概伦电子（ProPlus）近日宣布，上海华力微电子有限公司已采用概伦电子业界领先的BsIMProPlusTMSPICE建模平台，用于支持华力微电子建立65／5......
设计了用于高速高分辨率ADC的CMOS全差分运算放大器，采用套筒式级联增益自举电路，达到高增益带宽且低功耗。在3．3V电源电压下，用TSMC0．3......
针对高速低阈值半导体激光器提出一种模型参数的直接确定方法。该方法仅利用阈值附近端口阻抗特性和阈值以上弛豫振荡频率特性来提......
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0.8μm CMOS/SOI的模型参数提取是基于0.8μm CMOS/SOI工艺,选用HSPICE中的level 57模型。介绍了测试图形的设计经验,分析了SOI器......
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随着第三代宽禁带碳化硅半导体器件的深入研究和逐渐市场化,碳化硅(SiC) MOSFET的优异性能也越来越受到人们的关注。为在PSpice仿......
<正>对于当前的集成电路设计技术,计算机辅助模拟已成为一种不可缺少的工具。电路模拟器能否用于大规模集成电路的设计和分析取决......
将要引起第二次电子革命的智能功率集成电路获得了日益广泛的应用,它的应用范围包括开关电源、电子镇流器、电机驱动、汽车电子和......
