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随着生物技术和纳米科技的快速发展,基于侧向光伏效应制备成的位敏传感器件在生物医学和生物检测等方面有越来越重要的应用。新型......
集成电路行业发展至今,在以Si基器件为主流的基础上,遵循与推进着摩尔定律的演进步伐,取得了巨大成就。然而随着集成电路工作频率......
多孔硅是一种微纳尺度硅基气敏传感材料,其当前存在不足主要在于探测气体时灵敏度偏低以及对不同气体分辨能力不强两方面。在金属......
二极管的芯片生产工艺有台面工艺和平面工艺两种,平面二极管芯片由于是在外延硅材料上通过高温生成保护膜及聚酰亚胺保护层,不同于......
在SOI衬底上,制作了一种基于阳极弱反型层消除负阻效应的新型横向绝缘栅双极晶体管(SOI AWIL-LIGBT)。利用反型所形成的高阻值电阻......
根据改进后的三角势阱场近似 ,并考虑量子化效应 ,提出了一种基于物理的阈值电压解析模型 ,给出了MOSFET的阈值电压解析表达式 ,并......
提出了一种精确求解隧穿电流的模型。通过自洽求解一维薛定谔方程和泊松方程，得到NMOS器件的半导体表面电势分布、反型层二维电子气......
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提出了一种基于现有的P型单晶硅太阳能电池生产线实现N型单晶硅太阳能电池生产的技术方法,硅片在预清洗和表面织构化处理后,通过改......
随着社会发展和人们生活水平的提高,空气质量问题逐渐成为人们重点关注的对象,气体传感器日益成为检测有毒有害气体的重要元件。因......
<正> 一、问题的提出和实验方法 在低能注入B+浅结的过程中,沟道效应难以避免。为避免B+注入的沟道效应,本文采用100keV下5×1015c......
常规SOI基阳极短路横向绝缘栅双极晶体管(SA-LIGBT)提高了LIGBT的关断速度,但常规SOI SA-LIGBT存在负阻效应。而负阻效应增大了SA-......
Fe3O4由于其高达840 K的居里温度以及磁电阻效应而被广泛研究,Si基半导体是集成电路的基础。将二者相结合,构成Fe3O4-氧化物-半导......
提出了一种基于物理的4H—SiC n—MOSFET反型层迁移率模型．基于第一性原理的准二维库仑散射迁移率模型考虑了载流子屏蔽效应和温度......
