随着社会发展和人们生活水平的提高,空气质量问题逐渐成为人们重点关注的对象,气体传感器日益成为检测有毒有害气体的重要元件。因其氧化钨纳米敏感材料的气体传感器具备高灵敏度、快速响应恢复时间、较低的工作温度等优良特性,表现出广泛应用的潜能。随着对敏感材料研究的深入,敏感材料的响应类型成为新的关注方向,对金属氧化物传感器响应类型的研究对深入理解气敏机理有重要作用,进而促进气体传感器的飞速发展。WO₃是一种N-型半导体材料,但是WO₃纳米线会表现出P-型半导体响应特性。本文利用磁控溅射沉积金属W薄膜,及两次热氧化法在不同衬底上制备出氧化钨纳米线,研究了制备条件对氧化钨纳米线的结晶性、氧化程度、微观形貌结构的影响。利用扫描电子显微镜、透射电子显微镜、X射线衍射仪等分析方法对氧化钨纳米线进行表征。考察了制备条件对响应类型的影响,最后对氧化钨纳米线气体传感器的P-型响应机理进行分析。衬底对氧化钨纳米线的生长有较大的影响,在光滑的表面利用管式炉热氧化方法生长出密度高、长度长、分布均匀的氧化钨纳米线,而在多孔硅表面纳米线分布稀疏,长度较短,经过两次热处理后样品氧化比较完全。室温下氧化钨纳米线对NO₂气体有较高的灵敏度,且表现为P-型响应类型。通过调整退火时间（1h、2 h、3 h）,氧化钨纳米线形貌在长时间的退火过程中发生重新结晶,较细的纳米线逐渐转变为纳米颗粒和纳米棒。镀膜时间对氧化钨纳米线的生长有较大影响,镀膜时间为5min样品纳米线变得稀疏,氧化过程较为完全,而8 min和10 min样品有较高的纳米线密度,未被完全氧化。退火温度对氧化钨纳米线有较大的影响,经480°C退火后较细的纳米线全部转变为纳米线棒和纳米颗粒,结晶为WO₃相,经过测试器NO₂气敏性能,在室温下表现为N-型响应类型。在460°C及以下退火的样品中纳米线为主要结构,结晶不充分,在室温下表现为P-型响应类型。较细直径的WO₃纳米线、较多的缺陷和表面态在空气氧气吸附过程中,使纳米线表面形成质子导电通道,使得氧化钨表现成P-型响应类型。