短沟道相关论文
随着半导体产业的不断发展以及功率半导体需求不断增加,宽禁带半导体碳化硅（SiC）功率器件能在高温、高压、高频以及复杂的辐照环境下......
近几年,光探测器在国内外引起了广泛关注。相对于一维纳米结构的器件来说,基于二维薄膜结构的光探测器在性能上具有更好的稳定性。......
随着金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)器件的尺寸进入到纳米量级,器件的噪声机理逐渐开始转变.传统的热噪声与漏源电流模型......
通过求解二维泊松方程推导了一个简洁的短沟道MOS的阈值电压模型，得到的DIBL因子可用于分析参数对短沟道效应的影响。模拟的结果能......
提出了一种适用于短沟道SOI BJMOSFET闻值电压特性分析的电荷分享物理模型，详细讨论了短沟道SOI BJMOSFET背界面处于积累、反型以及......
光电探测器作为信息生活中传递信息的主要载体,是信息生活中不可分割的重要器件。在光通信领域、工业控制领域、军事领域都有着广......
使用喷墨打印技术制得了高质量的导电银电极,并制备了高性能的有机晶体管器件与简单电路。经优化的喷墨银电极表面形貌光滑、一致......
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通过求解泊松方程,从沟道长度调制效应、阈值电压变化及源极同沟道间的势垒变化三个方面详细分析了短沟道MOSFET的器件特性.给出了......
随着MOS器件工艺尺寸的不断减小，其不断增高的单位增益截止频率足以满足射频／模拟电路的工作要求。然而，随着沟道长度的变短，沟道噪声......
采用Magnachip 0.13μm CMOS工艺,设计了一款能可靠地工作在455MHz频率的低功耗电荷泵锁相环。在设计过程中,对短沟道效应带来的影......
利用计算机模拟软件Tsuprem4、Medici以及流片实验开发了短沟道铝栅CMOS器件及其工艺流程.对铝栅1.5μm短沟道CMOS工艺进行器件结......
随着器件尺寸的缩小,寄生电阻对器件性能的影响不可忽视,为准确预测器件的寄生电阻并了解器件参数对寄生电阻的影响,需要有准确的......
短沟道MOSFET因其高集成度、高性能、低功耗和低成本的优点,被广泛应用于射频与毫米波集成电路中。作为设计CMOS低噪声电路的基础,......
