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PD-Ge相关论文
PD-Ge半导体与MOS反型层能带结构及迁移率研究
集成电路行业发展至今,在以Si基器件为主流的基础上,遵循与推进着摩尔定律的演进步伐,取得了巨大成就。然而随着集成电路工作频率......
学位
PD-Ge
反型层
能带结构
迁移率模型
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