应变层相关论文
利用分子束外延技术研制出了高质量InGsAs/GaAs应变量子阱材料及量子阱激光器.脊形波导窄条形量子阱激光器的阈值电流和微分量子效......
随着铁路运输行业向高速化和重载化发展,轮轨系统面临的问题也日渐突出。钢轨磨耗问题不仅造成车辆维护成本的增加,而且还会恶化轮......
本文综述了分子束外延技术在人造结构材料及器件上的应用,重点在于用分子束外延制备掺杂超晶格;应变层结构,无针孔硅化物和单晶二......
采用反应离子刻蚀技术，设计、制备了一种角反射器耦合的１０单元ＩｎＧａＡｓ应变层单量子阱镇相列阵激光器。在高达４×Ｉｔｈ的工作电流范围内，获得了主单瓣......
近年来,由于量子点具有其它体材料所不可比拟的优越性,越来越被人们关注,所以量子点材料的制备和性质的研究,是当今社会最前沿的科......
研究了应变单量子阱势阱宽度的计算方法 ,为应变单量子阱的设计提供了理论依据 .对于确定的材料组份 ,根据应变理论及有限深势阱的......
本文主要借鉴PB模型和Fisher模型通过优化其中的参数,考虑影响临界厚度的相关因素,对GaN/InGaN异质结应变层临界厚度进行理论估算,......
本文主要借鉴PB模型、Fisher模型和Matthews模型并通过优化其中的组分和滑移间距参数，考虑影响临界厚度的相关因素，对GaN／InGaN异质结......
简要介绍了异质结的临界厚度,叙述了计算临界厚度的两种理论和其实验值....
将平均键能方法推广应用于应变层异质结的价带和导带阶研究。通过平均带阶参数形变势amv来研究带阶参数Emv随应变状态的变化关系，发......
主要讨论了Si1-xGex/SOI材料的Si1-xGex应变层临界厚度、折射率增量、载流子迁移率、超晶格的线性电光效应、等离子色散效应等基本......
介绍了应变SiGe层的特性，包括SiGe应变层临界厚度与Ge组分的关系，能带变窄，折射率增加以及应变SiGe层的亚稳态特性。然后从材料生长方......
Abstract: When studying the optical transmission of thin epitaxial lead selenide layers, the characterization of their p......
介绍了单片集成硅基光接收器相对于混合集成光接收器在光纤通信领域的应用优势，介绍了与硅微电子工艺兼容的、工作在波长λ=0．80～1．60......
分析了硅双极晶体管电流增益在低温下减少的原因，通过优化设计，研制出了在液氮温度下具有高增益的ＳｉＧｅ／ＳｉＨＢＴ，并分析了工作的机理......
期刊
本文主要从量子理论中的电子波函数所满足的薛定锷方程出发,讨论了量子阱理论。进而介绍多量手阱激光器(MQWL)的重要特征之一——......
